Formación de contactos óhmicos en semiconductores de banda prohibida ancha.

Un método que comprende:

depositar una película metálica ópticamente fina (300) sobre la superficie inferior (105) de un sustrato (100) de una lámina u oblea semiconductora,

de manera que la oblea semiconductora comprende el sustrato y al menos una capa (101; 102; 103) situada en la superficie superior del sustrato, de manera que el sustrato está compuesto de un material de banda prohibida ancha ('wide bandgap material', en inglés) y de manera que la superficie inferior del sustrato está expuesta;

irradiar la superficie inferior (105) del sustrato (100) y la película metálica ópticamente fina (300) con un primer rayo láser, de manera que el primer rayo láser tiene la energía suficiente para modificar una banda prohibida -o brecha energética- del material de banda prohibida ancha a fin de producir una capa grafítica (203) en la superficie inferior (105) del sustrato (100); y

depositar una capa metálica en la superficie inferior (105) del sustrato (100) para crear un contacto óhmico en el área de la capa grafítica (203),

de manera que el material de banda prohibida ancha es carburo de silicio.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2014/035084.

Solicitante: United Silicon Carbide Inc.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 7 Deer Park Drive Suite E. Monmouth Junction, NJ 08852 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: HOSTETLER,JOHN L.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/268 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.
  • H01L21/28 H01L 21/00 […] › Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.

PDF original: ES-2728101_T3.pdf

 

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