Formación de contactos óhmicos en semiconductores de banda prohibida ancha.
Un método que comprende:
depositar una película metálica ópticamente fina (300) sobre la superficie inferior (105) de un sustrato (100) de una lámina u oblea semiconductora,
de manera que la oblea semiconductora comprende el sustrato y al menos una capa (101; 102; 103) situada en la superficie superior del sustrato, de manera que el sustrato está compuesto de un material de banda prohibida ancha ('wide bandgap material', en inglés) y de manera que la superficie inferior del sustrato está expuesta;
irradiar la superficie inferior (105) del sustrato (100) y la película metálica ópticamente fina (300) con un primer rayo láser, de manera que el primer rayo láser tiene la energía suficiente para modificar una banda prohibida -o brecha energética- del material de banda prohibida ancha a fin de producir una capa grafítica (203) en la superficie inferior (105) del sustrato (100); y
depositar una capa metálica en la superficie inferior (105) del sustrato (100) para crear un contacto óhmico en el área de la capa grafítica (203),
de manera que el material de banda prohibida ancha es carburo de silicio.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2014/035084.
Solicitante: United Silicon Carbide Inc.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 7 Deer Park Drive Suite E. Monmouth Junction, NJ 08852 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: HOSTETLER,JOHN L.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/268 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.
- H01L21/28 H01L 21/00 […] › Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.
PDF original: ES-2728101_T3.pdf
Patentes similares o relacionadas:
Sustrato semiconductor, procedimiento de formación de electrodo, y procedimiento de fabricación de célula solar, del 14 de Diciembre de 2016, de Shin-Etsu Handotai Co., Ltd: Sustrato semiconductor que presenta un electrodo formado sobre el mismo, incluyendo el electrodo por lo menos plata y frita de vidrio, comprendiendo el electrodo: […]
Fabricación de cuerpos semiconductores a partir de material fundido utilizando una chapa de interposición auto-sostenida, del 9 de Marzo de 2016, de 1366 Technologies Inc: Procedimiento para realizar un cuerpo semiconductor comprendiendo el procedimiento las etapas de:
a. proporcionar un material semiconductor fundido , […]
Películas delgadas nanoorganizadas a base de copolímeros de bloques de polisacáridos para aplicaciones en nanotecnología, del 29 de Febrero de 2016, de CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS): Material (M) que comprende un sustrato en el que una de sus superficies está recubierta por una capa de una red organizada a base de un copolímero […]
Composición para imprimir electrodos, del 25 de Febrero de 2015, de BASF SE: Composición para imprimir electrodos sobre un sustrato, que contiene del 70 al 90 % en peso de partículas eléctricamente conductoras con un tamaño de partícula medio […]
Método de obtención de una tinta, tinta obtenida y film transparente a constituir, del 15 de Abril de 2014, de FUNDACION CETENA: Método de obtención de una tinta, tinta obtenida y film transparente a constituir conteniendo óxido de indio y estaño y siendo de especial aplicación por técnicas […]
Composición para la impresión de circuitos impresos así como un procedimiento para la fabricación de células solares, del 16 de Octubre de 2013, de BASF SE: Composición para la impresión de circuitos impresos sobre un sustrato, en particular para células solares, usandoun procedimiento de impresión […]
Película reflectante conductora y método de producción de la misma, del 27 de Marzo de 2013, de MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION: Una película reflectante conductora que tiene una superficie de contacto que está en contacto con un substrato yque se forma al calcinar una capa que contiene nanopartículas […]
METODO DE ALAMBRADO METALICO PARA AGUJEROS CON SOCAVADURAS, del 1 de Abril de 2008, de SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.: Se ha proporcionado un método de alambrado o cableado metálico para la conexión de un agujero que posee una socavadura en un proceso de empaquetamiento de un sistema […]