PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA FABRICACION DE LAMINAS SEMI-CONDUCTORAS.

CONSISTE EN APLICAR EL SEMICONDUCTOR LIQUIDO CON AYUDA DE UN CUERPO MOLDEADOR SOBRE LA BASE HORIZONTAL QUE SE MUEVE DIRIGIDA EN PARALELO RESPECTO A LA BASE, DONDE EL CUERPO MOLDEADOR SE PUEDE MOVER EN SENTIDO VERTICAL A UNA VELOCIDAD DESDE 1 HASTA 20 M/MIN, PUDIENDOSE REGULAR TANTO LA TEMPERATURA DEL CUERPO MOLDEADOR COMO LA DE LA BASE Y ESTANDO ESTA INCLINADA HASTA G30J CON RESPECTO A LA HORIZONTAL. EL DISPOSITIVO COMPRENDE UN CUERPO MOLDEADOR (11) SUJETO A UN BASTIDOR (14) QUE SE LLENA CON FUSION DEL SEMICONDUCTOR (13) A TRAVES DE UN EMBUDO (25), DONDE SU LIBERTAD DE MOVIMIENTO HACIA ABAJO ESTA LIMITADA POR EL SUSTRATO (12), DONDE EL CUERPO CONFORMADO (11) FLOTA SOBRE UNA PELICULA DE LIQUIDO (20) POR ENCIMA DE UNA CUÑA DE CRECIMIENTO (18).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: BAYER AKTIENGESELLSCHAFT.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: LEVERKUSEN-BAYERWERK , REPUBLICA FEDERAL ALEMANA.

Fecha de Solicitud: 22 de Mayo de 1985.

Fecha de Publicación: 16 de Enero de 1986.

Fecha de Concesión: 28 de Octubre de 1985.

Clasificación Internacional de Patentes:

C30B15/34 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00). › Crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie utilizando matrices de formación o grietas de conducción.

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