DISPOSITIVOS CON IMPLANTACIONES EN EL CANAL DEL LADO DEL DRENADOR.

SE PREVE UN DISPOSITIVO MOS QUE TIENE UN IMPLANTE LATERAL DE FUENTE O DE DRENAJE (42) DENTRO DE LA REGION DE CANAL CON EL FIN DE MINIMIZAR LOS EFECTOS DE CANAL CORTOS.

LOS IMPLANTES DENTRO DE LA REGION DE CANAL SE REALIZA USANDO TECNICAS CONVENCIONALES DE TRATAMIENTO, DONDE EL IMPLANTE DE CANAL SE DIRIGE SUSTANCIALMENTE PERPENDICULAR A LA SUPERFICIE SUPERIOR DEL SUSTRATO. NO SE REQUIEREN NUMEROSOS PASOS DE ENMASCARAMIENTO Y DE REORIENTACION DEL SUSTRATO. ADICIONALMENTE, LA MASCARA DE IMPLANTE LATERAL DE FUENTE O DE DRENAJE PUEDE FORMARSE A PARTIR DE MASCARAS YA EXISTENTES E INCORPORARSE DENTRO DE UN FLUJO DE TRATAMIENTO ESTANDAR PARA BIEN UN DISPOSITIVO MOS ESTANDAR O UNA RED DE MEMORIA QUE COMPRENDE UNA POLISILICIO DE DOBLE NIVEL. SI SE ELIGE EL IMPLANTE LATERAL DE DRENAJE, ENTONCES LA LINEA DE DEMARCACIOON LATERAL (56) ENTRE EL IMPLANTE DE DRENAJE Y EL SUSTRATO SE COLOCA PREFERENTEMENTE DENTRO DE LA REGION DE CANALES, Y PREFERENTEMENTE CERCA DE UN PUNTO MEDIO DENTRO DEL CANALO UNA DISTANCIA SEPARADA POR DEBAJO DE UN POLISILIO SOBRELAPADO COLOCADO A CONTINUACION (55).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: ADVANCED MICRO DEVICES INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: ONE AMD PLACE, P.O. BOX 3453,SUNNYVALE, CALIFORNIA 94088-34.

Inventor/es: RICHART, ROBERT B., GARG, SHYAM G., MOORE, BRADLEY T. JR.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 12 de Mayo de 1999.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/336 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › con puerta aislada.

Patentes similares o relacionadas:

Memoria dinámica basada en un almacenamiento de un solo electrón, del 3 de Diciembre de 2014, de Conversant Intellectual Property Management Inc: Celda de memoria, que comprende:~ una región de canal situada entre una región de fuente y una región de drenaje , estando formadas dicha […]

Método de fabricación de un dispositivo de memoria de un solo electrón utilizando una máscara submicrónica, del 12 de Noviembre de 2014, de Conversant Intellectual Property Management Inc: Método de fabricación de un dispositivo de memoria de almacenamiento de carga, que comprende: formar una máscara submicrónica mediante las etapas […]

FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR., del 16 de Agosto de 2002, de TOTEM SEMICONDUCTOR LTD: UN METODO PARA FORMAR UN FOSO DOPADO COMO PARTE DE LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TAL COMO UN DISPOSITIVO DE POTENCIA CON PUERTA DE FOSO, TRANSISTOR […]

METODO DE FABRICACION DE EFECTO DE CAMPO DE UN TRANSISTOR PARA CIRCUITOS INTEGRADOS., del 16 de Abril de 1999, de AT&T CORP.: SE REVELA UN METODO DE FORMACION DE UN TRANSISTOR. LAS TECNICAS DE FABRICACION CONVENCIONAL DIRIGEN UN RAYO ION DE IMPRESION HACIA UN SUSTRATO […]

PROCESO PARA LA PRODUCCION DE UNA VENTANA DE CONTACTO AUTOALINEADA EN CIRCUITOS DE CONTACTO., del 16 de Enero de 1999, de AT&T CORP.: UN CONTACTO AUTOALINEADO AL SUSTRATO (EJ. 1) QUE SE ENCUENTRA EN LA REGION QUE HAY ENTRE DOS ELECTRODOS DE COMPUERTA (EJ. 3) SE FORMA A BASE DE DEPOSITAR UNA CAPA […]

CONTACTO DE PUERTA DE POLISILICIO AUTO-ALINEADO., del 1 de Octubre de 1998, de AT&T CORP.: SE ABRE UN CONTACTO DE PUERTA (EJ. 19) RESPECTO A UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SOBRE LA FUENTE/ZONA DE DRENAJE (EJ. 21) FORMANDO CLAVIJAS DE […]

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS QUE USAN TECNOLOGIA DE SEPARADOR LATERAL., del 16 de Mayo de 1997, de AT&T CORP.: DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS QUE USAN TECNOLOGIA DE SEPARADOR LATERAL. LA PLACA BASE DE SEPARADORES DE ALTA CALIDAD, TALES […]

MÉTODO PARA LA FABRICACIÓN DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE ENERGÍA, del 15 de Septiembre de 2011, de ABB TECHNOLOGY AG: Método para la fabricación de un dispositivo semiconductor de energía, que comprende las siguientes etapas de fabricación: Se produce una […]

Otras patentes de ADVANCED MICRO DEVICES INC.