PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UNA CAPA PLANA QUE CONTIENE AL SOBRE UN SUBSTRATO CON ESTRUCTURA PERFORADA EN SU SUPERFICIE.

UNA CAPA (4) QUE CONTIENE AL SE SEPARA SOBRE UN SUBSTRATO (1) CON ESTRUCTURA (2) PERFORADA EN LA SUPERFICIE EN UN PROCEDIMIENTO APRESURADO,

CON LO QUE EL SUBSTRATO (1) MANTENIDO A TEMPERATURA ELEVADA ES SOMETIDO A PROCESO DE REALIZACION EN VACIO. EL PROCEDIMIENTO ES ESPECIALMENTE APROPIADO PARA LA FABRICACION DE CONTACTOS PARA CONDENSADORES, QUE SON REALIZADOS EN UN SUBSTRATO DE SILICIO, CUYA SUPERFICIE SE SOMETE A UN ATAQUE ELECTROQUIMICO ANODICO EN UN ELECTROLITO ACIDO QUE CONTIENE FLUOR DONDE LA SUPERFICIE ES AGRANDADA Y DONDE SOBRE ESTA SUPERFICIE AGRANDADA SE HA APLICADO UNA CAPA DIELECTRICA Y UNA CAPA DOTADA DE POLISILICIO COMO CONTRAELECTRODO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.

Inventor/es: WILLER, JOSEF, LEHMANN, VOLKER, WENDT, HERMANN, DR.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 8 de Abril de 1998.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/285 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
  • H01L21/3205 H01L 21/00 […] › Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).

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