CIP-2021 : H01J 37/32 : Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H).
H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad).
H01J 37/32 · Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
(16/04/1994). Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS). Inventor/es: CHOLLET, PATRICK, LEPRINCE, PHILIPPE, SAADA, SERGE.
EL INVENTO CINCIERNE UN REACTOR DE PLASMA, COMPRENDIENDO: UN RECINTO SUSCEPTIBLE DE RECIBIR UN FLUJO GASEOSO ESCOGIDO, UN GENERADOR MICROONDAS , Y UNOS MEDIOS DE GUIA DE ONDAS PARA LLEVAR LAS MICROONDAS AL RECINTO , SEGUN UN ACOPLAMIENTO NO RESONANTE EN EL CUAL EL RECINTO NO DISIPA BAJO FORMA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA LA ENERGIA DE HIPERFRECUENCIA QUE LE ES COMUNICADA EN PRESENCIA DEL GAS. SEGUN UNA DEFINICION GENERAL DEL INVENTO EL RECINTO ES DE GRAN TAMAÑO, LA PARTE TERMINAL DE LOS MEDIOS DE GUIA DE ONDAS ESTA PROGRESIVAMENTE REBAJADA EN UN SENTIDO Y ENSANCHADA EN EL OTRO, HASTA ALCANZAR UNA SECCION DERECHA RECTANGULAR PLANA RODEANDO COMPLETAMENTE DICHO RECINTO , Y PARA PROCURAR UN ACOPLAMIENTO NO RESONANTE CON ESTA.
PROCESO Y DISPOSITIVO PARA OBTENCION DE CAPAS SEMICONDUCTORAS DE ALEACIONES AMORFAS DE SILICIO Y GERMANIO POR TECNICA DE DESCARGA DE EFLUVIOS, ESPECIALMENTE PARA CELULAS SOLARES.
(01/11/1993). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: KAUSCHE, HELMOLD, DIPL.-PHYS., PLATTNER, ROLF, DR.
LA SEPARACION A PARTIR DE LA FASE GASEOSA EN LA QUE SE EXCITA EL COMPUESTO CON EL MATERIAL A SEPARAR COMO GAS DE PROCESO EN UN REACTOR ENTRE ELECTRODOS EN UN PLASMA DE DESCARGA DE GAS Y SE APLICAN COMO CAPAS SOLIDAS SOBRE LOS ELECTRODOS O SOBRE LOS SUSTRATOS SITUADOS ALLI , TIENE LUGAR DE FORMA QUE EL GAS DE PROCESO SE EXCITA POR EXCITACION INDUCTIVA DE ALTA FRECUENCIA CON UN CAMPO MAGNETICO DEBIL CONSTANTE SUPERPUESTO , DE FORMA QUE SURJA UNA RESONANCIA DE ONDA ELECTRON-CICLOTRON Y SE IONIZE ALTAMENTE EL GAS DE PROCESO. SE OBTIENEN EN ESPECIAL CAPAS AMORFAS DE SILICIO-GERMANIO CON HIDROGENO Y/O FLUOR, CARACTERIZADAS POR UN REDUCIDO GROSOR DE ESTADO Y RESULTAN ESPECIALMENTE ADECUADAS PARA CELULAS SOLARES TANDEM DE CAPAS FINAS.
CAMARA DE RECUBRIMIENTO CON COMBINADOS REGLADOS DEL GAS ATMOSFERICO.
(01/11/1992). Solicitante/s: MULTI-ARC OBERFLACHENTECHNIK GMBH. Inventor/es: MAXAM, SIEGFRIED, FRINK, LOTHAR.
SE DESCRIBE EL PROCESO Y EL DISPOSITIVO DE LA CAMARA DE RECUBRIMIENTO DE LA CAMARA DE RECUBRIMIENTO CON COMBINADOS DE GAS ATMOSFERICO.
