DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

SE DESCRIBE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR EN FORMA DE UN TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO AISLANTE METALICO

(MISFET) (200), CONSTRUIDO COMO UNA HETEROESTRUCTURA DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DE APERTURA DE BANDA ESTRECHA IN1-XALXSB.EL MISFET ESTA FORMADO POR CUATRO CAPAS SEMICONDUCTORAS (112 A 118) SITUADAS EN SERIE COMO SIGUE: UNA PRIMERA CAPA TIPO-P FUERTEMENTE BARNIZADA (112), UNA SEGUNDA CAPA TIPO-P DE APERTURA DE BANDA RELATIVAMENTE AMPLIA FUERTEMENTE BARNIZADA (114), UNA TERCERA CAPA TIPO-P LIGERAMENTE BARNIZADA (116), Y UNA CUARTA CAPA TIPO-N FUERTEMENTE BARNIZADA (118).EN LA CUARTA CAPA SE SITUAN UNA FUENTE (202) Y UN CONDUCTO (204); EN LA TERCERA CAPA SE SITUA UNA APERTURA (116/205); ENTRE LAS CAPAS TERCERA Y CUARTA SE INCLUYE UNA CONEXION N (POSITIVO) P (NEGATIVO) (124) Y; ENTRE LAS CAPAS SEGUNDA Y TERCERA SE INCLUYE UNA CONEXION P (POSITIVO) P (NEGATIVO) (122).LA SEGUNDA CAPA PROPORCIONA UNA BANDA DE CONDUCCION DE UNA BARRERA DE ENERGIA POTENCIAL DESDE UN FLUJO PORTADOR MENOR(ELECTRON) A UNA APERTURA (116/205) Y ES LO SUFICIENTEMENTE AMPLIA PARA PREVENIR LA CANALIZACION DE PORTADORES MENORES ENTRE ELLOS.LAS CAPAS PRIMERA Y SEGUNDA EN COMBINACION,PROPORCIONAN LA EXCLUSION DE CONTACTO P (POSITIVO)P(POSITIVO) CON LA TERCERA CAPA,Y LA CONEXION(124) PROPORCIONA UN FRAGMENTO DE CONTACTO, TAL QUE CUANDO LA OPERACION SE REALIZA CON POLARIDAD INVERSA,EXTRAE LOS PORTADORES MENORES DE LA ZONA DE LA TERCERA CAPA ADYACENTE AL COLECTOR (118/204).EN FUNCIONAMIENTO,LA TERCERA CAPA Y SU APERTURA (205)SE AGOTA DE PORTADORES DE CARGA Y POR ELLO MUESTRA UNA CORRIENTE DE DISPERSION MUY REDUCIDA.EN CONSECUENCIA,EL MISFET TIENE UN BUEN INTERVALO DINAMICO EN TERMINOS DE CORRIENTE CONDUCTORA CONTROLABLE.TAMBIEN ESTAN PROVISTOS UNOS TRANSISTORES BIPOLARES (300,400) Y DISPOSITIVOS RELACIONADOS.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE IN HER BRITANNIC MAJESTY'S GOV. OF THE UNITED KINGDOM OF GREAT BRITAI.

Nacionalidad solicitante: Reino Unido.

Dirección: WHITEHALL,LONDON SW1A 2HB.

Inventor/es: .

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 19 de Diciembre de 1991.

Fecha Concesión Europea: 22 de Enero de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación,... > H01L29/78 (estando producido el efecto de campo por una puerta aislada)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación,... > H01L29/06 (caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación,... > H01L29/73 (Transistores bipolares de unión)

Países PCT: Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Oficina Europea de Patentes, Canadá, Japón, Estados Unidos de América.

google+ twitter facebook