CIP-2021 : H01L 33/22 : Superficies irregulares o rugosas, p. ej. en la interfaz entre capas epitaxiales.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).

H01L 33/22 · · · Superficies irregulares o rugosas, p. ej. en la interfaz entre capas epitaxiales.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Elemento emisor de luz semiconductor.

(20/12/2017) Un elemento emisor de luz semiconductor que comprende; una parte de pila de semiconductores que incluye una capa emisora de luz; una cara de difracción (2a) en un lado de superficie principal al que incide la luz emitida desde la capa emisora de luz, en el que en dicha cara de difracción (2a) las porciones convexas (2c) se forman en un período que es más largo que una longitud de onda óptica de la luz y es más corto que una longitud coherente de la luz, en el que la cara de difracción refleja la luz incidente en multimodo de acuerdo con la condición de difracción de Bragg y transmite la luz incidente en multimodo de acuerdo con la condición de difracción de Bragg; y una cara de reflexión que refleja la luz multimodo difractada en la cara de difracción (2a) y deja que esta luz…

Diodos emisores de luz basados en nitruro de galio altamente eficientes por medio de una superficie convertida en rugosa.

(16/11/2016) Un diodo emisor de luz de (Al, Ga, In)N compuesto de: al menos una capa de tipo n , una capa de emision y una 5 capa de tipo p ; en el que la luz desde la capa de emision se extrae a traves de una superficie de cara de nitrogeno, denominada en lo que sigue "superficie de cara N", del diodo emisor de luz y la superficie de cara N del diodo emisor de luz esta compuesta de una rugosidad superficial con forma de cono que incrementa la eficiencia de extraccion de la luz desde la capa de emision fuera de la superficie de cara N del diodo emisor de luz; y en el que las formas de cono de la rugosidad superficial de la superficie de cara N tienen un tamano proximo…

Dispositivo emisor de luz de nitruro III con capa emisora de luz de deformación reducida.

(28/03/2012) Dispositivo que comprende: una estructura semiconductora de nitruro III que comprende: una capa emisora de luz dispuesta entre una región de tipo n y una región de tipo p; y una superficie de contacto texturizada en la región de tipo n situada entre una capa de dispositivo de contacto n y la capa emisora de luz, comprendiendo la superficie de contacto texturizada características formadas de manera litográfica y configuradas de manera que la capa emisora de luz tiene una constante reticular en el plano a2 que es mayor que una constante reticular en el plano a1 de la región de tipo n, estando la superficie texturizada dispuesta a como máximo 1000 angstroms de la capa emisora de luz.