DISPOSITIVO PARA LA MANIPULACION DE PLASMA DE SUSTRATOS EN UNA DESCARGA DE PLASMA ACTIVADA POR ALTA FRECUENCIA.
(16/10/1992). Solicitante/s: LEYBOLD AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: KIESER, JORG, DIPL.-PHYS., SELLSCHOPP, MICHAEL, DR. DIPL.-PHYS., GEISLER, MICHAEL DR. DIPL.-PHYS.
DISPOSITIVOS PARA LA MANIPULACION DE PLASMA DE SUSTRATOS EN UNA DESCARGA DE PLASMA ACTIVADA POR ALTA FRECUENCIA ENTRE DOS ELECTRODOS ABASTECIDOS POR UNA FUENTE DE ALTA FRECUENCIA . EL PRIMER ELECTRODO ESTA CONSTRUIDO COMO UN ANODO HUECO , Y EL SEGUNDO ELECTRODO , PORTADOR DEL SUSTRATO , ESTA SITUADO EN LA CAMARA HUECA DEL ANODO HUECO O POR DELANTE. ADEMAS EL ANODO HUECO MUESTRA UN BORDE ABIERTO EN DIRECCION AL SEGUNDO ELECTRODO QUE FORMA UNA HENDIDURA S1 DE UN MAXIMO DE 10 MM. DE ANCHURA FRENTE AL SEGUNDO ELECTRODO. PARA COLOCAR EL ANODO HUECO SIN CRITICA CON RESPECTO A LA ANCHURA DE LA HENDIDURA, SE HAN COLOCADO SALIDIZOS EN LA CAMARA HUECA DEL ANODO , QUE AUMENTAN LA SUPERFICIE INTERIOR. ESTOS SALIDIZOS ESTAN CONSTRUIDOS ESENCIALMENTE COMO ESTRUCTURA DE NERVADURA QUE PUEDE TOMAR LA FORMA DE ALVEOLO.
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES UTILIZANDO MORDENTADO IONICO REACTIVO.
(16/02/1987). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES UTILIZANDO MORDENTADO IONICO REACTIVO. COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: PRIMERA, SE ESTABLECE UN PLASMA EN UNA ATMOSFERA GASEOSA QUE SE PONE EN CONTACTO CON UN PRIMER ELECTRODO SITUADO DENTRO DE UNA CAMARA; SEGUNDA, SE ESTABLECE UNA POLARIZACION DE CORRIENTE CONTINUA EN EL ELECTRODO CON RELACION A UN PUNTO DE POTENCIAL DE REFERENCIA; TERCERA, SE MORDENTA UN SUSTRATO CON ENTIDADES EN EL PLASMA; Y POR ULTIMO, SE DESCARGA EL ELECTRODO EN RESPUESTA A UN CRITERIO PREVIAMENTE ELEGIDO. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES TALES COMO DIODOS ZENER.
UNA DISPOSICION DE ALIMENTACION DE CORRIENTE PARA EL FUNCIONAMIENTO DE UN RECIPIENTE DE DESCARGA EN GAS.
(01/06/1976). Solicitante/s: ELEKTROPHYSIKALISCHE ANSTALT BERNHARD BERGHAUS.
Resumen no disponible.
UN PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCIÓN DE MATERIALES OBTENIDOS POR REACCIÓN TÉRMICA.
(16/06/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: UNION CARBIDE CORPORATION.
Un procedimiento para la producción de materiales obtenidos por reacción térmica, que comprende introducir el material que ha de reaccionar en un efluente de arco de pared estabilizada o estabilizado por pared alineado de elevada intensidad térmica y recoger el producto de reacción, caracterizado porque dicho material se introduce en un efluente de arco producido de la manera conocida pasando un arco formado entre medios de electrodo adyacentes junto con una corriente de gas por un pasaje estrechado, estando dispuesto el efluente que sale de este modo del mencionado pasaje en el que se introduce dicho material, dispuesto aguas abajo del citado medio de electrodo.
