REVESTIMIENTO PARA DISPOSITIVOS MICROELECTRONICOS Y SUBSTRATOS.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR UN REVESTIMIENTO CERAMICO O SIMILAR AL CERAMICO SOBRE UN SUBSTRATO ESPECIALMENTE SOBRE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS,
ASI COMO AL SUBSTRATO REVESTIDO POR EL MISMO. EL METODO COMPRENDE EL REVESTIMIENTO DE DICHO SUBSTRATO CON UNA SOLUCION QUE COMPRENDE UN SOLVENTE, RESINA DE SILSESQUIOXANO DE HIDROGENO Y UN PRECURSOR DE OXIDO CERAMICO MODIFICADOR SELECCIONADO ENTRE EL GRUPO QUE CONSTA DE PRECURSORES DE OXIDO DE TANTALIO, PRECURSORES DE OXIDO DE NIOBIO, PRECURSORES DE OXIDO DE BORO. EL SOLVENTE SE EVAPORA PARA DE ESTA MANERA DEPOSITAR UN RECUBRIMIENTO PRECERAMICO SOBRE EL SUBSTRATO. EL REVESTIMIENTO PRECERAMICO SE CERAMIFICA ENTONCES CALENTANDOLO HASTA UNA TEMPERATURA DE ENTRE 40 Y 1000 C. ESTE REVESTIMIENTO, ADEMAS PUEDE SER RECUBIERTO POR RECUBRIMIENTOS DE PASIVIDAD ADICIONAL Y PROTECTORES.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: DOW CORNING CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 3901 S. SAGINAW ROAD,MIDLAND MICHIGAN 48686-0994.
Inventor/es: HALUSKA, LOREN ANDREW.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 27 de Noviembre de 1996.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C04B41/87 QUIMICA; METALURGIA. › C04 CEMENTOS; HORMIGON; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS; REFRACTARIOS. › C04B LIMA; MAGNESIA; ESCORIAS; CEMENTOS; SUS COMPOSICIONES, p. ej. MORTEROS, HORMIGON O MATERIALES DE CONSTRUCCION SIMILARES; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS (vitrocerámicas desvitrificadas C03C 10/00 ); REFRACTARIOS (aleaciones basadas en metales refractarios C22C ); TRATAMIENTO DE LA PIEDRA NATURAL. › C04B 41/00 Postratamiento de morteros, hormigón, piedra artificial; Tratamiento de la piedra natural (vidriados distintos a los vidirados en frio C03C 8/00). › Cerámicas.
- C04B41/89 C04B 41/00 […] › para obtener al menos dos revestimientos superpuestos de composiciones diferentes.
- H01L21/312 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
- H01L21/314 H01L 21/00 […] › Capas inorgánicas (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
- H01L21/48 H01L 21/00 […] › Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.
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