Sensor de temperatura de área grande.

Un dispositivo de detección (34) que comprende un patrón regular de contactos eléctricamente conductores (30) y un patrón complementario de material semiconductor (36) que tiene una resistencia dependiente de la temperatura y está en contacto con dichos contactos eléctricamente conductores,



en el que el material semiconductor se aplica sobre los contactos eléctricamente conductores o los contactos eléctricamente conductores se depositan en el material semiconductor para definir una red de elementos termistores correspondientes a dicho patrón regular,

siendo la red topológicamente equivalente a i) una red cuadrada de resistencias nominalmente idénticas en la que cuatro resistencias aproximadamente iguales se conectan a un nodo, o ii) una red rectangular de dos conjuntos desiguales de resistencias en la que cuatro resistencias se conectan a un nodo, o iii) una red hexagonal de resistencias nominalmente idénticas en la que tres resistencias aproximadamente iguales se conectan a un nodo, teniendo el dispositivo de detección unos terminales (38) en los que puede medirse un valor de resistencia promedio del mismo, y en el que la red de elementos termistores está soportada en un sustrato (32) que puede reducirse en tamaño desde un tamaño inicial sin cambiar sustancialmente el valor de resistencia promedio.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/IB2013/050784.

Solicitante: PST Sensors (Pty) Limited .

Nacionalidad solicitante: Sudáfrica.

Dirección: 102 Gateway Park, Berkley Road, Ndabeni 7405 Cape Town SUDAFRICA.

Inventor/es: BRITTON,David Thomas, HÄRTING,Margit.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G01K3/00 SECCION G — FISICA.G01 METROLOGIA; ENSAYOS.G01K MEDIDA DE TEMPERATURAS; MEDIDA DE CANTIDADES DE CALOR; ELEMENTOS TERMOSENSIBLES NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (pirometría de las radiaciones G01J 5/00). › Termómetros que dan una indicación diferente al valor instantáneo de la temperatura (G01K 7/42 tiene prioridad).
  • G01K3/06 G01K […] › G01K 3/00 Termómetros que dan una indicación diferente al valor instantáneo de la temperatura (G01K 7/42 tiene prioridad). › con relación al espacio.
  • G01K7/24 G01K […] › G01K 7/00 Medida de la temperatura basada en la utilización de elementos eléctricos o magnéticos directamente sensibles al calor (que dan un resultado diferente al valor instantáneo de la temperatura G01K 3/00). › en un circuito especialmente adaptado, p. ej. un circuito en puente.
  • H01C1/148 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01C RESISTENCIAS.H01C 1/00 Detalles. › los bornes envuelven o rodean el elemento resistivo (H01C 1/142 tiene prioridad).
  • H01C1/16 H01C 1/00 […] › Redes de resistencias no previstos en otro lugar.
  • H01C13/02 H01C […] › H01C 13/00 Resistencias no previstas en otro lugar. › Combinaciones estructurales de resistencias.
  • H01C7/00 H01C […] › Resistencias fijas constituidas por una o varias capas o revestimientos; Resistencias fijas constituidas de un material conductor en polvo o de un material semiconductor en polvo con o sin material aislante (constituidas de material pulverulento o granular H01C 8/00; resistencias con barrera de potencial o barrera de superficie, p. ej. resistencias de efecto de campo, H01L 29/00; dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones electromagnéticas o corpusculares, p. ej. células fotorresistentes, H01L 31/00; dispositivos que presentan superconductividad o hiperconductividad H01L 39/00; resistencia controladas por campo magneticos H01L 43/08; dispositivos de resistencia negativa de volumen H01L 47/00).
  • H01C7/02 H01C […] › H01C 7/00 Resistencias fijas constituidas por una o varias capas o revestimientos; Resistencias fijas constituidas de un material conductor en polvo o de un material semiconductor en polvo con o sin material aislante (constituidas de material pulverulento o granular H01C 8/00; resistencias con barrera de potencial o barrera de superficie, p. ej. resistencias de efecto de campo, H01L 29/00; dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones electromagnéticas o corpusculares, p. ej. células fotorresistentes, H01L 31/00; dispositivos que presentan superconductividad o hiperconductividad H01L 39/00; resistencia controladas por campo magneticos H01L 43/08; dispositivos de resistencia negativa de volumen H01L 47/00). › con coeficiente positivo de temperatura.
  • H01C7/04 H01C 7/00 […] › con coeficiente negativo de temperatura.

PDF original: ES-2687656_T3.pdf

 

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