PERFECCIONAMIENTOS EN MEMORIAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
CIRCUITO PARA CELULA DE MEMORIA DISPUESTA EN CIRCUITO INTEGRADO.
UNA CELULA (10) DISPONE DE DOS LINEAS DE ENTRADA DE DATOS COMPLEMENTARIOS (D, D); DOS RESISTENCIAS (R1, R2) CONECTAN UNA FUENTE DE CORRIENTE A LOS NODOS DE DATOS INTERNOS (1, 2) DESDE LAS LINEAS DE DATOS (D, D), MANTENIDAS EN ESTADO ALTO CON TENSION PROXIMA A LA DE ALIMENTACION. DENTRO DE LA CELULA (10) SE DISPONEN DOS TRANSISTORES DE ALMACENAMIENTO DE DATOS (Q1, Q2) DEL TIPO EFECTO CAMPO, Y DOS TRANSISTORES ACTIVADORES (Q3, Q4) DEL MISMO TIPO, QUE VAN CONECTADOS A LA LINEA DE DIRECCION O LOCALIZACION (RA). DURANTE EL FUNCIONAMIENTO DE LA CELULA, LA LINEA DE DIRECCION (RA) ESTA EN ESTADO BAJO, Y POR TANTO, LOS TRANSISTORES ACTIVADORES (Q3, Q4) SE DESCONECTAN. ESTO HACE QUE LAS LINEAS DE DATOS (D, D) TENGAN LA TENSION DE ALIMENTACION EN SU TOTALIDAD.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: MOSTEK CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 1215 WEST CROSBY ROAD, CARROLLTON, TEXAS 75006.
Fecha de Solicitud: 23 de Enero de 1980.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 16 de Febrero de 1981.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/40 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan transistores.
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