Dispositivo fotovoltaico.
Un material semiconductor que comprende:
una capa de material semiconductor del Grupo IV (1,
4,7,10), no siendo el material silicio,
una capa de material semiconductor del Grupo III-V (3,9) formado por al menos un tipo de átomos del Grupo III y al menos un tipo de átomos del Grupo V, y que tiene una interfaz (8) con la capa semiconductora del Grupo IV, estando la capa de material semiconductor del grupo IV con coincidencia reticular con la capa de material semiconductor del Grupo III-V;
una capa de silicio (6) en la interfaz entre la capa semiconductora III-V y la capa semiconductora del Grupo IV, o bien en la capa semiconductora del Grupo IV o en la capa semiconductora III-V, espaciada de la interfaz para controlar la difusión de los átomos del Grupo V en la capa semiconductora del Grupo IV,
una región dopada (4) del Grupo V de tipo n en la capa semiconductora del Grupo IV que tiene un borde con la interfaz y que está dopada por átomos del Grupo V que se han difundido desde la capa de material semiconductor del Grupo III-V a través de la capa de silicio.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/GB2012/051982.
Solicitante: IQE Plc.
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: Pascal Close St Mellons Cardiff CF3 0LW REINO UNIDO.
Inventor/es: JOHNSON, ANDREW, NELSON, ANDREW WILLIAM, HARPER,ROBERT CAMERON.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/861 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Diodos.
- H01L29/88 H01L 29/00 […] › Diodos de efecto túnel.
- H01L31/028 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente elementos del Grupo IV de la clasificación periódica.
- H01L31/0328 H01L 31/00 […] › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, materiales semiconductores cubiertos por varios de los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/032.
- H01L31/0725 H01L 31/00 […] › Células solares de unión múltiple o tandem.
PDF original: ES-2813938_T3.pdf
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