(19/03/2019) Procedimiento para el borrado de informacion que esta guardada en una unidad de semiconductor electronica en una pluralidad de elementos de memoria no volatil que presentan una puerta flotante con la siguiente etapa: irradiacion de la unidad de semiconductor con una radiacion de borrado hasta que la unidad de semiconductor haya absorbido una dosis nominal de la radiacion de borrado ; penetrando la radiacion de borrado a traves de la unidad de semiconductor y absorbiendose al menos una parte de la radiacion de borrado en la unidad de semiconductor apareciendo un efecto de ionizacion (A; B; C), influyendose en la concentracion…

(25/04/2018) Dispositivo magnético multicapas, que incluye, sobre un substrato, una alternancia de capas metálicas magnéticas M y de óxidos, de hidruros o de nitruros O, caracterizado: &bull: por que el número de capas M es al menos igual a dos, &bull: por que las capas de óxidos, de hidruros o de nitruros O presentan un espesor al menos igual a 0,3 nanómetro y están realizadas a base de elementos elegidos en el grupo que comprende Al, Mg, Ru, Ta, Cr, Hf, Ti, V, Si, Cu, W o sus aleaciones, de tal modo que se formen unos óxidos, hidruros o nitruros estables, &bull: por que las capas M son continuas, presentan un espesor inferior o igual a 5 nanómetros y tendrían su imantación paralela al plano de las capas en ausencia de las…

(27/08/2014) Una estructura de unión túnel magnética, (MTJ), que comprende: una célula MTJ que comprende múltiples paredes laterales que se extienden sustancialmente en perpendicular a una superficie de un sustrato , incluyendo cada una de las múltiple paredes laterales una capa libre para acarrear un dominio magnético único, estando cada uno de los dominios magnéticos únicos adaptado para almacenar un bit de datos, estando la célula MTJ caracterizada por comprender también, una pared de fondo acoplada a cada una de las múltiples paredes laterales , extendiéndose la pared de fondo sustancialmente en paralelo con la superficie del sustrato…

(09/04/2014) Método para almacenar datos en un dispositivo de memoria flash , comprendiendo el método: a) recibir una instrucción de programación para programar los datos en el dispositivo de memoria flash ; y b) determinar que los datos se deben programar en un modo de almacenamiento de un solo bit por celda; caracterizado porque el método incluye además: c) como respuesta a dicha determinación, comprobar si se encuentran disponibles subdivisiones del dispositivo de memoria flash configuradas para almacenar los datos en el modo de almacenamiento de un solo bit por celda; d) convertir por lo menos una subdivisión…

(08/01/2014) Un dispositivo de memoria que comprende: Un arreglo de memoria que tiene celdas de memoria dispuestas en filas y columnas caracterizadas porque: cada celda de memoria es borrable para tener un voltaje umbral de borrado negativo y es programable en unaoperación de programa que tiene al menos un voltaje umbral de programación negativo; un controlador de línea para controlar selectivamente una línea (WLn) conectada a un terminal de puerta de una celda de memoria con un voltaje de programación para cambiar el voltaje umbral de borrado negativo a almenos un voltaje umbral de programa negativo durante la operación del programa.

(29/05/2013) Un dispositivo de memoria Flash NAND que comprende: una matriz de memoria que tiene bloques de celdas de memoria dispuestas como cadenas de celdas NANDdonde cada bloque incluye una fila de cadenas de celdas NAND, caracterizado porque: cada uno de los bloques de celdas de memoria es borrable mediante tunelización-FN para tener una tensiónumbral de borrado negativa y programable mediante tunelización-FN para tener una tensión umbral de programaciónnegativa o una tensión umbral de programación positiva;circuitería lógica de control de filas para seleccionar un bloque de la matriz de memoria y conducirselectivamente una línea de palabra (WLn) conectada a un terminal de puerta de…

(22/08/2012) Procedimiento para la recuperación de datos de un dispositivo de memoria cuyo procedimiento comprende: - detectar un nivel de voltaje de una celda de memoria durante una operación de lectura, correspondiendo el nivel devoltaje a un valor de datos que comprende una representación binaria, comprendiendo el valor de datos una primeraresolución; - adaptar una función de mapeado basándose en una o varias de: una temperatura actual, un voltaje dealimentación, un número de operaciones de lectura llevadas a cabo en la celda de memoria y un número deoperaciones de escritura llevadas a cabo en la celda de memoria, en el que la función de mapeado mapeavoltajes analógicos con…

(22/06/2012) Un artículo de fabricación que comprende instrucciones legibles por máquina que, cuando se ejecutan, hacen que se lleven a cabo operaciones, caracterizado por que las operaciones comprenden: determinar si llevar a cabo una operación de mantenimiento donde la determinación de si llevar a cabo la operación de mantenimiento comprende determinar si un dispositivo principal tiene una fuente de alimentación que satisface una condición predeterminada; identificar información de error asociada con una página de celdas de memoria en respuesta a determinar que debe llevarse a cabo una operación de mantenimiento; determinar…

(16/11/2006) Un método para operar una matriz de células de memoria no volátil que almacena datos como diferentes niveles de carga en elementos de almacenamiento de carga, en donde entre los grupos adyacentes de los elementos de almacenamiento de carga existe acoplamiento de campo: programar datos en un primer grupo de los elementos de almacenamiento de la carga con un primer juego de niveles de almacenamiento (VL) junto con una indicación TB=L de que se ha usado el primer juego de niveles de almacenamiento, a continuación programar datos en un segundo grupo de los elementos de almacenamiento de carga con el primer juego de niveles de almacenamiento junto con una indicación de que…