Elemento emisor de luz semiconductor.

Un elemento emisor de luz semiconductor (1; 100; 200; 300; 400) que comprende;

una parte de pila de semiconductores (19) que incluye una capa emisora de luz; una cara de difracción (2a) en un lado de superficie principal al que incide la luz emitida desde la capa emisora de luz, en el que en dicha cara de difracción (2a) las porciones convexas (2c) se forman en un período que es más largo que una longitud de onda óptica de la luz y es más corto que una longitud coherente de la luz, en el que la cara de difracción refleja la luz incidente en multimodo de acuerdo con la condición de difracción de Bragg y transmite la luz incidente en multimodo de acuerdo con la condición de difracción de Bragg; y una cara de reflexión (22; 28; 122; 228; 322) que refleja la luz multimodo difractada en la cara de difracción (2a) y deja que esta luz incida de nuevo sobre la cara de difracción (2a), en el que la parte de pila de semiconductores (19) está formada en la cara de difracción (2a); caracterizado por que la cara de reflexión (22; 28; 122; 228; 322) está formada como una cara de reflexión interna (22; 28; 122; 228; 322) y las porciones convexas (2c) tienen una superficie lateral (2d) y una porción curvada (2e) que se curva y se extiende hacia el lado central de las porciones convexas (2c) desde el extremo superior de la superficie lateral (2d) y una superficie superior (2f) que es plana y se forma continuamente desde la porción curvada (2e), en el que la superficie superior plana (2f) es paralela al lado de la superficie principal.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2010/064154.

Solicitante: EL-Seed Corporation.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 3-1804-2 Umegaoka Tenpaku-ku Nagoya-shi, Aichi 468-0004 JAPON.

Inventor/es: SUZUKI, ATSUSHI, AMANO,HIROSHI, KONDO,TOSHIYUKI, KAMIYAMA SATOSHI, IWAYA MOTOAKI, AKASAKI ISAMU, TERAMAE FUMIHARU, KITANO TSUKASA.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L33/00 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
  • H01L33/10 H01L […] › H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00). › con una estructura reflectante, p. ej. reflector de Bragg de semiconductor.
  • H01L33/22 H01L 33/00 […] › Superficies irregulares o rugosas, p. ej. en la interfaz entre capas epitaxiales.
  • H01L33/40 H01L 33/00 […] › Materiales.

PDF original: ES-2663320_T3.pdf

 

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