Procedimiento para la fabricación de resonadores esferoidales sobre un substrato monocristalino.
Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Electricidad
(18/12/2017). Solicitante/s: UNIVERSITAT POLITECNICA DE CATALUNYA. Clasificación: B81C1/00, H01L21/027.
Procedimiento para la fabricación de resonadores esferoidales sobre un substrato monocristalino.
El procedimiento comprende realizar, mediante la utilización de al menos una técnica litográfica y de grabado, una matriz de pilares sobre la superficie de un substrato monocristalino ; y reorganizar en fase sólida, dicha matriz de pilares por difusión superficial mediante un proceso de recocido a alta temperatura, igual o por encima de 1000ºC, proporcionando un número predeterminado de esferoides , en correspondencia al número de pilares , que están unidos al substrato monocristalino por un cuello.
PDF original: ES-2646942_A2.pdf
PDF original: ES-2646942_R1.pdf
MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER.
(18/02/2014) Método para el dopado selectivo de un semiconductor mediante transferencia inducida por láser, que comprende un sistema precursor compuesto de al menos una capa absorbente a la radiación láser, con una solución dopante y un soporte transparente , el cual se coloca enfrentado y en contacto directo con el sistema receptor donde se integra el substrato semiconductor y se irradia con uno o más pulsos de un haz láser focalizados en la interfaz entre la fuente y el substrato, provocando la transferencia de material proveniente de la fuente hacia el substrato y la introducción de átomos dopantes provenientes de la fuente dentro del substrato semiconductor. El sustrato…
PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCIÓN DE MÚLTIPLES CAPAS DE SILICIO CRISTALINO A PARTIR DE UNA OBLEA DE SILICIO.
(16/01/2014) Procedimiento para la obtención de múltiples capas de silicio cristalino a partir de una oblea de silicio.
Se divulga un método y sistema para la fabricación de multicapas de silicio cristalino a partir de una oblea de silicio por el cual se puede controlar el grosor de las distintas capas para que varíe desde la escala de cientos de nanómetros a la escala de decenas de micrómetros. El método de fabricación comprende etapas de litografía, de ataques electroquímicos, y recristalización de la oblea al mismo tiempo que se controlan los parámetros de reacción.
PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCIÓN DE MÚLTIPLES LÁMINAS DE SILICIO CRISTALINO A PARTIR DE UNA OBLEA DE SILICIO.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(19/12/2013). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITAT POLITECNICA DE CATALUNYA. Clasificación: C01B33/02.
Se divulga un método y sistema para la fabricación de multicapas de silicio cristalino a partir de una oblea de silicio por el cual se puede controlar el grosor de las distintas capas para que varíe desde la escala de cientos de nanómetros a la escala de decenas de micrómetros. El método de fabricación comprende etapas de litografía, de ataques electroquímicos, y recristalización de la oblea al mismo tiempo que se controlan los parámetros de reacción.
RADICALES ORGÁNICOS COMO COMPONENTES SEMICONDUCTORES.
(25/05/2012) Radicales orgánicos como componentes semiconductores.
La presente invención se refiere al uso de radicales orgánicos, que se sintetizan a partir de derivados del carbazol y otros poliheterociclos con el radical libre estable tris(2,4,6-triclorofenil)metilo (TTM), como semiconductores.
SILICIO MACROPOROSO CON RECUBRIMIENTO MICROPOROSO PARA MICROREACTORES CATALITICOS Y FILTROS.
(17/09/2010) Silicio macroporoso con recubrimiento para microreactores catalíticos y filtros.
La presente invención consiste en presentar un "Silicio macroporoso como estructura de microtubos y microtuneles cuyas paredes se funcionalizarán recubriéndolas con las sustancias adecuadas para formar microagujas y micromonolitos en los que se produzcan reacciones químicas de los gases o líquidos que se pongan en contacto", cuyas nuevas características de elevada relación superficie por unidad de volumen, robustez mecánica, excelente comportamiento con la temperatura y la posibilidad de crecer capas de óxido de silicio, zeolitas u otros compuestos…
