(06/11/2019) Un método de procesamiento por láser, que comprende las etapas de: irradiar un objeto a procesar, que comprende un sustrato de silicio , que tiene una cara frontal y una cara posterior , y una parte laminada , dispuesta en la cara frontal del sustrato de silicio , con luz láser (L), al colocar un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato de silicio , para formar una región procesada fundida solo dentro del sustrato de silicio , y hacer que la región procesada fundida forme una región de punto de partida, ubicada dentro del sustrato de silicio , a una distancia predeterminada de una cara incidente de luz láser del objeto , para cortar el objeto; formar la región del punto de partida para cortar dentro del objeto a lo largo de una línea que se extiende linealmente , a lo largo…

(26/07/2017) Un método de división de sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor , teniendo el sustrato semiconductor una cara frontal sobre la que se forman una pluralidad de dispositivos funcionales, con luz láser (L) mientras que se posiciona un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato semiconductor para formar una región procesada fundida debido a absorción multifotón solamente dentro del sustrato semiconductor , formando la región procesada fundida una región de punto de partida para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual el sustrato semiconductor debe cortarse, dentro del sustrato semiconductor , una distancia predeterminada…

(15/10/2014) Un chip semiconductor obtenido a partir de una plaqueta semiconductora, en el que el sustrato semiconductor tiene una estructura mono-cristalina de silicio, en el que el chip semiconductor tiene una superficie de corte formada haciendo que se produzca una fractura cuando se corta la plaqueta semiconductora, caracterizado porque la superficie de corte comprende al menos una región procesada fundida y al menos una pequeña cavidad formadas por un haz láser a lo largo de una dirección del grosor del chip semiconductor en una parte de la superficie de corte, en el que la al menos una región procesada fundida comprende una pluralidad de regiones procesadas fundidas formadas a lo largo de una dirección perpendicular a la dirección del grosor, y la al…

(04/06/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor , que tiene una lamina pegada al mismo mediante una capa de resina de pegado de plaquetas , con luz laser (L) mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada ; y expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada , a fin de cortar el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada , caracterizado por el hecho de que la lamina es expandida tirando de una porcion periferica de la lamina hacia…

(09/04/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de irradiar un sustrato semiconductor con luz láser mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor, con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor, y se causa que la región modificada forme una parte destinada a ser cortada; y expandir una lámina después de la etapa de formar la parte destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que está destinada a ser cortada, en el que la lámina está pegada al sustrato…

(09/04/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al mismo con luz laser mientras se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; y expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, a fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada caracterizado…

(02/04/2014) Un procedimiento de procesamiento por láser para cortar un objeto a procesar que incluye un sustrato semiconductor y unos dispositivos funcionales dispuestos en el sustrato, comprendiendo el procedimiento las etapas de pegar una película protectora a una cara delantera del objeto en el lado de los dispositivos funcionales, irradiar el objeto con luz láser mientras se usa una cara trasera del objeto como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor, causando que la región modificada forme una región de inicio de corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se pretende cortar el objeto, en el que una película expansible es…

(01/01/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar con luz laser un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al nnismo por medio de una capa deresina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una region modificada dentro del sustrato semiconductor , y causando que la regiónmodificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; generar una tensi6n en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despuesde la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lolargo de la parte…

(06/11/2013) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara delantera formada con un dispositivo funcional a lo largo de una línea de corte , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar el sustrato semiconductor con luz láser mientras se usa una cara trasera del sustrato semiconductor como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una región modificada, y hacer que la región modificada forme una región de inicio de corte dentro del sustrato semiconductor dentro de la superficie de entrada de la luz láser a…

(06/11/2013) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara frontal formada con unapluralidad de dispositivos funcionales para dividirlo en ca 5 da uno de dichos dispositivos funcionales, comprendiendoel procedimiento las etapas de: pegar una lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor por medio de una capa de resina depegado de plaquetas ; después del pegado de la lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor , formar una regiónprocesada fundida dentro del sustrato semiconductor irradiando el sustrato semiconductor con luz lásermientras se utiliza una cara frontal del sustrato semiconductor como una superficie de…

(28/03/2012) Un método para dividir un sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato con una luz láser (L) mientras se posiciona un punto de convergencia de luz (P) en el interior del sustrato , de modo que forma una región modificada debido a la absorción multi-fotón dentro del sustrato , y causa que la región modificada forme una región de punto de arranque para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se cortará el sustrato , en el interior del sustrato a una distancia predeterminada de la cara incidente de la luz láser del sustrato ; esmerilar el sustrato después de la etapa de formar la región del punto de arranque para el corte, de modo que el sustrato alcanza un grosor predeterminado; y separar una pluralidad de chips entre sí, en los que se…