9 inventos, patentes y modelos de PETITBON, ALAIN
DISPOSITIVO ELECTRONICO DE POTENCIA.
(21/10/2010) Dispositivo electrónico de potencia que comprende placas de soporte que presentan una cara que recibe uno o más componentes de potencia y una cara opuesta en contacto con un fluido termodisipador para el enfriamiento por conducción de dichos componentes de potencia , caracterizado porque a al menos una placa de soporte está asociada otra placa de soporte dispuesta enfrente y provista de componentes de potencia similares, y porque los componentes de potencia de las dos placas de soporte enfrentadas están dispuestos cara a cara e inmediatos unos a otros
PROCEDIMIENTO PARA MEJORAR LAS PROPIEDADES ADHESIVAS DE UN SUBSTRATO CERAMICO.
Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Electricidad Química y metalurgia
(16/04/2008). Ver ilustración. Solicitante/s: ALSTOM. Clasificación: B05D3/06, H01L23/473, C04B41/89, H01L23/373, B29C65/48, C04B41/00, C09J5/02, H01L23/40, C04B37/00, C04B41/52, H01L21/48, C04B41/84, C04B41/80.
Procedimiento para mejorar las propiedades adhesivas de un substrato cerámico de la familia de los no óxidos con miras a su pegado, que comprende las etapas siguientes: - irradiación por láser de la superficie del substrato cerámico que hay que pegar, - aplicación de un agente de acoplamiento en la superficie irradiada, caracterizado porque: - el láser es un láser excímero de manera que la irradiación de la citada superficie por el citado láser conduce a la rotura de los enlaces químicos del substrato cerámico y a la oxidación de la citada superficie del citado substrato cerámico, - la aplicación de un agente de acoplamiento en la superficie irradiada conduce al establecimiento de un enlace químico entre el agente de acoplamiento y la superficie oxidada resultante de la irradiación del substrato cerámico.
PROCEDIMIENTO PARA LA CONEXION ELECTRICA DE MICROCHIPS DE TRANSISTOR IGBT MONTADO SOBRE UNA PLAQUETA DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
(16/07/2006) La conexión de un transistor bipolar de puerta aislada a un circuito integrado comprende la preparación y soldadura de los electrodos para unir los terminales de conexión. La conexión eléctrica de un chip de un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) montado sobre un circuito integrado comprende los pasos de soldar los electrodos y formar electrodos de control de retícula o de puerta sobre una placa conductora con secciones proyectantes que tienen áreas de conexión que se unen mediante soldadura a los terminales de conexión correspondientes. Los terminales de conexión se cubren con una placa metálica, por ejemplo aluminio, y el procedimiento anterior a la soldadura comprende la desoxidación de los terminales de conexión, al deposición de un material antioxidante, la deposición de soldadura, el posicionamiento de los chips con las secciones…
MODULO DE POTENCIA CON COMPONENTES ELECTRONICOS DE POTENCIA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DEL MISMO.
Sección de la CIP Electricidad
(16/03/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: ALSTOM. Clasificación: H05K7/20, H01L23/473.
Módulo de potencia de componentes electrónicos de potencia que comprende una base que constituye un intercambiador de calor encargado de evacuar las disipaciones de potencia por efecto joule de los susodichos componentes de potencia, caracterizado por el hecho de que la susodicha base comprende una superficie provista de una película de aleación de aluminio, estando recubierta la susodicha piel por una capa aislante de óxido de aluminio obtenida por anodización de la susodicha película , constituyendo la susodicha capa aislante un sustrato sobre el cual se realizan pistas metalizadas con el fin de recibir los susodichos componentes electrónicos , estando la otra superficie de la susodicha base en contacto con un fluido de refrigeración.
MODULO DE ELECTRONICA DE POTENCIA Y DISPOSITIVO ELECTRONICO DE POTENCIA PROVISTO DE TALES MODULOS.
(01/05/2005) LA INVENCION SE REFIERE A UN MODULO ELECTRONICO DE POTENCIA QUE CONSTA DE DOS MODULOS ELEMENTALES , CADA UNO DE LOS CUALES COMPRENDE AL MENOS UN COMPONENTE ELECTRONICO DE POTENCIA CON AL MENOS UNA CARA DE CONTACTO MONTADA SOBRE UNA CARA METALICA DE UN SUSTRATO , CONEXIONES DE MANDO PARA CONECTAR EL COMPONENTE A UN MODULO DE MANDO, CONEXIONES DE POTENCIA PARA TRANSMITIR LA POTENCIA ENTRE COMPONENTES Y/O A OTROS MODULOS ELEMENTALES , Y AL MENOS UN CAMBIADOR TERMICO METALICO PARA EVACUAR LAS DISIPACIONES DE POTENCIA POR EFECTO DE JULIO DEL COMPONENTE ELECTRONICO DE POTENCIA . EL CAMBIADOR TERMICO METALICO VA MONTADO SOBRE LA OTRA CARA DEL SUSTRATO . SEGUN LA INVENCION, LOS DOS MODULOS ELEMENTALES SE SITUAN FRENTE A FRENTE: EL COMPONENTE ELECTRONICO DE POTENCIA DE UN MODULO ELEMENTAL FRENTE AL…
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE ELECTRODO DE MANDO DE REJILLA PARA TRANSISTOR IGBT.
