CIRCUITO DE REGULACION DE TENSION DE PROGRAMACION, PARA MEMORIAS PROGRAMABLES.
LA INVENCION CONCIERNE A LOS CIRCUITOS PARA PRODUCIR UNA TENSION VPP A PARTIR DE UNA ALIMENTACION MAS PEQUEÑA VCC.
TALES CIRCUITOS SON UTILES POR EJEMPLO PARA PRODUCIR LA TENSION DE PROGRAMACION DE LAS CELDILLAS DE UNA MEMORIA ELECTRICAMENTE PROGRAMABLE. SEGUN LA INVENCION, EL CIRCUITO INCLUYE UNA BOMBA DE CARGA (PMP), UN REGULADOR (REG) PARA INTERRUMPIR EL FUNCIONAMIENTO DE LA BOMBA DE CARGA CUANDO LA TENSION VPP SOBREPASA A UNA TENSION PREDETERMINADA (VPPO), Y ADEMAS LOS ELEMENTOS SIGUIENTES: UN MEDIO (T1) PARA INTERRUMPIR EL CONSUMO DE CORRIENTE DEL REGULADOR CUANDO EL FUNCIONAMIENTO DE LA BOMBA DE CARGA ES INTERRUMPIDO; Y UN CIRCUITO DE CONTROL (CTRL) PARA VIGILAR EN TAL CASO LA TENSION VPP Y VERIFICAR QUE NO DESCIENDA MAS DE UN PEQUEÑO VALOR DV POR DEBAJO DE VPPO. ESTE CIRCUITO VUELVE A PONER EN MARCHA A LA VEZ LA BOMBA DE CARGA Y LA ALIMENTACION DE CORRIENTE DEL REGULADOR. SE PUEDE ASI REDUCIR CONSIDERABLEMENTE EL CONSUMO DE CORRIENTE DEL CIRCUITO DE PRODUCCION DE VPP.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: GEMPLUS CARD INTERNATIONAL.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: AVENUE DU PIC DE BERTAGNE, PARC D'ACTIVITES DE LA PLAINE DE JOUQUES,F-13420 GEMENOS.
Inventor/es: KOWALSKI, JACEK.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 31 de Agosto de 1992.
Fecha Concesión Europea: 3 de Mayo de 1995.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C16/06 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria.
- G11C5/14 G11C […] › G11C 5/00 Detalles de memorias cubiertos por el grupo G11C 11/00. › Disposiciones para la alimentación.
Países PCT: Alemania, España, Reino Unido, Italia, Oficina Europea de Patentes, Japón, Estados Unidos de América.
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