CIP-2021 : H01L 21/268 : utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/268 · · · · · · utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor con una capa de pasivación y dispositivo semiconductor correspondiente.
(15/07/2020). Solicitante/s: Hanwha Q.CELLS GmbH. Inventor/es: ENGELHART,PETER, SCHERFF,MAXIMILIAN, BORDIHN,STEFAN, KLÖTER,BERNHARD.
Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor, comprendiendo las siguientes etapas de procedimiento:
- puesta a disposición de un sustrato semiconductor ;
- formación de una capa funcional en una superficie semiconductora del sustrato semiconductor ; y
- generación de al menos una zona dopada en la superficie semiconductora mediante introducción de una sustancia dopante de la capa funcional en el interior del sustrato semiconductor , formándose la capa funcional de tal modo que, al acabar el dispositivo semiconductor, pasiviza como capa de pasivación la superficie semiconductora , caracterizado por que la capa funcional está formada por óxido de aluminio (AlOx), óxido de titanio (TiOx), óxido de magnesio (MgOx) u óxido de cinc (ZnOx), actuando correspondientemente como sustancia dopante el titanio, magnesio o cinc del compuesto.
PDF original: ES-2819173_T3.pdf
Formación de contactos óhmicos en semiconductores de banda prohibida ancha.
(10/04/2019) Un método que comprende:
depositar una película metálica ópticamente fina sobre la superficie inferior de un sustrato de una lámina u oblea semiconductora, de manera que la oblea semiconductora comprende el sustrato y al menos una capa situada en la superficie superior del sustrato, de manera que el sustrato está compuesto de un material de banda prohibida ancha ('wide bandgap material', en inglés) y de manera que la superficie inferior del sustrato está expuesta;
irradiar la superficie inferior del sustrato y la película metálica ópticamente fina con un primer rayo láser, de manera que…
Método para la producción de un dispositivo semiconductor que usa el recocido láser para activar selectivamente los adulterantes implantados.
(28/03/2012) Un método para producir un dispositivo semiconductor con una superficie modelada que comprende almenos una zona parcial adulterada con un adulterante de un primer tipo de conductividad y al menos una zona adulterada con un adulterante de un segundo tipo de conductividad en el mismo lateral de un sustrato semiconductor, comprendiendo el método:
- implantar el adulterante del primer tipo de conductividad e implantar el adulterante del segundo tipo deconductividad en la superficie a modelar;
- activar localmente el adulterante del primer tipo de conductividad mediante el calentamiento local de almenos la zona parcial de la superficie para que se modele a una primera temperatura con el uso de unrayo láser;
- activar el adulterante del segundo tipo de conductividad…
PROCEDIMIENTO DE INTERRUPCION DE PELICULAS METALICAS.
(01/12/2005) Un método para aislar eléctricamente regiones de una película metálica situada sobre una delicada estructura subyacente partiendo la película a lo largo de una línea predeterminada, incluyendo el método las etapas de: a) antes de formar la película metálica, formar una capa inerte, o sustancialmente inerte, sobre la estructura subyacente, al menos en la región de una brecha de aislamiento requerida, b) formar la película metálica sobre la estructura subyacente y la capa inerte, c) formar una serie de agujeros a través de la película metálica por ablación del material desde la película metálica a lo largo de la línea de aislamiento, para separar regiones adyacentes, usar un láser de impulsos de longitud de onda larga, caracterizado por la tasa de repetición…
PROCEDIMIENTO DE MANDO DEL ESTADO DE CONDUCCION DE UN TRANSISTOR MOS Y UN CIRCUITO INTEGRADO QUE PONE EN OPERACION DICHO PROCEDIMIENTO.
(01/04/1997). Solicitante/s: BULL S.A.. Inventor/es: BOUDOU, ALAIN, BONNAL, MARIE-FRANCOISE, ROUILLON-MARTIN, MARTINE.
EL ESTADO DE CONDUCCION DE UN TRANSISTOR MOS 11 ESTA GOBERNADO DEFINITIVAMENTE POR UN HAZ LASER 21 FORMANDO ENTRE LA REJILLA 16 Y LA PARTE SUBYACENTE D DE LA REGION DEL EMISOR 14 O DEL COLECTOR 15, UNA CONEXION ELECTRICA 22. EL INVENTO SE APLICA ESPECIALMENTE A LA CORRECCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS (RECONFIGURACION, REDUNDANCIA) Y EN LA PROGRAMACION DE LAS MEMORIAS MUERTAS INTEGRADAS.
MAQUINA DE MICRO-RAYO LASER DE INTERVENCION SOBRE OBJETOS DE CAPA DELGADA, EN PARTICULAR PARA EL GRABADO O LA DEPOSICION DE MATERIA POR VIA QUIMICA EN PRESENCIA DE UN GAS REACTIVO.
