(09/07/2014) Una placa serigráfica para su uso en la impresión de una pasta conductora para formar simultáneamente un electrodo de barra colectora y una pluralidad de electrodos de dedo en un panel solar, incluyendo la placa serigráfica una abertura del electrodo de barra colectora y una pluralidad de aberturas del electrodo de dedo , caracterizada por que las aberturas del electrodo de dedo tienen una anchura de la abertura de menos de 80 μm, y la placa serigráfica tiene una pluralidad de zonas bloqueadas en la abertura del electrodo de barra colectora , en posiciones alineadas con las aberturas del electrodo de dedo .

(04/06/2014) Panel fotovoltaico de vidrio de seguridad estructural para cubrir invernaderos destinados a cultivos agrícolas, del tipo que comprende una pluralidad de células fotovoltaicas insertadas entre dos láminas de vidrio acopladas una a otra por dos láminas de material polimérico transparente , estando posicionadas dichas células fotovoltaicas entre dichas dos láminas de material polimérico transparente , caracterizado por que dicho material polimérico transparente está libre de sustancias estabilizadoras para rayos ultravioleta.

(19/03/2014) Célula fotovoltaica que comprende: - un sustrato que comprende una unión fotovoltaica, - una capa de recogida , eléctricamente conductora, - una película de pasivación , eléctricamente conductora, que separa la capa de recogida de una cara posterior del sustrato , célula caracterizada porque un patrón de conexión , eléctricamente conductor, mantiene en suspensión una zona de la capa de recogida con respecto a la película de pasivación .

(19/02/2014) Dispositivo de texturización mecánica de una oblea de silicio , destinada a constituir una célula fotovoltaica, que comprende una pluralidad de puntas de carburo de tungsteno y un soporte que comprende una pluralidad de alojamientos adaptados cada uno para alojar con deslizamiento una punta de carburo de tungsteno y medios para mantener apoyada cada una de la pluralidad de puntas contra la oblea de silicio según una fuerza constante independiente de las variaciones de grosor de dicha oblea.

(19/02/2014) Cinta de carbono (16') que comprende dos caras y dos extremos longitudinales , comprendiendo al menos una de las caras de la cinta (16') una parte central (20a, 22a) situada entre los dos extremos longitudinales 34, 36) y destinada a recibir el deposito de una capa de un material semiconductor , caracterizada por que comprende además, en al menos una de sus caras , al menos una ranura longitudinal situada entre uno de dichos extremos y la parte central (20a, 22a), y por que la ranura longitudinal está conformada de manera que, cuando la capa de dicho material semiconductor es depositada, dicho material semiconductor que rellena dicha ranura forma una protuberancia adyacente a uno de los extremos longitudinales de una de las caras de la cinta de carbono.

(08/01/2014) Procedimiento de realización de al menos un conductor eléctrico sobre un material semiconductor, caracterizado porque comprende las siguientes etapas: (E1) - depositar mediante serigrafía una primera pasta de alta temperatura y calentar la primera pasta de alta temperatura serigrafiada a una temperatura superior a 500ºC; (E2) - depositar mediante serigrafía una segunda pasta de baja temperatura al menos parcialmente superpuesta a la primera pasta de alta temperatura depositada durante la etapa anterior y calentar la segunda pasta de baja temperatura serigrafiada a una temperatura inferior a 500ºC.

(04/12/2013) Procedimiento para la purificación de silicio metalúrgico por solidificación dirigida con el fin de obtener silicio de calidad solar o fotovoltaica , procedimiento caracterizado porque comprende una etapa de cristalización usando un germen de silicio que recubre el fondo del crisol.

(27/11/2013) Módulo de células solares que comprende unas células solares primera y segunda dispuestas en una línea en una primera dirección y un elemento de cableado que conecta eléctricamente las células solares primera y segunda, en el que las células solares primera y segunda incluyen cada una una parte de conversión fotoeléctrica configurada para producir portadores fotogenerados al recibir luz y un electrodo de recogida que está formado sobre una superficie principal de la parte de conversión fotoeléctrica y que está configurado para recoger los portadores fotogenerados, el elemento de cableado está provisto en la primera dirección sobre las superficies principales de las células solares primera y segunda, una resina…