(01/11/2004) Se presenta un procedimiento para la producción de un electrodo de puerta para un transistor bipolar de puerta aislada, el procedimiento comprende los pasos de formar una capa conductora que cubre una capa aislante, formar una pista de alimentación conductora, y cubrir la pista. Se presenta un procedimiento para la producción de un electrodo de puerta para un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) que se inicia con una placa eléctricamente conductora que se cubre con una capa aislante y que tiene zonas de conexión que se unen mediante soldadura a los terminales de conexión de un circuito integrado, el procedimiento incluye los pasos de formar una capa conductora que cubre la capa aislante ; formar una pista conductora de alimentación y cubrir la pista. La placa…
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UN CONDUCTOR FLEXIBLE SUPRACONDUCTOR DE ALTA TEMPERATURA CRITICA Y CONDUCTOR RESULTANTE.
Sección de la CIP Electricidad
(16/06/1996). Solicitante/s: ALCATEL CABLE. Clasificación: H01L39/24.
PROCESO DE FABRICACION DE UN CONDUCTOR FLEXIBLE DE ALTA TEMPERATURA CRITICA SEGUN EL CUAL SE APLICA SOBRE UNA CINTA METALICA DE ESPESOR COMPRENDIDO ENTRE 0,1 MM Y 1 MM UN DEPOSITO DE CERAMICA SUPRACONDUCTORA, CARACTERIZADO POR EL HECHO DE: U)M, PASA DENTRO DE HAZ INFRARROJO CON UNA VELOCIDAD AL MENOS IGUAL A 5 CM POR MINUTO, PRESENTANDO LA ZONA TRATADA POR ESTE HAZ,EN EL SENTIDO DEL MOVIMIENTO, UN ANCHO INFERIOR A 10 MM Y UNA TEMPERATURA DE SUPERFICIE AL MENOS IGUAL A 1200 (GRADOS) C, DE MANERA A PROPORCIONAR A DICHO DEPOSITO UNA CAPA SUPRACONDUCTORA SUPERFICIAL DENSA, TEXTURADA EN EL SENTIDO DE DESPLAZAMIENTO, QUE PRESENTAN UN ESPESOR COMPRENDIDO ENTRE 10 (MU)M Y 100(MU)M,.
PIEZA DE CERAMICA SUPRACONDUCTORA PARA LLEVAR CORRIENTE.
Sección de la CIP Electricidad
(01/10/1995). Solicitante/s: GEC ALSTHOM SA. Clasificación: H01L39/14.
PIEZA DE CERAMICA SUPRACONDUCTORA PARA ALIMENTACION DE CORRIENTE ENTRE UNA ZONA A MUY BAJA TEMPERATURA (4.2 K) Y UNA ZONA A TEMPERATURA INTERMEDIA (77 K), QUE COMPRENDE UN TUBO DE CERAMICA FRITADA DE LA FAMILIA YBACUO), CARACTERIZADA POR EL HECHO DE: 50 MM, UN DIAMETRO EXTERIOR COMPRENDIDO ENTRE 10 Y 30 MM, UN ESPESOR COMPRENDIDO ENTRE 1 Y 4 MM, Y QUE PRESENTA EN SU CARA LATERAL EXTERNA O INTERNA, ENTRE SUS DOS EXTREMOS, AL MENOS UN CANAL DONDE DICHA CERAMICA ES TEXTURADA SOBRE UNA PROFUNDIDAD COMPRENDIDA ENTRE 30 (MU)M Y 500 (MU)M, Y UN ANCHO COMPRENDIDO ENTRE O,1 Y 10 MM.
PROCESO DE TRATAMIENTO SUPERFICIAL DE PIEZAS CONICAS CON AYUDA DE UN LASER.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/07/1992). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Clasificación: C04B41/87, C23C4/12.
UN LASER A GAS CARBONICO DIRIGE UN HAZ SOBRE UNA PIEZA CERAMICA A TRATAR QUE SE DESPLAZA SEGUN UNA FELCHA . UN INYECTOR A GAS PORTADOR INTRODUCE EN EL HAZ UNA DOSIS MODERADA DE UN POLVO ESFEROIDE DE MATERIAL CERAMICO DE DEPOSITO. LA CAPA SOLIDIFICADA DESPUES DE LA FUSION PRESENTA MICROFISURAS MENOS IMPORTANTES QUE EN LA AUSENCIA DEL DEPOSITO. APLICACION EN LA CONSTRUCCION DE MOTORES TERMICOS.
