ELEMENTO DE NAVE INTEGRABABLE.
EL ELEMENTO DE NAVE CONSTA DE UN SUSTRATO (6) DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA (5),
DE UNA CAPA DE SUPERFICIE SUPERIOR (22), DE UNA CAPA AISLANTE (19) DE DIFUSORES DE CONTACTO (7 A 12), ANILLOS DE AISLAMIENTO (16; 17, 17; 18) QUE CONSTAN TODOS DE MATERIAL SEMICONDUCTOR P O N. EL ELEMENTO DE NAVE QUE COMPRENDE DOS CIERRES SENSORES (..., S2) SE DIVIDE MEDIANTE UNA SUPERFICIE DE CORTE EN DISPOSICIONES (2, 3) QUE ESTAN COLOCADAS EN LA CAPA SEMICONDUCTORA DE FORMA MOVIL O NO MOVIL ALTERNATIVAMENTE INVERTIDAS. ENTRE AL MENOS DOS PUNTOS DE LA SUPERFICIE SUPERIOR E INFERIOR DE LAS DISPOSICIONES (2, 3) Y UN PUNTO EQUIPOTENCIAL DE UNA DISPOSICION VECINA HAY CONEXIONES ELECTRICAS (A2, B2, C2, D2), CON LO QUE EL PUNTO DE LAS SUPERFICIES EXTERIORES DE AMBAS DISPOSICIONES EXTERIORES (2, 3) SE CONECTA CON UNA TOMA SUBTERRANEA (C1, C2) DEL ELEMENTO DE NAVE MEDIANTE CONEXIONES (A1; B1; C1; D1; 20 O A3; B3; C3; D3, 21). ESTAS CONEXIONES Y LOS DIFUSORES DE CONTACTO (7 A 12) CONSTAN DE MATERIAL N+. ESTA CONSTRUCCION DEL ELEMENTO DE NAVE PERMITE LA REALIZACION DE ELEMENTOS DE NAVE MUY GRANDES, QUE POR EJEMPLO SE APLICAN EN CONTADORES DE ELECTRICIDAD PARA MEDICION DE UN CAMPO MAGNETICO (H) ORIGINADO POR UNA CORRIENTE ELECTRICA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: LANDIS & GYR BETRIEBS AG.
Nacionalidad solicitante: Suiza.
Dirección: , CH-6301 ZUG.
Inventor/es: POPOVIC, RADIVOJE, KRAUSE, AXEL.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 2 de Enero de 1991.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L27/22 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con componentes que utilizan los efectos galvanomagnéticos, p. ej. efecto Hall; que utilizan los efectos de campos magnéticos análogos.
- H01L43/06 H01L […] › H01L 43/00 Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Dispositivos con efecto Hall.
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