9 inventos, patentes y modelos de PECH,REINER
Procedimiento para la producción de silicio policristalino.
Secciones de la CIP Física Química y metalurgia Técnicas industriales diversas y transportes Electricidad
(30/05/2018). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Clasificación: G01N21/00, G01N29/00, C01B33/035, C23C16/24, B02C23/08, C23C16/56, H01L31/0368, C23C16/01, H01L31/028, G01N29/09.
Procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende precipitación de silicio policristalino en cuerpos soporte que se encuentran en al menos un reactor, mediante lo cual se obtienen varas de silicio policristalinas, desmontaje de las varas de silicio policristalinas del reactor, al menos uno, desmenuzado de las varas de silicio policristalinas desmontadas en fragmentos, caracterizado por que, tras el desmontaje de las varas de silicio policristalinas del reactor, al menos uno, y antes del desmenuzado de las varas de silicio policristalinas desmontadas en fragmentos, el silicio policristalino presente en forma de vara se clasifica en al menos dos clases de calidad por medio de al menos una característica, alimentándose éstas clases de calidad, al menos dos, a pasos de desmenuzado separados.
PDF original: ES-2677489_T3.pdf
Vara de silicio policristalina y procedimiento para su producción.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(12/04/2017). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Clasificación: C01B33/035, C23C16/24, C23C16/44.
Vara de silicio policristalina con un diámetro total de al menos 150 mm, que contiene un núcleo (A) con una porosidad de 0 a menos de 0,01 alradedor de una vara delgada y al menos dos zonas B y C subsiguientes, que se diferencian en su porosidad en un factor de 1,7 a 23, siendo la zona C externa menos porosa que la zona B.
PDF original: ES-2626554_T3.pdf
Procedimiento para la producción de silicio policristalino.
(30/11/2016) Procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende
a) precipitación de silicio policristalino por medio de CVD sobre al menos un cuerpo soporte en forma de U, que se calienta mediante paso de corriente directo a una temperatura a la que el silicio policristalino precipita sobre el cuerpo soporte, mediante lo cual se produce al menos un par de varas de silicio policristalinas en forma de U, estando unido el cuerpo soporte a un electrodo de grafito en sus extremos libres respectivamente, y abasteciéndose éste de corriente de este modo;
b) desmontaje de al menos un par de varas de silicio policristalinas del…
Fragmentos de silicio policristalinos y procedimiento para el desmenuzamiento de barras de silicio policristalinas.
(29/06/2016) Un procedimiento para el desmenuzamiento de barras de silicio policristalinas en fragmentos mediante por lo menos una herramienta desmenuzadora con una superficie que contiene carburo de wolframio, teniendo la superficie de la herramienta una proporción de carburo de wolframio menor o igual que 95 % y siendo el tamaño de granos de las partículas de carburo de wolframio - ponderada según la masa en promedio - mayor o igual que 0,8 μm o teniendo la superficie de la herramienta una proporción de carburo de wolframio mayor o igual que 80 % y siendo el tamaño de granos de las partículas de carburo de wolframio menor o igual que 0,5…
Vara de silicio policristalina y procedimiento para la obtención de polisilicio.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(23/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Clasificación: C01B33/035.
Vara de silicio policristalina, que comprende una capa externa de silicio policristalino con un grosor de 0,01 a 20 mm, conteniendo esta capa externa cristalitas con un tamaño medio de más de 20 μm a un máximo de 80 μm.
PDF original: ES-2576480_T3.pdf
Fragmento de silicio policristalino y procedimiento para la limpieza de fragmentos de silicio policristalino.
(26/11/2014) Fragmento de silicio policristalino con una concentración de carbono en la superficie de 0,5-35 ppbw.
Fragmento de silicio policristalino pobre en sustancias dopantes.
(17/09/2014) Fragmento de silicio policristalino con una concentración de 1-50 ppta de boro y 1-50 ppta de fósforo junto a la superficie.
PROCESO Y DISPOSITIVO PARA TRITURACION Y SELECCION DE POLISILICIO.
Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Química y metalurgia
(21/12/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Clasificación: B02C25/00, C30B15/00, C01B33/02, B02C23/08, B07C5/08, C30B29/06, B02C21/00.
Dispositivo para la trituración y selección de silicio policristalino, que comprende un equipo de alimentación para una fracción gruesa de polisilicio en una planta de fragmentación, la planta de fragmentación, y una planta de selección para la clasificación de la fracción de polisilicio, caracterizado porque el dispositivo está provisto de un control, que hace posible un ajuste variable de al menos un parámetro de fragmentación en la planta de fragmentación y al menos de un parámetro de selección en la planta de selección.
DISPOSITIVO Y PROCEDIMIENTO DE CLASIFICACION FLEXIBLE DE FRAGMENTOS DE SILICIO POLICRISTALINO.
Sección de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes
(11/11/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Clasificación: B07B1/00, B07B13/04, B07B13/00B, B07B13/00.
Dispositivo que hace posible una clasificación flexible de silicio policristalino fracturado, comprendiendo dicho dispositivo una instalación de cribado mecánico y una instalación de clasificación optoelectrónica, siendo separada la polifractura por medio de la instalación de cribado mecánico en una porción fina de silicio y una porción restante de silicio y siendo separada la porción restante de silicio en otras fracciones por medio de una instalación de clasificación optoelectrónica.
