DISPOSITIVOS CON IMPLANTACIONES EN EL CANAL DEL LADO DEL DRENADOR.
SE PREVE UN DISPOSITIVO MOS QUE TIENE UN IMPLANTE LATERAL DE FUENTE O DE DRENAJE (42) DENTRO DE LA REGION DE CANAL CON EL FIN DE MINIMIZAR LOS EFECTOS DE CANAL CORTOS.
LOS IMPLANTES DENTRO DE LA REGION DE CANAL SE REALIZA USANDO TECNICAS CONVENCIONALES DE TRATAMIENTO, DONDE EL IMPLANTE DE CANAL SE DIRIGE SUSTANCIALMENTE PERPENDICULAR A LA SUPERFICIE SUPERIOR DEL SUSTRATO. NO SE REQUIEREN NUMEROSOS PASOS DE ENMASCARAMIENTO Y DE REORIENTACION DEL SUSTRATO. ADICIONALMENTE, LA MASCARA DE IMPLANTE LATERAL DE FUENTE O DE DRENAJE PUEDE FORMARSE A PARTIR DE MASCARAS YA EXISTENTES E INCORPORARSE DENTRO DE UN FLUJO DE TRATAMIENTO ESTANDAR PARA BIEN UN DISPOSITIVO MOS ESTANDAR O UNA RED DE MEMORIA QUE COMPRENDE UNA POLISILICIO DE DOBLE NIVEL. SI SE ELIGE EL IMPLANTE LATERAL DE DRENAJE, ENTONCES LA LINEA DE DEMARCACIOON LATERAL (56) ENTRE EL IMPLANTE DE DRENAJE Y EL SUSTRATO SE COLOCA PREFERENTEMENTE DENTRO DE LA REGION DE CANALES, Y PREFERENTEMENTE CERCA DE UN PUNTO MEDIO DENTRO DEL CANALO UNA DISTANCIA SEPARADA POR DEBAJO DE UN POLISILIO SOBRELAPADO COLOCADO A CONTINUACION (55).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ADVANCED MICRO DEVICES INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: ONE AMD PLACE, P.O. BOX 3453,SUNNYVALE, CALIFORNIA 94088-34.
Inventor/es: RICHART, ROBERT B., GARG, SHYAM G., MOORE, BRADLEY T. JR.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 12 de Mayo de 1999.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/336 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › con puerta aislada.
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