CIRCUITO PARA GENERAR TENSIONES NEGATIVAS.

LA INVENCION SE REFIERE A UN CIRCUITO PARA GENERAR TENSIONES NEGATIVAS,

QUE COMPRENDE UN PRIMER TRANSISTOR (TX2), CUYO PRIMER TERMINAL ESTA CONECTADO A UN TERMINAL DE ENTRADA (E), Y CUYO SEGUNDO TERMINAL VA CONECTADO A UN TERMINAL DE SALIDA (A) DEL CIRCUITO, Y CUYO TERMINAL DE PUERTA VA CONECTADO A UN PRIMER TERMINAL DE IMPULSO DE RELOJ, A TRAVES DE UN PRIMER CONDENSADOR (CB2). EL CIRCUITO COMPRENDE ADEMAS UN SEGUNDO TRANSISTOR (TY2), CUYO PRIMER TERMINAL VA CONECTADO AL TERMINAL DE PUERTA DEL PRIMER TRANSISTOR (TX2), CUYO SEGUNDO TERMINAL SE ENCUENTRA CONECTADO AL SEGUNDO TERMINAL DEL PRIMER TRANSISTOR (TX2), Y CUYO TERMINAL DE PUERTA ESTA CONECTADO AL PRIMER TERMINAL DEL PRIMER TRANSISTOR (TX2). ADEMAS, EL CIRCUITO COMPRENDE UN SEGUNDO CONDENSADOR (CP2), CUYO PRIMER TERMINAL VA CONECTADO AL SEGUNDO TERMINAL DEL PRIMER TRANSISTOR (TX2), Y CUYO SEGUNDO TERMINAL VA CONECTADO A UN SEGUNDO TERMINAL DE IMPULSO DE RELOJ. LOS TRANSISTORES (TX2, TY2) SON TRANSISTORES MOS CONFIGURADOS EN UNA ESTRUCTURA DE TRIPLE CAVIDAD. EL PRIMER TERMINAL DE UN TERCER TRANSISTOR (TZ2) SE CONECTA AL SEGUNDO TERMINAL DEL PRIMER TRANSISTOR (TX2), EL SEGUNDO TERMINAL DE DICHO TERCER TRANSISTOR (TZ2) ESTA CONECTADO AL ESPACIO O ESPACIOS HUECOS (KW) QUE ALOJAN LOS TRANSISTORES (TX2, TY2, TZ2), Y EL TERMINAL DE PUERTA DEL TERCER TRANSISTOR (TZ2) SE ENCUENTRA CONECTADO AL PRIMER TERMINAL DEL PRIMER TRANSISTOR (TX2).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.

Inventor/es: BLOCH, MARTIN, LAUTERBACH, CHRISTL.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 23 de Septiembre de 1997.

Fecha Concesión Europea: 16 de Agosto de 2001.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C16/06 SECCION G — FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria (en general G11C 7/00).
  • G11C5/14 G11C […] › G11C 5/00 Detalles de memorias cubiertos por el grupo G11C 11/00. › Disposiciones para la alimentación (circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores, G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193; en general G05F, H02J, H02M).
  • H02M3/07 SECCION H — ELECTRICIDAD.H02 PRODUCCION, CONVERSION O DISTRIBUCION DE LA ENERGIA ELECTRICA.H02M APARATOS PARA LA TRANSFORMACION DE CORRIENTE ALTERNA EN CORRIENTE ALTERNA, DE CORRIENTE ALTERNA EN CORRIENTE CONTINUA O DE CORRIENTE CONTINUA EN CORRIENTE CONTINUA Y UTILIZADOS CON LAS REDES DE DISTRIBUCION DE ENERGIA O SISTEMAS DE ALIMENTACION SIMILARES; TRANSFORMACION DE UNA POTENCIA DE ENTRADA EN CORRIENTE CONTINUA O ALTERNA EN UNA POTENCIA DE SALIDA DE CHOQUE; SU CONTROL O REGULACION (transformación de la corriente o de la tensión especialmente adaptada para su uso en los relojes electrónicos sin partes móviles G04G 19/02; sistemas de regulacion de variables eléctricas o magnéticas en general, p. ej. utilizando transformadores, reactancias o bobinas de choque, combinacion de tales sistemas con convertidores estáticos G05F; para computadores digitales G06F 1/00; transformadores H01F; conexión o control de un convertidor teniendo en cuenta su unión funcional con una fuente similar u otra fuente de alimentación H02J; convertidores dinamoeléctricos H02K 47/00; control de los transformadores, reactancias o bobinas de choque, control o regulación de motores, generadores eléctricos o convertidores dinamoeléctricos H02P; generadores de impulsos H03K). › H02M 3/00 Transformación de una potencia de entrada en corriente continua en una potencia de salida en corriente continua. › utilizando condensadores cargados y descargados alternativamente por dispositivos semiconductores con electrodo de control.

Países PCT: Austria, Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Oficina Europea de Patentes.

CIRCUITO PARA GENERAR TENSIONES NEGATIVAS.

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