16 inventos, patentes y modelos de UCHIYAMA, NAOKI

(26/07/2017) Un método de división de sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor , teniendo el sustrato semiconductor una cara frontal sobre la que se forman una pluralidad de dispositivos funcionales, con luz láser (L) mientras que se posiciona un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato semiconductor para formar una región procesada fundida debido a absorción multifotón solamente dentro del sustrato semiconductor , formando la región procesada fundida una región de punto de partida para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual el sustrato semiconductor debe cortarse, dentro del sustrato semiconductor , una distancia predeterminada…

(17/02/2015) Un método de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio , que comprende las etapas de: irradiar el sustrato con una luz (L) láser, caracterizado por que la luz (L) láser tiene una luz láser pulsada que tiene un ancho de pulso no mayor que 1 μs en un punto (P) de convergencia dentro del sustrato , de manera que el punto (P) de convergencia de la luz láser pulsada se coloca dentro del sustrato y una potencia pico de la luz (L) láser en el punto (P) de convergencia no es menor que 1 X 108 (W/cm2); y además caracterizado por las etapas siguientes: mover relativamente el punto (P) de convergencia de la luz láser pulsada con respecto al sustrato a lo largo de una línea a lo largo de la que el sustrato está…

(14/01/2015) Un procedimiento de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio , que comprende las etapas de: irradiar un sustrato con una luz láser por impulsos (L), caracterizado por que la luz láser por impulsos (L) tiene una anchura de impulsos no más grande que 1 μs en un punto de convergencia (P) en el interior del sustrato , de tal modo que el punto de convergencia (P) de la luz láser por impulsos (L) se encuentra en el interior del sustrato y una potencia de pico de la luz láser (L) en el punto de convergencia (P) no es más pequeña que 1 X 10…

(31/12/2014) Un método de procesamiento del objeto hecho de un material transmisor de luz cuya superficie reposa en un plano X-Y, y está formado con una pluralidad de secciones de circuito , estando el método caracterizado por las siguientes etapas de: irradiación del objeto con luz láser (L) con un punto de convergencia de luz (P) dentro del objeto para formar una primera zona modificada solamente dentro del objeto por debajo de una superficie de incidencia del láser del objeto , en el que, la primera zona modificada está separada de la superficie de incidencia del láser del objeto por una distancia predeterminada, y adicionalmente en el que la…

(26/11/2014) Un procedimiento de procesamiento láser de un objeto que va a cortarse, comprendiendo el procedimiento: irradiar el objeto con una luz láser (L) con un punto de convergencia de luz (P) ubicado en el interior del objeto para formar una región modificada en el interior del objeto a lo largo de una línea a lo largo de la cual se pretende que se corte el objeto ; caracterizado adicionalmente por las etapas de: cambiar la posición del punto de convergencia de luz (P) del láser (L) en una dirección de incidencia de la luz láser (L) que irradia el objeto con respecto al objeto , para formar una pluralidad de las regiones modificadas que se alinean entre sí a lo largo de la dirección de incidencia de la luz láser (L) con el fin de formar de manera sucesiva, o aleatoria,…

(04/06/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor , que tiene una lamina pegada al mismo mediante una capa de resina de pegado de plaquetas , con luz laser (L) mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada ; y expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada , a fin de cortar el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada , caracterizado por el hecho de que la lamina es expandida tirando de una porcion periferica de la lamina hacia…

(09/04/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al mismo con luz laser mientras se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; y expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, a fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada caracterizado…

(02/04/2014) Un procedimiento de procesamiento por láser para cortar un objeto a procesar que incluye un sustrato semiconductor y unos dispositivos funcionales dispuestos en el sustrato, comprendiendo el procedimiento las etapas de pegar una película protectora a una cara delantera del objeto en el lado de los dispositivos funcionales, irradiar el objeto con luz láser mientras se usa una cara trasera del objeto como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor, causando que la región modificada forme una región de inicio de corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se pretende cortar el objeto, en el que una película expansible es…

(01/01/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar con luz laser un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al nnismo por medio de una capa deresina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una region modificada dentro del sustrato semiconductor , y causando que la regiónmodificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; generar una tensi6n en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despuesde la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lolargo de la parte…

(06/11/2013) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara frontal formada con unapluralidad de dispositivos funcionales para dividirlo en ca 5 da uno de dichos dispositivos funcionales, comprendiendoel procedimiento las etapas de: pegar una lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor por medio de una capa de resina depegado de plaquetas ; después del pegado de la lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor , formar una regiónprocesada fundida dentro del sustrato semiconductor irradiando el sustrato semiconductor con luz lásermientras se utiliza una cara frontal del sustrato semiconductor como una superficie de…

(06/11/2013) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara delantera formada con un dispositivo funcional a lo largo de una línea de corte , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar el sustrato semiconductor con luz láser mientras se usa una cara trasera del sustrato semiconductor como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una región modificada, y hacer que la región modificada forme una región de inicio de corte dentro del sustrato semiconductor dentro de la superficie de entrada de la luz láser a…

(04/04/2012) Un procedimiento de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio que va a cortarse por procesamiento láser que comprende: irradiar el sustrato que va a cortarse con un haz de láser, y; cortar el sustrato a lo largo de la línea a lo largo de la cual se pretende cortar el sustrato , caracterizado por que la etapa de irradiación comprende irradiar el sustrato que va a cortarse con un láser pulsado (L) con un punto de convergencia de luz (P) que se encuentra en el interior del sustrato en una condición con una densidad de potencia máxima de al menos 1 x 108 W/cm2 en el punto de convergencia de luz (P) y una anchura de impulsos de 1 μs o menos, con el fin de generar una región de fisuración en la que se genera una fisura…

(28/03/2012) Un método para dividir un sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato con una luz láser (L) mientras se posiciona un punto de convergencia de luz (P) en el interior del sustrato , de modo que forma una región modificada debido a la absorción multi-fotón dentro del sustrato , y causa que la región modificada forme una región de punto de arranque para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se cortará el sustrato , en el interior del sustrato a una distancia predeterminada de la cara incidente de la luz láser del sustrato ; esmerilar el sustrato después de la etapa de formar la región del punto de arranque para el corte, de modo que el sustrato alcanza un grosor predeterminado; y separar una pluralidad de chips entre sí, en los que se…

(10/06/2011) Procedimiento de corte de un substrato semiconductor para cortar un substrato semiconductor que presenta una cara anterior formada por una pluralidad de dispositivos funcionales a lo largo de líneas dispuestas a modo de malla que discurren entre los dispositivos funcionales adyacentes , para fabricar un dispositivo semiconductor que presenta uno de los dispositivos funcionales , comprendiendo el procedimiento las etapas de: unir una película protectora a la cara anterior del substrato semiconductor , de manera que los dispositivos funcionales queden cubiertos, caracterizado por el hecho de irradiar el substrato semiconductor con luz láser mientras se posiciona un punto convergente de luz dentro del substrato semiconductor con una cara posterior del substrato…