PERFECCIONAMIENTOS EN CELULAS DE MEMORIAS DE CIRCUITO INTEGRADO.
La presenta invención consigue una reducción de área debido a la alimentación de la línea de datos a nivel del substrato.
Esta línea de datos se forma en una segunda capa de polisilicio se pone en contacto con el área del substrato formada durante el dotado o adulteración del drenador y la fuente para hacer una conexión eléctrica al terminal (fuente o drenador) de un transistor de la célula de la memoria. La puerta del transistor de la célula de la memoria se forma también en la segunda capa de po9lisilicio y se concreta a una linea de palabras. El electrodo inferior del capacitador se forma dopando el substrato y se conecta al transistor de la célula de la memoria. El electrodo y se conecta al transistor de la célula de la memoria. El electrodo superior del capacitor se forma en la primera capa de polisilicio. Este primer electrodo de polisilicio es común a todos los capacitores en la formación de células de la memoria. El aislamiento entre las células se consigue mediante el empleo de un óxido de campo grueso.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: MOSTEK CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 1215 WEST CROSBY ROAD, CARROLLTON, TEXAS 75006.
Fecha de Solicitud: 16 de Enero de 1980.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 16 de Septiembre de 1980.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/40 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan transistores.
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