MATERIALES DE SUPERALEACIONES MONOCRISTALINAS.

ARTPICULOS MONOCRISTALINOS DE SUPERALEACIONES A BASE DE NIQUEL,

PREFERIBLEMENTE BALAS Y ALABES DE TURBINAS DE GAS PARA AVIONES, Y UN PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE LOS MISMOS, EN EL QUE SE ACRECIENTA LA ESTABILIDAD DE LAS FASES DESPUES DE UNA EXPOSICION PROLONGADA A TEMPERATURAS ELEVADAS, REGULANDO EL CONTENIDO DE ELEMENTOS FUERTEMENTE REFRECTARIOS Y DE ELEMENTOS FORMADORES DE LA FASE GAMMA-PRIMA. EL INTERVALO DE COMPOSICION NOMINAL DE LA ALEACION, EN PORCENTAJE EN PESO, ES DE 4 A 6% DE CROMO, DE 8 A 12% DE COBALTO, DE 1 A 2,5% DE MOLIBDENO, DE 3 A 6% DE VOLFRAMIO, DE 1,8 A 3,2% DE RENIO, DE 0 A 2,5% DE RUTENIO, DE 5 A 6% DE ALUMINIO, DE 0,5 A 1,5% DE TITANIO, DE 7 A 10% DE TANTALIO, DE 0,08 A 0,12% DE HAFNIO, Y EL RESTO DE NIQUEL. LA SUMA DE LOS ELEMENTOS FUERTEMENTE REFRACTARIOS, MOLIBDENO Y VOLFRAMIO Y RENIO, ES DE 8,4 A 10,4%, Y LA SUMA DE LOS ELEMENTOS FORMADORES DE LA FASE GAMMA PRIMA, ALUMINIO MAS TITANIO MAS TANTALIO, ES DE 13,8 A 15,7%.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: ALLIED-SIGNAL INC. (A DELAWARE CORPORATION).

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: COLUMBIA ROAD AND PARK AVENUE P.O. BOX 2245R, MORRISTOWN NEW JERSEY 07960.

Inventor/es: NGUYEN-DINH, XUAN.

Fecha de Publicación: 1 de Julio de 1991.

Fecha Concesión Europea: 23 de Enero de 1991.

Clasificación Internacional de Patentes:

C30B11/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).
C30B29/52 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Aleaciones.

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