(26/11/2013) Procedimiento de fabricación de células fotovoltaicas que comprende las siguientes etapas: - fabricar una cinta de material compuesto depositando en continuo dos capas de material semiconductor que rodean una cinta de carbono , pasando la cinta de carbono por un baño de material semiconductor fundido, teniendo respectivamente cada una de las dos capas de material semiconductor una cara libre opuesta a su cara en contacto con la cinta de carbono, - aplicar al menos un tratamiento a partir de la cara libre de al menos una de dichas capas de material semiconductor, en vistas a realizar funciones fotovoltaicas de dichas células sobre dicha capa, antes de la eliminación de la cinta de carbono , - eliminar el depósito de material semiconductor sobre los flancos de la cinta de material compuesto,…

(26/11/2013) Un sistema de microextrusión que comprende: un conjunto de cabeza de impresión que incluye: • Un orificio de entrada, y • una estructura de boquilla que define una pluralidad de canales (162-1 a 162-5) deboquilla alargados paralelos que incluyen un primer canal de boquilla, presentandocada canal (162-1 a 162-5) de boquilla alargado una porción (162-1l a 162-5l) de entradaque comunica con dicho orificio , y una porción (162-1O a 162-5O) de salida quecomunica con un orificio (169-1 a 169-5) de salida de boquilla asociado; • al menos una estructura de válvula dispuesta de manera amovible enposición adyacente al orificio (169-1 a 169-5) de salida de boquilla de cada dicha pluralidadde canales (161-1 a 162-5) de boquilla alargados, en el que dicha al menos una estructurade válvula está dispuesta entre la porción…

(20/11/2013) Procedimiento para depositar una capa de un material semiconductor sobre al menos una de las doscaras de una cinta de carbono , incluyendo dicha cinta dos bordes , según el procedimiento lacinta se extrae progresivamente hacia arriba , sensiblemente verticalmente, atravesando en el sentido de sulongitud la superficie horizontal de equilibrio de un baño del material semiconductor fundido, el cual se depositapor humectación sobre dicha cara a medida que se produzca la estirada de la cinta de carbono, siendo elprocedimiento caracterizado porque consiste en modificar la forma de los bordes de la cinta detal modo que aumente el espesor de la capa de material semiconductor depositado sobre los bordes de la cinta.

(30/10/2013) Un conjunto de soporte para el alojamiento temporal de uno o más laminados de células solares mientrasdichos laminados solares son transportados a través de una planta de laminación, comprendiendo dicholaminado de células solares: una capa de células solares de material de silicio, una capa de encapsulación superior y una inferior dematerial de EVA que cubren la parte superior y la parte inferior de dicha capa de células solares, una capa de protección superior e inferior que cubren dichas capas de encapsulación superior e inferior,respectivamente, teniendo dicha capa de encapsulación una temperatura de fusión específica y unatemperatura de curado específica, siendo dicha temperatura de fusión inferior a dicha temperatura de curado, ycomprendiendo dicho conjunto de soporte: una carcasa de soporte de…

(29/10/2013) Procedimiento para fabricar un elemento de construcción semiconductor con una zona superficial dopada selectivamente, que presenta: Preparar un substrato portador semiconductor dopado ; Producir una capa de separación en una superficie del substrato portador semiconductor; Precipitar una capa semiconductora dopada sobre la capa de separación; Disolver la capa semiconductora dopada del substrato portador semiconductor; en el cual los parámetros de proceso, que comprenden al menos un parámetro del grupo temperatura de proceso, desarrollo de la temperatura de proceso y duración del proceso, se eligen de manera que mediante difusión de cuerpo sólido dopantes de la capa de separación se difunden en la capa semiconductora precipitada,…

(24/09/2013) Procedimiento para la fabricación de módulos solares, caracterizado porque en una etapa a) se lamina un sustrato transparente u opaco con un material de empaquetadura de al menos un copolímero de a-olefina-acetato de vinilo con un contenido en acetato de vinilo de 40 % en peso, con respecto al peso total delcopolímero de a-olefina-acetato de vinilo, para obtener un componente y en una etapa b) un componente fabricado según la etapa a) a partir de sustrato transparente y un componente fabricado según laetapa a) a partir de sustrato opaco con al menos una célula solar, que está colocada entre el componentetransparente y el componente opaco, se laminan para obtener el módulo solar, realizándose la laminación en laetapa a) o/y en la etapa b) a temperaturas de 140 ºC a 220 ºC.

