TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO.
SE DESCRIBE UN DISPOSITIVO DE EFECTO DE CAMPO DE UN TRANSISTOR GEOMETRICO Y METODO DE FABRICACION.
EL FET PUEDE SER OPERADO DESDE UN POTENCIAL DE POLARIZACION QUE FORMA UN CAMPO ELECTRICO ENTRE EL DISPOSITIVO EXCEDIENDO UNA PREDETERMINADA INTENSIDAD DE CAMPO. EL APARATO COMPRENDE UNA PORCION DE SUBSTRATO SEMICONDUCTOR DE UN PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD, QUE TIENE UNA SUPERFICIE PRINCIPAL Y UNA REGION DE UN SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD ADYACENTE A LA SUPERFICIE PRINCIPAL Y ADAPTADO PARA RECIBIR EL PREDETERMINADO POTENCIAL DE POLARIZACION, LA REGION INCLUYE UNA SUBREGION DE IGUAL TIPO DE CONDUCTIVIDAD Y MENOR CONDUCTIVIDAD, LA SUBREGION ESTA SITUADA ENTRE LA REGION PARA RECIBIR AL MENOS ESA PORCION DEL CAMPO ELECTRICO DIPLO INCLUYENDO Y EXCEDIENDO EL VALOR PREDETERMINADO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ADVANCED MICRO DEVICES INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 901 THOMPSON PLACE P.O. BOX 3453, SUNNYVALE, CA 94088.
Inventor/es: LIU, YOW-JUANG, CAGNINA, SALVATORE.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 15 de Julio de 1992.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/08 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que transporta la corriente a rectificar, a amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
- H01L29/78 H01L 29/00 […] › estando producido el efecto de campo por una puerta aislada.
Patentes similares o relacionadas:
Dispositivo semiconductor con estructura de terminación mejorada para aplicaciones de alto voltaje y su procedimiento de fabricación, del 3 de Junio de 2020, de Vishay General Semiconductor LLC: Un dispositivo semiconductor que comprende una estructura de terminación, con dicho dispositivo semiconductor que comprende: - un sustrato semiconductor que […]
Semiconductor de potencia no uniforme y método de fabricación, del 7 de Mayo de 2019, de IXYS CORPORATION: Un dispositivo semiconductor transistor bipolar de puerta aislada comprendiendo: una pastilla semiconductora con un área activa comprendiendo un conjunto de celdas […]
Dispositivo semiconductor de puerta aislada de potencia de conmutación rápida, del 27 de Abril de 2016, de AMBIXTRA (PTY) LTD: Un dispositivo de puerta aislada que comprende una fuente conectada a un terminal de fuente de una puerta conectado a un terminal de puerta […]
ESTRUCTURA PARA AUMENTAR LA TENSION MAXIMA DE TRANSISTORES DE POTENCIA DE CARBURO DE SILICIO., del 16 de Julio de 2005, de COOPER, JAMES, ALBERT, JR. TAN, JIAN: SE PRESENTA UN TRANSISTOR DE POTENCIA DE COMPUERTA AISLADA DE CARBURO DE SILICIO QUE PRESENTA UNA TENSION MAXIMA MAYOR. EL TRANSISTOR INCLUYE UN […]
CELULA DE MEMORIA EEPROM FLASH DE PUERTA DIVIDIDA DE DOBLE BIT (DSG) AUTOALINEADA., del 16 de Enero de 2004, de HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD.: UNA ESTRUCTURA DE CELULA EEPROM INCLUYE DOS TRANSISTORES DE PUERTA FLOTANTE SEPARADOS POR UN TRANSISTOR SELECTOR DE PUERTA SIENDO COMPARTIDO EL […]
FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR., del 16 de Agosto de 2002, de TOTEM SEMICONDUCTOR LTD: UN METODO PARA FORMAR UN FOSO DOPADO COMO PARTE DE LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TAL COMO UN DISPOSITIVO DE POTENCIA CON PUERTA DE FOSO, TRANSISTOR […]
PROCEDIMIENTO DE UTILIZACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE UN SUSTRATO QUE TIENE UN ISLOTE SEMICONDUCTOR DIELECTRICAMENTE AISLADO., del 16 de Febrero de 2001, de HARRIS CORPORATION: LA ZONA DE OCUPACION Y EL GROSOR DE ESTRUCTURAS DE TRANSISTOR EN ISLOTES AISLADOS DIELECTRICAMENTE, QUE EMPLEAN UN SUBCOLECTOR ENTERRADO PARA […]
ELECTRODO PARA DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y METODO PARA LA PRODUCCION DEL MISMO., del 16 de Octubre de 1997, de CANON KABUSHIKI KAISHA: SE PRESENTA UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON ELEMENTOS FUNCIONALES MUY PEQUEÑOS, QUE SE PUEDE CONSTRUIR UTILIZANDO LOS COMPONENTES MINIMOS NECESARIOS […]