PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE TRIQUITAS EN CARBURO DE SILICIO.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE TRIQUITAS DE CARBURO DE SILICIO POR REACCION,
EN ATMOSFERA NO OXIDANTE A UNA TEMPERATURA AL MENOS IGUAL A 1300 GRADOS C, DE UNA CARGA CONSTITUIDA POR UNA MEZCLA DE NEGRO DE CARBONO Y POR UNA FUENTE DE OXIDO DE SILICIO, PROCEDIMIENTO SEGUN EL CUAL EL NEGRO DE CARBONO TIENE UNA TASA DE OXIDABILIDAD (MEDIDA POR CALENTAMIENTO AL AIRE DURANTE 30 MINUTOS A 600 GRADOS C) AL MENOS IGUAL A 85%, LA FUENTE DE OXIDO DE SILICIO TIENE UNA GRANULOMETRIA INFERIOR A 100 NM Y LA VELOCIDAD DE SUBIDA EN TEMPERATURA ENTRE 1300 Y 1600 GRADOS C ES INFERIOR A 3 GRADOS C -1 POR MINUTO SI SE OPERA EN ATMOSFERA ESTATICA, Y AL MENOS IGUAL A 25 GRADOS C MIN SI SE OPERA BAJO PERCOLACION DE GAS. SE EFECTUA EVENTUALMENTE UN DESCANSO DE 5 MIN A 5 H A 1600 GRADOS C. PREFERENTEMENTE SE INTRODUCE EN CARBONO EN LA MEZCLA DE REACCION, EN SOBRESTOQUIOMETRIA CON RELACION A LA SILICE. EL CARBONO EXCEDENTE SE ELIMINA, AL FINAL DE LA REACCION, POR OXIDACION AL AIRE A ALREDEDOR DE 600 GRADOS C.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: PECHINEY ELECTROMETALLURGIE.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: TOUR MANHATTAN LA DEFENSE 2 6 PLACE DE L'IRIS, F-92400 COURBEVOIE.
Inventor/es: DUBOTS, DOMINIQUE, DUBROUS, FRANCIS.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 6 de Mayo de 1992.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B25/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor.
- C30B29/36 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Carburos.
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