(17/09/2013) Procedimiento para depositar calcogenuros por co-evaporación física. La invención se refiere a un procedimiento de deposición de calcogenuros con control de la presión de gas mediante activación pulsada y continua de una válvula en la fuente de gas calcógeno. Gracias a la aplicación de estos pulsos se puede controlar la presión en la cámara de manera que la estequiometría es fácilmente controlable, mientras que se puede prescindir de válvulas complicadas.

(10/09/2013) Una celda solar que comprende: un sustrato 500; 600; 700; 800; 1000; 1100; 1200; 1300; 1300' que comprende un silicio grado metalúrgico dopado;una primera estructura de película delgada (505, 510; 605, 610; 705, 710; 805, 810; 1005, 1010; 1105, 1115; 1105',1115'; 1205', 1215'; 1305, 1315; 1305', 1310') formada sobre y en contacto con el lado superior del sustrato,una primera estructura de película delgada formada sobre y en contacto con el lado superior del sustrato, formandopor lo tanto una unión p-i-n con el sustrato; un contacto conductor superior (520; 620; 780; 820; 1020, 1025; 1135, 1160; 1135', 1140; 1235, 1240; 1235', 1240';1320; 1320') formados por encima de la estructura de película delgada; conductora un…

(06/09/2013) Célula fotovoltaica monolítica que comprende al menos una unión , donde dicha al menos unaunión incluye una base formada por un material semiconductor dopado epitaxialmente de un primer tipo deconductividad y un emisor formado por un material semiconductor dopado de un segundo tipo deconductividad opuesto al primero, estando dicho emisor apilado sobre la base de acuerdo con una primera dirección(x), y teniendo la base de al menos una de dicha al menos una unión un gradiente decreciente de concentración dedopante (C(x)) a lo largo de dicha primera dirección caracterizada porque dicha base comprende: una primera porción lejos del emisor, una segunda porción próxima al emisor, y una tercera porción entre la primeraporción y la segunda porción, donde: - en la primera porción, dicho gradiente decreciente de concentración…

(28/08/2013) Método de fabricación de una lámina fotovoltaica que comprende una capa de TCO, una capa fotovoltaica y unelectrodo posterior, en un proceso continuo rollo a rollo, este método comprende los siguientes pasos: • proporcionar un sustrato temporal conductivo que sea más conductivo que la capa de TCO • aplicar la capa de TCO sobre el sustrato temporal conductivo • aplicar una capa fotovoltaica sobre la capa de TCO • aplicar un electrodo posterior • eliminar el sustrato temporal conductivo, el método se caracteriza por el hecho de que dicha capafotovoltaica se aplica mediante electrodeposición, con la corriente para la electrodeposición suministrada através del sustrato temporal.

(22/08/2013) Un aparato para la deposición de vapor de una materia fuente sublimada en forma de una películadelgada sobre un sustrato de un módulo fotovoltaico (FV), comprendiendo dicho aparato: una cabeza de deposición; un receptáculo dispuesto en dicha cabeza de deposición, estando configurado dichoreceptáculo para la recepción de una materia fuente granular; un colector calentado de distribución dispuesto por debajo de dicho receptáculo , configuradodicho colector calentado de distribución para calentar dicho receptáculo hasta un gradosuficiente como para sublimar la materia fuente dentro de dicho receptáculo ; y, una placa de distribución que comprende más…

(21/08/2013) Un cristal en cinta que comprende: un cuerpo alargado que tiene una dimensión de anchura perpendicular a su longitud y una dimensión de grosorperpendicular a su anchura; y primer y segundo hilos incrustados dentro del cuerpo en extremos opuestos de la anchura y paralelos a lalongitud, estando caracterizado el cristal en cinta por: tener el primer hilo una forma de sección transversal generalmente alargada, teniendo la sección transversal del hiloun eje longitudinal que no es paralelo a la dimensión de anchura.

(21/08/2013) Sustrato (1, 1') con función de vidrio que contiene metales alcalinos, que comprende una primera cara principaldestinada a ser asociada a una capa a base de material absorbente, del tipo calcopirita, y una segunda caraprincipal, comprendiendo al menos una porción de superficie de la primera cara principal del sustrato (1') una capaconductora a base de molibdeno, una capa de barrera frente a los metales alcalinos que no está interpuestaentre la capa conductora a base de molibdeno y la primera cara principal del sustrato (1'), caracterizado porquecomprende sobre al menos una porción de la superficie de la segunda cara principal al menos una capa de barrera frente a los metales alcalinos.

