(26/07/2017) Un método de división de sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor , teniendo el sustrato semiconductor una cara frontal sobre la que se forman una pluralidad de dispositivos funcionales, con luz láser (L) mientras que se posiciona un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato semiconductor para formar una región procesada fundida debido a absorción multifotón solamente dentro del sustrato semiconductor , formando la región procesada fundida una región de punto de partida para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual el sustrato semiconductor debe cortarse, dentro del sustrato semiconductor , una distancia predeterminada…

(01/04/2015) Procedimiento para la pasivación con hidrógeno de capas de semiconductores, caracterizado por que la pasivación se efectúa mediante el empleo de una fuente de plasma con un arco eléctrico.

(11/06/2014) Procedimiento de supresión, con la ayuda de un haz de un rayo láser, de los defectos situados en el seno de un dispositivo laminado formado al menos por un primer sustrato y al menos un segundo sustrato, incorporando dicho laminado entre dichos primer y segundo sustrato al menos un sistema activo con control electrónico que consiste en: - una fase de localización de al menos un defecto situado en el seno del sistema activo, - una fase de ablación del defecto que consiste en circunscribir éste último con la ayuda de dicho haz de láser, consistiendo la ablación del defecto en un aislamiento eléctrico de la zona periférica del…

(28/03/2012) Un método para dividir un sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato con una luz láser (L) mientras se posiciona un punto de convergencia de luz (P) en el interior del sustrato , de modo que forma una región modificada debido a la absorción multi-fotón dentro del sustrato , y causa que la región modificada forme una región de punto de arranque para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se cortará el sustrato , en el interior del sustrato a una distancia predeterminada de la cara incidente de la luz láser del sustrato ; esmerilar el sustrato después de la etapa de formar la región del punto de arranque para el corte, de modo que el sustrato alcanza un grosor predeterminado; y separar una pluralidad de chips entre sí, en los que se…

(30/05/2011) Chip que comprende un MEMS dispuesto en un circuito integrado y procedimiento de fabricación correspondiente. Clip que comprende un circuito integrado, con: A) unas capas que configuran unos elementos eléctricos y/o electrónicos sobre un substrato de material semiconductor, B) una estructura de capas de interconexión, con una pluralidad de capas de material conductor separadas por unas capas de material dieléctrico , C) por lo menos un MEMS dispuesto en la estructura de capas de interconexión. El MEMS comprende un espacio hueco con una parte del mismo dispuesta debajo de una lámina de material conductor perteneciente a una de las capas de material conductor. El procedimiento de fabricación comprende una etapa de interconexión, en la que se genera la estructura de capas de interconexión, y un ataque posterior con HF gaseoso durante el cual se genera…