(29/04/2020) Dispositivo de recubrimiento de plasma post-descarga para un sustrato con forma de alambre , que comprende: - un electrodo tubular interno sobre una pared tubular interna para recibir el sustrato y un precursor que se mueve axialmente en una dirección de trabajo ; - un electrodo tubular externo coaxial con, y que rodea, el electrodo interno ; donde los electrodos interno y externo están configurados para ser alimentados con una fuente de alimentación eléctrica para producir un plasma cuando se suministra un gas de plasma entre dichos electrodos y es así excitado, donde el gas excitado por plasma fluye axialmente en la dirección de trabajo y reacciona con el precursor…

(19/02/2020) Una fuente de plasma para un aparato de CVD de plasma, que comprende: un grupo de electrodos que incluye cuatro electrodos, que son un primer electrodo (10A), un segundo electrodo (10B), un tercer electrodo (10C) y un cuarto electrodo (10D) que están dispuestos en una fila en ese orden, en la que dicho grupo de electrodos está conectado a al menos una fuente de alimentación de CA ; configurada para que cuando esté en operación una tensión suministrada a dos de dichos cuatro electrodos sea desplazada de fase de una tensión suministrada a los dos electrodos restantes; espacios (850A, 850B, 850C) a los que es suministrada una fuente de gas son proporcionados entre los electrodos adyacentes, dicho grupo de electrodos está constituido por electrodos huecos…

(09/09/2019) Procedimiento de producción de películas de óxidos, de nitruros o de oxinitruros de metales o semi-conductores sobre un sustrato, mediante el método de PECVD que comprende las etapas que consisten en: a) proveerse de un dispositivo de PECVD, a baja presión, que comprende al menos una fuente de doble haz lineal de plasma, la cual comprende al menos dos electrodos unidos a un generador AC o DC pulsado, para el depósito de dichas películas sobre el sustrato, b) aplicar una potencia eléctrica entre los dos electrones de tal manera que la densidad de potencia del plasma esté comprendida entre 5 y 50 W por cm2 de plasma, y, c) aplicar sobre el sustrato un precursor gaseoso…

(17/05/2012) Un sistema para la deposición química en fase de vapor asistida por plasma de baja energía adecuado para el crecimiento epitaxial de capas semiconductoras uniformes sobre sustratos de 300 mm de tamaño, comprendiendo el sistema: (a) una fuente de plasma de área amplia; (b) una cámara de deposición; y (c) un sistema de distribución de gas, en el que la fuente de plasma comprende un recinto , al menos dos cátodos termoiónicos adaptados para ser operados independientemente el uno del otro e incluidos en una cámara catódica, y un cabezal de ducha que tiene varios orificios ; y en el que la…