DISPOSITIVO DE EMISION DE LUZ ELECTROLUMINISCENTE.

Dispositivo de emisión de luz electroluminiscente, particularmente para su utilización como fuente de luz blanca, que contiene: - un sustrato

(4) transparente, formado como vidrio dispersor, - al menos una primera capa de electrodo (7) transparente aplicada sobre el sustrato (4), - el número de capas de emisor de luz (1, 2, 3) electroluminiscentes , las cuales están dispuestas lateralmente una junto a otra sobre la primera capa de electrodo (7) y a partir de cuya radiación de emisión se puede generar luz blanca mediante una mezcla de colores aditiva, y - al menos una segunda capa de electrodo (5), la cual está aplicada sobre las capas de emisor de luz (1, 2, 3), caracterizado porque, - la extensión lateral y/o la distancia lateral de las capas de emisor de luz (1, 2, 3) miden al menos 100 ìm, - el vidrio dispersor es un vidrio opalescente o un sustrato de material sintético con unos centros dispersores empotrados y su espesor es mayor que la longitud de dispersión media de los haces de radiación que hay que mezclar de las capas de emisor de luz (1, 2, 3) y al menos es tan grande como la distancia de las capas de emisor de luz (1, 2, 3), de manera que - los haces de radiación emitidos por las capas de emisor de luz (1, 2, 3) se superponen, al menos parcialmente, sobre la superficie del lado de salida de la luz del sustrato (4).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: NOVALED GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: ZELLESCHER WEG 17,01069 DRESDEN.

Inventor/es: LEO, KARL.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 13 de Septiembre de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L51/20
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > H01L33/00 (Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00))

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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