CIP-2021 : C01B 33/02 : Silicio (formación de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B).
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Notas[t] desde C01 hasta C14: QUIMICA
C QUIMICA; METALURGIA.
C01 QUIMICA INORGANICA.
C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B).
C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956).
C01B 33/02 · Silicio (formación de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento de preparación de un electrodo a partir de un material poroso, electrodo así obtenido y sistema electroquímico correspondiente.
(13/12/2018). Solicitante/s: HYDRO-QUEBEC. Inventor/es: ARMAND, MICHEL, GUERFI,ABDELBAST, KINOSHITA,KIMIO, CHAREST,PATRICK, ZAHHIB,KARIM, KOSTECKI,ROBERT.
Procedimiento de preparación de un ánodo para sistema electroquímico a partir de un material poroso, siendo dicho ánodo a base de silicio poroso y recubierto al menos parcialmente de carbono, caracterizado por que comprende una etapa de pirolisis de una capa de polímero depositada en capa delgada sobre un soporte aislante de silicio poroso Si3N4 y por que dicho material poroso es susceptible de formar una aleación con un metal alcalino y se obtiene a partir de una fuente de silicio seleccionada del grupo constituido por: obleas de silicio, pastillas de silicio, películas de silicio y las mezclas de al menos 2 de estos últimos.
PDF original: ES-2693619_T3.pdf
Método de producir nanopartículas semiconductoras estables terminadas con oxígeno.
(28/02/2018) Un método de producir nanopartículas semiconductoras inorgánicas que tienen una superficie estable, comprendiendo el método:
proporcionar un material semiconductor a granel inorgánico; y
moler el material semiconductor a granel a una temperatura entre 100ºC y 200ºC en presencia de un agente reductor seleccionado, actuando el agente reductor para reducir químicamente óxidos de uno o más elementos componentes del material semiconductor formado durante el molido, o prevenir la formación de tales óxidos siendo oxidado preferentemente,
para producir mediante ello nanopartículas semiconductoras del material semiconductor a granel inorgánico, teniendo dichas nanopartículas una superficie estable que permite el contacto eléctrico entre las partículas en donde el medio de molido y/o uno o más componentes…
Procedimiento de fabricación por pirólisis láser de partículas submicrónicas multicapas.
(13/09/2017) Procedimiento para producir partículas , que comprende las etapas siguientes:
- Introducir en una cámara de reacción al menos un flujo de reacción que comprende como primer elemento químico silicio y que se propaga según una dirección de flujo ,
- Proyectar un haz de radiación a través de la cámara de reacción en intersección con cada flujo de reacción en una zona de interacción mediante flujo de reacción, para formar en cada flujo de reacción núcleos de partículas que comprenden el primer elemento químico, y
- Introducir, en la cámara de reacción , un segundo elemento químico…
(05/07/2017). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: PECH,DR. REINER, VIETZ,MATTHIAS.
Silicio policristalino, que se presenta en forma de fragmentos y está envasado en bolsas de material sintético con al menos 5 kg, que contiene fragmentos de un tamaño de 20 a 200 mm, caracterizado por que una fracción fina, esto es, una fracción de todos los fragmentos o partículas de silicio que presentan un tamaño tal, que se pueden separar por medio de un tamiz con mallas cuadradas de un tamaño de 8 mm x 8 mm, en la bolsa de material sintético asciende a menos de 900 ppmw, preferentemente menos de 300 ppmw, de modo especialmente preferente menos de 10 ppmw.
PDF original: ES-2637213_T3.pdf
Elemento de contacto de silicio fundido y proceso para producir el mismo, y proceso para producir silicio cristalino.
(12/10/2016) Un elemento de contacto de silicio fundido que tiene una capa de cuerpo poroso sinterizado presente en una superficie del mismo, donde la capa de cuerpo poroso sinterizado comprende un cuerpo sinterizado que se puede obtener mediante:
moldeo de una mezcla para formar un producto moldeado, mezcla que contiene partículas orgánicas que comprenden una resina que se puede descomponer térmicamente y que tiene un diámetro promedio de partícula de 1 a 25 μm, y un polvo sinterizable que esencialmente consiste en nitruro de silicio;
calcinar el producto moldeado hasta que las partículas orgánicas desaparecen; y
…
Método de producción de nanopartículas generando una chispa eléctrica.
