BLOQUE DE MATRIZ CON PROYECCIONES DE POLIMERO.
LA NUEVA ESTRUCTURA COMPRENDE: UN SUBSTRATO (S) TRIDIMENSIONAL MOLDEADO DE INYECCION ELABORADO A PARTIR DE UN POLIMERO AISLADO ELECTRICAMENTE;
TACOS (PS) DE POLIMEROS CONFIGURADOS EN DOS DIMENSIONES, FORMADOS DURANTE EL PROCESO DE MOLDEO DE INYECCION SOBRE LA CARA INFERIOR DE SUBSTRATO (S); CONEXIONES (AA) EXTERNAS FORMADAS SOBRE LOS TACOS (PS) DE POLIMERO MEDIANTE SUPERFICIES EXTREMAS SOLDABLES; VIAS (LZ) DE CONDUCCION AL MENOS SOBRE EL LADO INFERIOR DEL SUBSTRATO (S) PARA CONECTAR LAS CONEXIONES (AA) EXTERNAS A CONEXIONES (IA1) INTERIORES; Y AL MENOS UN CHIP (C1) MONTADO SOBRE EL SUBSTRATO (S) CON CONEXIONES (CA1) QUE ESTAN ENLAZADAS DE FORMA ELECTROCONDUCTIVA A LAS CONEXIONES INTERIORES. LA NUEVA ESTRUCTURA, QUE ES ADECUADA PARA MODULOS SIMPLES, DE POCOS O DE MUCHOS CHIPS, COMBINA LAS VENTAJAS DE UNA BALL GRIP ARRAY CON LA DE TECNOLOGIA MID (MOULDED INTERCONNECTION DEVICES), Y LA ELABORACION Y METALIZACION DE LOS TACOS (PS) DE POLIMERO PUEDEN SER REALIZADAS DENTRO DE LA ESTRUCTURA EN LAS ETAPAS DEL PROCESO NECESARIAS PARA LA TECNOLOGIA MID Y A UN COSTE ADICIONAL MINIMO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIEMENS N.V.
INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELEKTRONICA CENTRUM VZW.
Nacionalidad solicitante: Bélgica.
Dirección: CHARLEROISESTEENWEG 116, 1060 BRUXELLES.
Inventor/es: HEERMAN, MARCEL, ROGGEN, JEAN, BEYNE, ERIC, VAN HOOF, RITA, WILLE, JOOST, VAN PUYMBROECK, JOZEF.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 22 de Septiembre de 1995.
Fecha Concesión Europea: 28 de Junio de 2000.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L23/13 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › caracterizados por su forma.
- H01L23/498 H01L 23/00 […] › Conexiones eléctricas sobre sustratos aislantes.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Suecia, Portugal, Irlanda, Oficina Europea de Patentes.
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