Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor [3]

Subir.

CIP: C30B25/00, Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor [3]

Entorno:
  • Crecimiento de monocristales a partir de vapores [3]

Subcategorías:

Inventos patentados en esta categoría

  1. 1.-

    Un método para la preparación de silicio policristalino que usa un reactor de lecho fluidizado para la preparación de silicio policristalino granular, en el que una salida de gas de reacción de un medio de suministro de gas de reacción, que suministra un gas de reacción que contiene silicio de forma que tiene lugar la deposición de silicio al tiempo que se mantiene fluidizado el lecho de partículas de silicio formado en el interior de un tubo de reactor, está ubicada en el interior del lecho de partículas de silicio y, con un extremo de salida de la salida de gas de...

  2. 2.-

    Microcavidades ópticas y esponjas fotónicas, procedimiento de producción y sus aplicaciones en la fabricación de dispositivos fotónicos. La invención describe una microesfera de silicio con diámetro entre 0.1 y 50 micras capaz de funcionar como una microcavidad óptica con modos resonantes tipo Mie para longitudes de onda comprendidas entre 1 y 15 micras, y una esponja fotónica constituida a partir de ellas. La obtención de la misma se lleva a cabo por un método sencillo basado en la descomposición por calentamiento de los precursores gaseosos. El uso de estas microesferas y esponjas fotónicas reside en la fabricación de dispositivos fotónicos,...

  3. 3.-

    Método de control y potenciación del crecimiento de cristales únicos de SiC de alta calidad en un sistema de crecimiento de cristales de SiC, comprendiendo el método dirigir y mantener un flujo de un gas fuente de carbono y un gas fuente de silicio a un área de reacción mientras se calienta el gas fuente de silicio y el gas fuente de carbono hasta aproximadamente la temperatura de reacción; hacer reaccionar el gas fuente de silicio y el gas fuente de carbono en el área de reacción para formar especies evaporadas...

  4. 4.-

    GEMAS DE DIAMANTE ARTIFICIALES FORMADAS DE NITRURO DE ALUMINIO Y ALEACIONES DE NITRURO DE ALUMINIO:CARBURO DE SILICIO.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es:

    Gema de diamante artificial que comprende un monocristal de AlN o aleación de AlN:SiC, incoloro y sintético que tiene facetas pulidas hasta un grado de alisado característico de las gemas de diamante terminadas y suficiente para permitir la introducción de la luz en la gema para la reflexión interna desde el interior de la gema.

  5. 5.-

    CONJUNTOS DE CRISTALES ORIENTADOS.

    . Solicitante/s: ROBERTS, ELLIS E. Inventor/es:

    SE PRESENTA UN ARTICULO DE FABRICACION QUE COMPRENDE UNOS CRISTALES SENCILLOS SINTETICOS DE TALLA Y FORMA UNIFORME SELECCIONADOS DE ENTRE UN GRUPO QUE CONSISTE EN NITRURO DE BORO CUBICO O DE DIAMANTE Y MANTENIDOS EN UNA FORMACION (FIG. 1, 10, 19, 33) CON UNAS DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS SELECCIONADAS DE LOS CRISTALES ORIENTADAS EN LA MISMA DIRECCION PARA QUE LOS CRISTALES EXHIBAN COMO UN GRUPO UNA DIRECCION CRISTALOGRAFICA COMUN QUE PUEDE SER SELECTIVAMENTE LA DIRECCION MAS DURA O LA QUE ES CASI LA MAS DURA, Y UN METODO DE FABRICACION DE UN ARTICULO. ESTA ORIENTACION SACA PARTIDO DE LAS PROPIEDADES DE DUREZA DE LOS CRISTALES INDIVIDUALES POR MEDIO DE IMPARTIR ESTAS PROPIEDADES AL MONTAJE. DE ESTA FORMA, VARIOS MODELOS DEL ARTICULO SON UTILES COMO UN ABRASIVO, UN PORTADOR, UN FOCO FRIO O UN SEMICONDUCTOR.

  6. 6.-

    PROCEDIMIENTO DE PRODUCCION DE TRIQUITAS O FILAMENTOS FIBROSOS LARGOS DE CARBURO DE SILICIO.

    . Solicitante/s: AEROSPATIALE SOCIETE NATIONALE INDUSTRIELLE VIAM ALL RUSSIAN INSTITUT OF AVIATION MATERIALS. Inventor/es:

    LA PRODUCCION DE TRICHITAS O WHISKERS DE SIC Y DE MATES DE ESTOS SOBRE UN SUSTRATO POR TRATAMIENTO A 1.20 - 1.500 (GRADOS) C, DE UNA MEZCLA GASEOSA QUE COMPRENDE HIDROGENO Y FUENTES DE ATOMOS DE SI Y C QUE ESTAN EN FORMA DE AL MENOS UN COMPUESTO DESPROVISTO DE OXIGENO, EN PRESENCIA DE UN CATALIZADOR D TIPO METAL, POR UN PROCESO SEMICONTINUO O PERIODICO, SE CARACTERIZA EN QUE DURANTE EL PERIODO DE CRECIMIENTO, UN CATALIZADOR AL-FE SE INTRODUCE EN LA FASE GASEOSA EN LA ZONA DE REACCION, MEDIANTE UNA REDUCCION POR EL CARBONO DE CERAMICAS DE TIPO ALUMINOSILICATO QUE COMPRENDEN AL MENOS 73% EN PESO DE AL2O3 Y 0,3 A 3,0% EN PESO DE OXIDOS DE HIERRO Y EL SUSTRATO ES UN TEJIDO DE CARBONO A BASE DE FIBRA DE RAYON CARBONIZADO QUE HA SIDO PRETRATADO, ANTES DE LA CARBONIZACION, POR UNA SOLUCION DE BORAX Y UNA SOLUCION DE FOSFATO DE DIAMONIO HASTA QUE LAS CANTIDADES NO SOBREPASAN 4% Y 2% EN PESO RESPECTIVAMENTE. APLICACION EN LA FABRICACION DE TRICHITAS O WHISKERS LARGOS DE SIC.

  7. 7.-

    LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE TRIQUITAS DE CARBURO DE SILICIO POR REACCION, EN ATMOSFERA NO OXIDANTE A UNA TEMPERATURA AL MENOS IGUAL A 1300 GRADOS C, DE UNA CARGA CONSTITUIDA POR UNA MEZCLA DE NEGRO DE CARBONO Y POR UNA FUENTE DE OXIDO DE SILICIO, PROCEDIMIENTO SEGUN EL CUAL EL NEGRO DE CARBONO TIENE UNA TASA DE OXIDABILIDAD (MEDIDA POR CALENTAMIENTO AL AIRE DURANTE 30 MINUTOS A 600 GRADOS C) AL MENOS IGUAL A 85%, LA FUENTE DE OXIDO DE SILICIO TIENE UNA GRANULOMETRIA INFERIOR A 100 NM Y LA VELOCIDAD DE SUBIDA EN TEMPERATURA ENTRE 1300 Y 1600 GRADOS C ES INFERIOR A 3 GRADOS C -1 POR MINUTO SI SE OPERA EN ATMOSFERA ESTATICA, Y AL MENOS IGUAL A 25 GRADOS C MIN SI SE OPERA BAJO PERCOLACION DE GAS. SE EFECTUA EVENTUALMENTE UN DESCANSO...

  8. 8.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE CUERPOS FILIFORMES (WHISKERS).

    . Solicitante/s: LONZA S.A..

    Resumen no disponible.

  9. 9.-

    PROCEDIMIENTO DE PRODUCCION DE UN REACTOR PARA LA DESCOMPOSICION DE GASES

    . Ver ilustración. Solicitante/s: JOINT SOLAR SILICON GMBH & CO. KG. Inventor/es:

    Procedimiento para la producción de un reactor para la descomposición de un gas que contiene silicio, que comprende los siguientes pasos: a. aprontamiento de un reactor en bruto , configurado fundamentalmente de forma tubular, con una pared interior y una pared exterior , caracterizado por b. aplicación de una capa de separación , que contiene un medio separador pulverulento, al menos a la pared interior del reactor en bruto.

  10. 10.-

    CRECIMIENTO CRISTALINO ASISTIDO POR UNA ARMAZON

    . Ver ilustración. Solicitante/s: LUCENT TECHNOLOGIES INC.. Inventor/es:

    Un método para cultivar un cristal, que comprende: proporcionar una armazón 3D que tiene una colección de estructuras sólidas ; fluir un material de partida líquido alrededor de y entre cada una de las estructuras sólidas individuales de la armazón 3D; y cultivar un monocristal (30'') a través de la colección de estructuras sólidas ajustando una propiedad del material de partida líquido, las estructuras sólidas ayudando al crecimiento del cristal recolectando un subproducto producido durante el crecimiento; y donde el material de partida líquido tiene una composición diferente que el cristal.

  11. 11.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE FILAMENTOS DE CONTACTO O TRIQUITAS DE CARBURO DE SILICIO

    . Solicitante/s: LONZA S.A..

    Resumen no disponible.

  12. 12.-

    UN METODO DE MANUFACTURAR CRISTALES DE CARBURO DE SILICIO EN FILAMENTOS

    . Ver ilustración. Solicitante/s: N. V. PHILPIS'GLOEILAMPENFABRIEKEN.

    Resumen no disponible.

  13. 16.-

    DISPOSITIVO VARIADOR DE PRESIÓN HIDRÁULICA, ESPECIALMENTE PARA MODIFICAR LA PRESIÓN HIDRÁULICA DE ENVÍO TRASMITIDA DESDE EL CILINDRO PRINCIPAL A LOS CILINDROS DE LOS FRENOS DE LAS RUEDAS EN INSTALACIONES DE FRENADO HIDRÁULICO DE VEHÍCULOS

    . Ver ilustración. Solicitante/s: FIAT, S.P.A..

    Resumen no disponible.