Sensor de temperatura de área grande.
(26/10/2018) Un dispositivo de detección que comprende un patrón regular de contactos eléctricamente conductores y un patrón complementario de material semiconductor que tiene una resistencia dependiente de la temperatura y está en contacto con dichos contactos eléctricamente conductores,
en el que el material semiconductor se aplica sobre los contactos eléctricamente conductores o los contactos eléctricamente conductores se depositan en el material semiconductor para definir una red de elementos termistores correspondientes a dicho patrón regular,
siendo la red topológicamente equivalente a i) una red cuadrada de resistencias nominalmente idénticas en la que cuatro resistencias aproximadamente iguales se conectan a un nodo, o ii) una red rectangular de dos conjuntos desiguales de resistencias…
Método de producir nanopartículas semiconductoras estables terminadas con oxígeno.
(28/02/2018) Un método de producir nanopartículas semiconductoras inorgánicas que tienen una superficie estable, comprendiendo el método:
proporcionar un material semiconductor a granel inorgánico; y
moler el material semiconductor a granel a una temperatura entre 100ºC y 200ºC en presencia de un agente reductor seleccionado, actuando el agente reductor para reducir químicamente óxidos de uno o más elementos componentes del material semiconductor formado durante el molido, o prevenir la formación de tales óxidos siendo oxidado preferentemente,
para producir mediante ello nanopartículas semiconductoras del material semiconductor a granel inorgánico, teniendo dichas nanopartículas una superficie estable que permite el contacto eléctrico entre las partículas en donde el medio de molido y/o uno o más componentes…
Método de producción de un sensor de temperatura impreso.
(20/12/2017) Método de producción de un dispositivo de detección de temperatura, incluyendo el método formar al menos una capa de silicio y al menos dos electrodos o contactos para definir una estructura de termistor, caracterizado porque al menos la capa de silicio está formada mediante impresión, y al menos uno de la capa de silicio y los electrodos o contactos están soportados por un sustrato durante la formación del dispositivo, en el que la capa de silicio se forma a partir de una tinta que comprende partículas de silicio y un vehículo líquido compuesto por un aglutinante y un disolvente adecuado, teniendo las partículas de silicio una superficie que permite el transporte de carga eléctrica entre las partículas en que la transferencia de carga entre las partículas individuales o agrupaciones de partículas, o el material…
Tintas semiconductoras de película gruesa.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(05/10/2016). Solicitante/s: PST Sensors (Pty) Limited- Department of Physics-RW James Building. Clasificación: C09D11/00, C09D5/24, C09D191/00.
Un método para la producción de una tinta semiconductora imprimible, comprendiendo el método la mezcla de una cantidad de partículas de material semiconductor en partículas con una cantidad de aglomerante, en el que las partículas tienen un tamaño de partícula en el intervalo de 5 nanómetros a 10 micras y tienen una funcionalidad semiconductora, y en el que el aglomerante es un material auto-polimerizable que comprende un aceite natural, o un derivado o análogo sintético del mismo, para producir una tinta con propiedades semiconductoras, caracterizado por que la relación volumétrica del material semiconductor en partículas sobre el aglomerante es superior al 50 % y que el material semiconductor en partículas comprende silicio.
PDF original: ES-2609413_T3.pdf
Dispositivo semiconductor de película fina y procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor de película fina.
(17/06/2015) Un MS-FET de película fina o dispositivo semiconductor de célula fotovoltaica que comprende:
i) un substrato que comprende celulosa;
ii) una primera capa que consiste en una capa conductora metálica en contacto con el substrato;
iii) una segunda capa semiconductora que comprende silicio nanocristalino coloidal y un aglutinante en contacto con la primera capa;
iv) una tercera capa que consiste en el caso de un MS-FET, en una capa conductora metálica o, en el caso de una célula fotovoltaica, en un conductor tipo-p transparente en contacto con la segunda capa.
Impresión por inyección de tinta de tintas funcionales de nanopartículas.
(08/08/2012) Un método de deposición de tinta sobre un sustrato, incluyendo el método:
la preparación de una tinta que consta de un vehículo líquido y de partículas de pigmento dispersas en el vehículo,estando al menos las partículas de pigmento cargadas eléctricamente;
la aplicación de un primer potencial a una boquilla de salida para la tinta;
la aplicación de al menos un segundo potencial a uno o más electrodos auxiliares localizados en forma adyacente ala boquilla de salida; y
la expulsión de gotitas de tinta desde la boquilla de salida hacia una zona objetivo sobre un sustrato,
caracterizado porque dichos uno o más electrodos auxiliares…
DOPADO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES PARTICULADOS.
(19/12/2011) Un método para dopar partículas semiconductoras para cambiar la concentración de vehículo y/o el tipo del material semiconductor, comprendiendo el método mezclar una cantidad de partículas semiconductoras, que tienen un tamaño de partícula en el intervalo de 1 nm a 100 µm, con una sal iónica o una preparación de sales iónicas, de modo que capa partícula semiconductora como un todo se dopa mediante adsorción o absorción de una o más especies iónicas de la sal iónica o la preparación de sales iónicas