(24/08/2016). Solicitante/s: PST Sensors (Pty) Limited . Inventor/es: BRITTON,David Thomas, SCRIBA,MANFRED RUDOLF.
Un método de producir nanopartículas en el intervalo de tamaño de 1 nm a 1000 nm a través de la síntesis de uno o más fluidos precursores, el método incluye proporcionar un medio fluido que comprende al menos un fluido precursor y generar una chispa eléctrica en dicho medio fluido para producir pirólisis de dicho al menos un fluido precursor en un núcleo de plasma caliente de vida corta de la chispa, el plasma tiene una extensión espacial pequeña, para producir al menos una especie radical, y para formar nanopartículas por nucleación en el medio fluido en una zona de reacción más fría que rodea el núcleo del plasma de la chispa, en donde dicha al menos una especie radical actúa como un reactivo o agente catalítico en la síntesis de material que compone dichas nanopartículas, en donde la chispa se crea por una descarga eléctrica que tiene una frecuencia entre 0,01 Hz y 1 kHz, y tiene una energía total entre 0,01 J y 1 J.
PDF original: ES-2604402_T3.pdf
Fragmentos de silicio policristalinos y procedimiento para el desmenuzamiento de barras de silicio policristalinas.
(29/06/2016) Un procedimiento para el desmenuzamiento de barras de silicio policristalinas en fragmentos mediante por lo menos una herramienta desmenuzadora con una superficie que contiene carburo de wolframio, teniendo la superficie de la herramienta una proporción de carburo de wolframio menor o igual que 95 % y siendo el tamaño de granos de las partículas de carburo de wolframio - ponderada según la masa en promedio - mayor o igual que 0,8 μm o teniendo la superficie de la herramienta una proporción de carburo de wolframio mayor o igual que 80 % y siendo el tamaño de granos de las partículas de carburo de wolframio menor o igual que 0,5…
Método para producir silicio de alta pureza.
(15/06/2016). Solicitante/s: Elkem Solar AS. Inventor/es: ZEAITER,KHALIL.
Un procedimiento para producir silicio de alta pureza, que comprende proporcionar silicio fundido que contiene 1-10% en peso de calcio, colar el silicio fundido, triturar el silicio y someter el silicio triturado a una primera etapa de lixiviación en una solución acuosa de HCl y y/o HF + FeCl3 y a una segunda etapa de lixiviación en una solución acuosa de HF y HNO3, método que se caracteriza por que las partículas de silicio lixiviadas son sometidas a tratamiento térmico a una temperatura de entre 1250ºC y 1420ºC durante un período de como mínimo 20 minutos y someter el silicio tratado térmicamente a una tercera temperatura de lixiviación en una solución acuosa de HF y HNO3.
PDF original: ES-2627503_T3.pdf
Granulado de silicio policristalino y su obtención.
(24/02/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: WEIDHAUS,DIETER, Hauswirth,Rainer, Hertlein,Harald.
Granulado de silicio policristalino, que comprende una matriz compacta y una capa superficial que contiene cristalitas aciculares, dispuestas en paralelo.
PDF original: ES-2561028_T3.pdf
Procedimiento para la determinación de una impureza de superficie de silicio policristalino.
(23/02/2016) Procedimiento para la determinación de una impureza en superficie de silicio policristalino, que comprende las etapas
a) proporcionar dos varillas de silicio policristalino mediante separación en un reactor Siemens;
b) impurezas con carbono y sustancias de dopaje en la primera de las dos varillas se determinan inmediatamente después de la separación, en donde de esta varilla se separa un disco y se utiliza para la determinación de la concentración de carbono mediante FTIR, en donde una varilla que permanece después de la separación del disco de esta varilla se transforma, mediante FZ, en una varilla monocristalina, en donde en un disco…
Dispositivo y procedimiento para el desmenuzado de una vara de silicio policristalina.
