Método de fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET sobre semiconductores III-V.
(23/12/2013) Fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET sobre semiconductores III-V. Esta invención propone aplicar la pulverización de alta presión de nanoláminas metálicas de escandio y un lantánido y su posterior oxidación por plasma temperatura ambiente sobre sustratos semiconductores III-V, de interés para dispositivos MOSFET, tanto planares como FinFETs. La ventaja de estos semiconductores es que tienen mayor movilidad de portadores en el canal que el Si, mayor transconductancia y menor retardo de conmutación con respecto a la tecnología actual. Se obtienen estructuras MOS funcionales sobre semiconductores alternativos al Si con un óptimo recubrimiento de escalones. Solamente se necesitan tecnologías…