(16/04/1994). Solicitante/s: FRANCE TELECOM BERTIN & CIE. Inventor/es: GUERN, YVES, AUVERT, GEOFFROY, GEORGEL, JEAN-CLAUDE.
LA MAQUINA, SEGUN EL INVENTO, CONSTA DE UN RECINTO ESTANCO EN EL QUE SE HALLA FIJADO UN OBJETIVO DE MICROSCOPIO QUE RECIBE UN RAYO LASER MEDIANTE UN TRAGALUZ TRANSPARENTE DE GRAN ESPESOR, Y QUE CONTIENE UN REACTOR FORMADO POR UNA CAJA ESTANCA CUYA TAPA CONSTA DE UN TRAGALUZ TRANSPARENTE DE POCO ESPESOR BAJO EL CUAL ESTA SITUADO EL OBJETO DE CAPA DELGADA A TRATAR. UNOS ELEMENTOS PERMITEN REALIZAR EL VACIO EN EL RECINTO Y EL REACTOR Y LLEVAR UN GAS REACTIVO AL REACTOR. EL INVENTO SE APLICA EN ESPECIAL EN EL TRATAMIENTO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS, CIRCUITOS HIBRIDOS, ETC.
ELIMINACION DE CONTAMINANTES SUPERFICIALES POR IRRADIACION DE UNA FUENTE DE ALTA ENERGIA.
(16/11/1993). Solicitante/s: CAULDRON LIMITED PARTNERSHIP. Inventor/es: ENGELSBERG, AUDREY C.
METODO Y APARATO PARA ELIMINAR LOS CONTAMINANTES SUPERFICIALES DE LA SUPERFICIE DE UN SUBSTRATO MEDIANTE LA IRRADIACION DE UNA FUENTE DE ALTA ENERGIA. EL INVENTO PERMITE LA ELIMINACION DE LOS CONTAMINANTES SUPERFICIALES SIN ALTERAR LA ESTRUCTURA MOLECULAR SUYACENTE DEL SUBSTRATO. LA FUENTE DE IRRADIACION DE ALTA ENERGIA CONSTA DE UN LASER PULSATIL.
SISTEMA DE REOSTRICCION DE PLASMA Y METODO PARA USAR EL MISMO.
(01/11/1989). Ver ilustración. Solicitante/s: GERENTES DE LA UNIVERSIDAD DE CALIFORNIA. Inventor/es: ASMUS, JOHN F., LOVBERG, RALPH H.
SISTEMA DE REOSTRICCION DE PLASMA Y METODO PARA USAR EL MISMO. UN SISTEMA DE REOSTRICCION DE PLASMA INCLUYE UN DISPOSITIVO DE PLASMA CONSISTENTE EN UNA NUBE PREACONDICIONADORA DE VAPOR TENUE QUE RODEA A UNA CORRIENTE DE FLUIDO FINA FLUYENTE CENTRAL, ESTRECHA, DE FLUIDO BAJO PRESION. CONECTADO ELECTRICAMENTE AL DISPOSITIVO DE REOSTRICCION DEL CHORRO DE FLUIDO SE ENCUENTRA UN DISPOSITIVO DE DESCARGA PARA QUE APORTE UN FLUJO ELECTRICO A TRAVES DE UNA PARTE DE LA CORRIENTE DE FLUIDO, PARA ESTABLECER UNA LUZ INCOHERENTE EMISORA DE PLASMA PARA FABRICAR SEMICONDUCTORES INCLUYE LA EXPOSICION DE UNA PASTILLA SEMICONDUCTORA A LA LUZ INCOHERENTE EMITIDA POR EL PLASMA, PARA FINES DE RECOCIDO O DE MORDENTADO.
PROCEDIMIENTO DE PASIVACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.
(01/04/1983). Solicitante/s: WESTINGHOUSE BRAKE & SIGNAL COMPANY LIMITED.
PROCEDIMIENTO DE PASIVACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. SE FORMA UNA RANURA ADYACENTE AL PERIMETRO DE LA REACCION ACTIVA DEL DISPOSITIVO HACIENDO UN CORTE POR MEDIO DE UN RAYO LASER QUE INCIDE EN ANGULO OBLICUO CON RESPECTO A LA SUPERFICIE DE DICHA REGION ACTIVA. SE ENSANCHA LA RANURA MEDIANTE MORDENTADO QUIMICO Y SE RECUBRE CON MATERIAL DIELECTRICO DE PASIVACION EN PELICULA DEPOSITADA A BAJA PRESION. DE APLICACION A PLACAS SEMICONDUCTORAS SOBRE LAS QUE SE FORMAN SIMULTANEAMENTE UNA PLURALIDAD DE DISPOSITIVOS Y EN DISPOSITIVOS DE VOLTAJE ELEVADO.