(02/02/2016) Dispositivo para el desmenuzado de una vara de silicio policristalina, que comprende una base, así como al menos un cincel de desmenuzado móvil, y al menos un yunque inmóvil, poseyendo el cincel de desmenuzado, al menos uno, un eje longitudinal que está orientado paralelamente o casi paralelamente a la superficie de la base, pudiéndose ajustar una vara de silicio situada en la superficie de la base, a desmenuzar, respectivamente entre cincel de desmenuzado y yunque, de tal manera que cincel de desmenuzado y yunque pueden poseer un contacto con la vara de silicio en la zona de la vara de silicio, y respectivamente un punto de apoyo de vara de silicio y yunque, así como un eje transversal de la vara de silicio que transcurre a través de un centro de…
Procedimiento para la fabricación de fragmentos de silicio policristalinos.
(23/12/2015). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: WOCHNER,HANNS, FABRY,Laszlo.
Procedimiento para la obtención de fragmentos de silicio policristalinos, que comprende puesta a disposición de una vara de silicio policristalina, desmenuzado de la vara de silicio policristalina en fragmentos cúbicos, purificación de los fragmentos de silicio policristalinos, caracterizado por que para el desmenuzado se emplea una trituradora de cilindro de puntas con al menos un cilindro de puntas, basándose el cilindro de puntas, al menos uno, en fases de W2C.
PDF original: ES-2564377_T3.pdf
Fragmento de silicio policristalino y procedimiento para la limpieza de fragmentos de silicio policristalino.
(26/11/2014) Fragmento de silicio policristalino con una concentración de carbono en la superficie de 0,5-35 ppbw.
Fragmento de silicio policristalino pobre en sustancias dopantes.
(17/09/2014) Fragmento de silicio policristalino con una concentración de 1-50 ppta de boro y 1-50 ppta de fósforo junto a la superficie.
(17/09/2014) Silicio policristalino que ha sido depositado a partir del triclorosilano sobre una barra filamentosa constituida a base de silicio, con unas concentraciones de sustancias dopantes de
1-10 ppta de boro,
1-20 ppta de fósforo,
1-10 ppta de arsénico,
y 0,01-1 ppta de aluminio,
así como con una duración de vida útil de los portadores de cargas eléctricas de por lo menos 2.000 y de a lo sumo 4.500 μs.
Método para purificar silicio.
(11/06/2014) Metodo para purificar silicio, comprendiendo el metodo:
(a) formar un primer liquido fundido a partir de silicio y un metal disolvente seleccionado del grupo de cobre,
esteño, zinc, antimonio, plata, bismuto, aluminio, cadmio, galio, indio, magnesio, plomo, una aleación de los mismos, y combinaciones de los mismos;
(b) poner en contacto el primer liquido fundido con un primer gas, para proporcionar desecho y un segundo liquido fundido, y para crear un remolino del primer liquido fundido o el segundo liquido fundido;
(c) poner en contacto el remolino con oxigeno para proporcionar desecho adicional; (d) separar el desecho y el…
PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCIÓN DE MÚLTIPLES CAPAS DE SILICIO CRISTALINO A PARTIR DE UNA OBLEA DE SILICIO.
(16/01/2014) Procedimiento para la obtención de múltiples capas de silicio cristalino a partir de una oblea de silicio.
Se divulga un método y sistema para la fabricación de multicapas de silicio cristalino a partir de una oblea de silicio por el cual se puede controlar el grosor de las distintas capas para que varíe desde la escala de cientos de nanómetros a la escala de decenas de micrómetros. El método de fabricación comprende etapas de litografía, de ataques electroquímicos, y recristalización de la oblea al mismo tiempo que se controlan los parámetros de reacción.
PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCIÓN DE MÚLTIPLES LÁMINAS DE SILICIO CRISTALINO A PARTIR DE UNA OBLEA DE SILICIO.
(19/12/2013). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITAT POLITECNICA DE CATALUNYA. Inventor/es: HERNANDEZ GARCIA,DAVID, ALCUBILLA GONZALEZ,RAMON, TRIFONOV,Trifon, GARÍN ESCRIVÁ,Moisés.
