Componente semiconductor optoelectrónico.

Componente semiconductor optoelectronico (1) basado en silicio,

con

- un lado anterior (10),

- un primer diodo (2) y un segundo diodo (4) que estan conectados aguas abajo uno de otro, en direccion alejandose del lado anterior (10), y en serie de forma electrica, de manera que el primer diodo (2) se encuentra mas cerca del lado anterior (10) que el segundo diodo (4), y

- un contacto de tunel electrico (3) entre el primer y el segundo diodo (2, 4), donde el segundo diodo (4) comprende una capa de diodos (41) de SinGe1-n, en donde 0 ≤ n ≤ 1,

caracterizado porque

el primer diodo (2) comprende una primera capa parcial (21) de SiGeC, una segunda capa parcial (22) de Si- Ge y una tercera capa parcial (23) de SiGeC, y las capas parciales (21, 22, 23), en correspondencia con su numeracion, se suceden de forma directa, alejandose del lado anterior (10), de manera que la primera y la tercera capa parcial (21, 23) son de (SiyGe1-y)1-xCx, en donde 0,05 ≤ x ≤ 0,5 o 0,25 ≤ x ≤ 0,75, y en donde 0 ≤ y ≤ 1, y la segunda capa parcial (22) es de SizGe1-z, en donde 0 ≤ z ≤ 1.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E17185538.

Solicitante: AE 111 Autarke Energie GmbH.

Nacionalidad solicitante: Austria.

Dirección: St. Veiter Str. 5 9556 Liebenfels AUSTRIA.

Inventor/es: SCHÜPPEN,ANDREAS PAUL.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/0725 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Células solares a unión múltiple o tandem.
  • H01L31/0745 H01L 31/00 […] › comprendiendo una heterounión A IV B IV , p.ej. células solares Si/Ge, SiGe/Si o Si/SiC.

PDF original: ES-2819849_T3.pdf

 

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