Se divulga un método y sistema para la fabricación de multicapas de silicio cristalino a partir de una oblea de silicio por el cual se puede controlar el grosor de las distintas capas para que varíe desde la escala de cientos de nanómetros a la escala de decenas de micrómetros. El método de fabricación comprende etapas de litografía, de ataques electroquímicos, y recristalización de la oblea al mismo tiempo que se controlan los parámetros de reacción.
Procedimiento para la producción de un silicio policristalino.
(27/06/2013) Procedimiento para la producción de un silicio policristalino, que comprende introducir un gas de reacción, quecontiene un componente con un contenido de silicio e hidrógeno, mediante una o varias toberas en un reactor conun volumen de espacios vacíos, limitado por medio de unas paredes con una determinada temperatura Tpared, quecontiene por lo menos una barra filamentosa calentada a una temperatura Tbarra, sobre la que se deposita silicio,caracterizado por que un número de Arquímedes Ar, que describe las condiciones de circulación en el reactor y quese calcula de la siguiente manera: Ar ≥ n * π * g * L3 * Ad
* (Tbarra - Tpared) / (2 * Q2 * (Tbarra + Tpared)), representando n el
número…
Método de concentración de isótopos.
(30/03/2012) Método de enriquecimiento de isótopos que comprende la etapa de realizar el intercambio de isótopos entre una disolución acuosa que contiene por lo menos dos componentes representándose de cada uno por la fórmula:
H2O-H2SiF6·nSiF4 (en la que n 0) y un gas que contiene SiF4 para enriquecer un isótopo estable de Si.
PROCEDIMIENTO PARA TRITURAR SILICIO POLICRISTALINO MACHACADO EN TROZOS GRANDES.
(24/05/2010) Procedimiento para triturar polisilicio en pedazos grandes, caracterizado porque se tritura el polisilicio en pedazos grandes por medio de una machacadora de cilindros que comprende un cilindro que gira con un árbol , consistiendo el cilindro en un cilindro portador de acero y en varios segmentos de metal duro , consistiendo los segmentos de metal duro en una matriz de cobalto en la que está incorporado carburo de wolframio, y estando fijados los segmentos de metal duro sobre el cilindro portador mediante un acoplamiento reversible de complementariedad de forma
PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACION DE TRICLOROMONOSILANO.
(10/05/2010) Procedimiento para la preparación de tricloromonosilano, en el que en un lecho fluidizado a base de partículas de silicio y de cloruro de hidrógeno, las partículas de silicio se hacen reaccionar con el cloruro de hidrógeno en un reactor de lecho fluidizado, empleándose como partículas de silicio un polvo fino de silicio que tiene un tamaño máximo de granos de 80 µm, y siendo introducido el polvo fino de silicio directamente en el reactor
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE SILICIO, PROCEDIMIENTO PARA LA SEPARACION DE SILICIO DE UNA MASA DE SAL EN FUSION Y PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE TETRAFLUORURO DE SILICIO.
(16/02/2010) Procedimiento para la producción de silicio, procedimiento para la separación de silicio de una masa de sal en fusión y procedimiento para la producción de tetrafluoruro.
La invención se refiere a la tecnología de silicio para semiconductores. El procedimiento según la invención consiste en la separación electrolítica de una masa fundida eutéctica saturada con tetrafluoruro de silicio, formada por un sistema ternario de sales fluoruro de metales alcalinos. Para la saturación de la masa fundida se utiliza un tetrafluoruro de silicio obtenido por fluoración de dióxido de silicio, donde la fluoración se realiza en dos etapas, esto es en la primera etapa se alimenta flúor elemental en exceso y en la segunda etapa se alimenta el dióxido…
PROCESO Y DISPOSITIVO PARA TRITURACION Y SELECCION DE POLISILICIO.
(21/12/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: SCHAFER,MARCUS, SCHANTZ,MATTHAUS, PECH,REINER.
Dispositivo para la trituración y selección de silicio policristalino, que comprende un equipo de alimentación para una fracción gruesa de polisilicio en una planta de fragmentación, la planta de fragmentación, y una planta de selección para la clasificación de la fracción de polisilicio, caracterizado porque el dispositivo está provisto de un control, que hace posible un ajuste variable de al menos un parámetro de fragmentación en la planta de fragmentación y al menos de un parámetro de selección en la planta de selección.
SILICIO Y PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCION.
(12/11/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: JSSI GMBH. Inventor/es: SONNENSCHEIN, RAYMUND, DR., MULLER, ARMIN, ADLER, PETER, KIRCHNER, HOLGER, SILL,TORSTEN, GOLZ,ANDREAS.
Procedimiento para la producción de silicio que es adecuado como material de partida para la preparación de una masa fundida de silicio para la fabricación de bloques de silicio o cristales de silicio, comprendiendo los pasos siguientes:
a) Introducción en un reactor de una mezcla de gases a base de un gas que contiene silicio y un gas auxiliar,
b) descomposición térmica de la mezcla de gases con formación de polvo de silicio,
c) separación del polvo de silicio formado de la mezcla de gases, y
d) compactación mecánica del polvo de silicio separado, caracterizado porque
e) la compactación mecánica se realiza con cilindros compactadores que al menos sobre la envolvente del cilindro son de un material cerámico.
SILICIO POLICRISTALINO Y PROCESO DE PRODUCCION CORRESPONDIENTE.
(01/06/2007). Solicitante/s: TOKUYAMA CORPORATION. Inventor/es: WAKAMATSU, SATORU, TOKUYAMA CORPORATION, ODA, HIROYUKI, TOKUYAMA CORPORATION.
Silicio policristalino alveolar que presente burbujas en su interior y una densidad aparente de 2, 20 g/cm3 o inferior.
PROCEDIMIENTO DE REFINADO DE SILICIO.
(16/12/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: ELKEM METALS COMPANY L.P. Inventor/es: JOHNSON, STEPHEN, SMITH, JERALD, OXMAN, STEVEN.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE AFINADO DE SILICIO FUNDIDO Y, ESPECIALMENTE, A UN SISTEMA EXPERTO PARA REFINAR SILICIO DE TIPO METALURGICO, FUNDIDO, MEDIANTE OXIDACION, PARA PRODUCIR SILICIO DE TIPO METALURGICO AFINADO. EL SISTEMA EXPERTO EMPLEA LAS SIGUIENTES FASES: MONITORIZAR LA TEMPERATURA A TRAVES DE UNA SONDA DE TEMPERATURA DEL SILICIO EN LA CUCHARA ; Y CALCULAR LA CANTIDAD DE SILICE Y OXIGENO PARA EL AFINADO.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE POLVO DE SILICIO ACTIVO PARA LA PREPARACION DE LOS ALQUILOS O ARILOS HALOGENOSILANOS.
(01/05/2002). Solicitante/s: PECHINEY ELECTROMETALLURGIE. Inventor/es: MARGARIA, THOMAS, MEONI, FLORENCE.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE POLVO DE SILICIO ACTIVO DESTINADO A LA REACCION DE ROCHOW, QUE CONSISTE EN TRITURAR SILICIO METALURGICO CON UNA GRANULOMETRIA INFERIOR A 350 MI , EN PRESENCIA DE AL MENOS UN CATALIZADOR Y/O PROMOTOR DE LA REACCION, PARA DEPOSITAR ESTE (O ESTOS) ELEMENTO(S) EN LA SUPERFICIE DE LOS GRANOS. LA INVENCION SE REFIERE TAMBIEN A UN POLVO DE SILICIO ACTIVO PARA LA REACCION DE ROCHOW, CON GRANULOMETRIA INFERIOR A 350 MI M, QUE LLEVA EN LA SUPERFICIE DE LOS GRANOS ENTRE 0,01 Y 0,1 G/M 2 DE COBRE, Y/O ENTRE 0,003 Y 0,03 G/M 2 DE ESTAÑO, Y/O ENTRE 0,003 Y 0,03 G/M 2 DE FOSFORO. EL POLVO SEGUN LA INVENCION PRESENTA UNA REACTIVIDAD Y UNA SELECTIVIDAD MEJORADAS, ASI COMO UN TIEMPO DE INCUBACION DE LA REACCION MAS CORTO.
ELIMINACION DE LOS RESIDUOS DE LA PRODUCCION DE ORGANOSILANOS, POR ADICION DE HIDROXIDOS O CARBONATOS DE METALES ALCALINOS O ALCALINOTERREOS, SIN PRODUCIR AGUAS RESIDUALES SINO PRODUCTOS QUE PUEDEN SER DEPOSITADOS EN VERTEDEROS.
(16/04/1999). Solicitante/s: DEGUSSA-HULS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: RUFF, KLAUS, BRUMME, JOHANNES, DR., HEINZE, ULRICH, DR.
SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO LIBRE DE AGUA RESIDUAL PARA LA ELIMINACION DE RESIDUOS QUE CONTIENEN SUSTANCIA SOLIDA DE UNA SINTESIS ORGANOCLOROXILANO. MEDIANTE TRATAMIENTO DE LOS RESIDUOS CON HIDROXIDOS ALCALINOS Y/O ALCALINOTERREOS Y/O CARBONATOS ALCALINOS Y/O CARBONATOS ALCALINOTERREOS ASI COMO RECONDUCCION DE LA FASE ACUOSA EN EL PROCESO, OBTENIENDOSE UN PRODUCTO QUE PUEDE SER ELIMINADO SOBRE EL TERRENO.
SILICIO DE GRANO FINO CON HALOGENO UNIDO SUPERFICIALMENTE, PROCEDIMIENTO PARA SU PREPARACION Y SU USO.
(16/02/1999). Solicitante/s: GE BAYER SILICONES GMBH & CO. KG. Inventor/es: DEGEN, BRUNO, LICHT, ELKE, SCHULZE, MANFRED, WAGNER, GEBHARD, MORETTO, HANS-HEINRICH, DR., RINKES, HANS, BORSTING, ALFRED.
SE DESCRIBE EL SILICIO FINAMENTE DIVIDIDO CON HALOGENO LIGADO A SU SUPERFICIE, EL PROCEDIMIENTO PARA SU PREPARACION POR REACCION DE SILICIO CON COMPUESTOS HALOGENADOS, ASI COMO LA UTILIZACION DEL SILICIO FINAMENTE DIVIDIDO EN LA SINTESIS DE ROCHOW.
SILICIO METALURGICO CON MICROESTRUCTURA CONTROLADA PARA LA PREPARACION DE LOS HALOGENOSILANOS.
(01/01/1998). Solicitante/s: PECHINEY ELECTROMETALLURGIE. Inventor/es: MARGARIA, THOMAS.
LA INVENCION SE REFIERE A UN SILICIO METALURGICO CON MICROESTRUCTURA CONTROLADA PARA LA PREPARACION DE HALOGENOSILANOS, CARACTERIZADO EN QUE, CUANDO UNA IMAGEN DE LA MICROESTRUCTURA OBTENIDA CON MICROSCOPIO ELECTRONICO DE BARRIDO SE TRATA POR BINARIZACION ENTRE UNA FASE INTERMETALICA Y UNA MATRIZ DE SILICIO, TRAS LA DILATACION DE LAS ZONAS QUE CORRESPONDEN A LA FASE INTERMETALICA CON UNA EXTENSION ALREDEDOR DE ESTAS ZONAS DE 10 MICRONES, LA RELACION S/SO DE LAS FRACCIONES DE SUPERFICIES DE LA FASE INTERMETALICA ENTRE LA IMAGEN DILATADA Y LA IMAGEN ANTES DE LA DILATACION ESTA COMPRENDIDA ENTRE 20 Y 40. EL SILICIO SEGUN LA INVENCION ASEGURA UNA REACTIVIDAD ELEVADA A LA REACCION DE ROCHOW PARA LA FABRICACION DE HALOGENOSILANOS DESTINADOS A LA PREPARACION DE SILICONAS.
SILICIO PARA CELULAS SOLARES, PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION ASI COMO SU EMPLEO.
(01/12/1993). Solicitante/s: BAYER AG. Inventor/es: SCHWIRTLICH, INGO, DR..
EL INVENTO ANTES CITADO SE REFIERE A UN SILICIO, CON PROPIEDADES FOTOVOLTAICAS MEJORADAS, PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION ASI COMO SU UTILIZACION PARA LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES.