(13/08/2013) Un dispositivo fotovoltaico que comprende: un sustrato de vidrio a base de sílice sodocalcico ; una película semiconductora; un electrodo frontal conductor pirolitico sustancialmente transparente que comprende oxido de estano proporcionado entre al menos el sustrato de vidrio y la película semiconductora; y donde una superficie del sustrato de vidrio a base de sílice sodocalcico , sobre la cual se proporciona el electrodo frontal pirolitico que comprende oxido de estano, se texturiza para que tenga una superficie texturizada (1a) con una rugosidad media de superficie de aproximadamente 1 a 500 !m, y caracterizado en que dicha texturizacion se obtiene…

(05/07/2013) Dispositivo de estructuración (A) para capas semiconductoras, que comprende un útil de estructuración (T) y unaunidad de guía de traza (U) que está unida con al menos un sensor capacitivo o inductivo (D1, D2) y que estáconcebida de tal manera que se puede reconocer una desviación del sensor (D1, D2) respecto de una traza dereferencia (G1...G3'), practicada en la superficie o en el material de la capa, con ayuda de las señales (S1, S2) delos mismos, y en base a esta desviación se pueden generar unas señales de control para guiar el útil deestructuración (T) a una distancia lateral (d) y paralelamente a la traza de referencia (G1...G3').

(08/05/2013) Una célula solar de película delgada con una cara frontal en la que entra la luz y una cara trasera que tiene - un sustrato de calidad no solar que tiene al menos un agujero pasante que conecta la cara frontalcon la cara trasera; - al menos una capa de base depositadaactiva de manera fotovoltaica y al menos una capa (1') deemisor formadas al menos en regiones de la cara frontal y enrolladas a través de dicho agujero pasantedesde la cara frontal hasta la cara trasera que proporciona un contacto de emisor de enrollamientopasante (EWT); y - al menos una región de contacto de emisor y al menos una región de contacto de base en la caratrasera aisladas entre sí.

(23/04/2013) Procedimiento de fabricación de capas finas de aleaciones semiconductoras de tipo I-III-VI2 que incluyen azufre, para aplicaciones fotovoltaicas en el cual: a) se deposita sobre un sustrato una heteroestructura que comprende una capa fina de precursor I-III-VI2 sensiblemente amorfa, y una capa fina que incluye al menos azufre elemental, depositándose la capa de precursor a la vez que se mezclan elementos constitutivos del precursor de manera a conferir al precursor una estructura que comprende granos nanométricos de aleaciones, unidos por fases amorfas, y estando realizada la deposición de la capa fina que incluye azufre, por deposición química en solución, estando situados el sustrato y la capa de precursor en un reactor…

(11/04/2013) Instalación de producción para la fabricación de células solares en el procedimiento continuo,con un dispositivo de transporte para el transporte de células individuales en varias pistas paralelas (18.1 -18.n), un dispositivo de cambio continuo-discontinuo , que está diseñado para cargar células desde las pistasparalelas (18.1. - 18.n) simultáneamente en un soporte y apilar las células en cada caso de una pista una sobre otra en este soporte , y un dispositivo de cambio discontinuo-continuo , que está diseñado para descargar las células desde estesoporte y guiarlas sobre al menos una pista de un dispositivo de transporte .

(11/04/2013) Un procedimiento de fabricación de una oblea de silicio de calidad solar, comprendiendo dicho procedimiento lasetapas de: proporcionar un molde cerámico de oblea de calidad solar con una porosidad superior a cero; proporcionar una mezcla que incluye un medio de suspensión, un agente aglutinante en suspensión, y unagente de oclusión de poros en suspensión; tratar dicho molde cerámico de oblea de calidad solar con dicha mezcla para producir un molde cerámico deoblea de calidad solar con porosidad reducida; proporcionar una pasta que incluye un líquido que esencialmente evita la oxidación del polvo de silicio y unpolvo de silicio que está prácticamente libre de óxidos; introducir dicha pasta en dicho molde cerámico de oblea de calidad solar con porosidad reducida; precipitar dicho polvo de silicio a partir de dicha pasta para formar una preforma…

(09/04/2013) Un procedimiento de deposición electroquímica de finas películas sobre unos sustratos individuales,comprendiendo el procedimiento: la conducción de los sustratos individuales hasta el interior de una cámara de vacío para producir unapresión de deposición electroquímica inferior a 66,5 mbarios; y la conducción de los sustratos individuales hasta una cámara de deposición electroquímica y su pasopor un magnetrón plano que pulveriza en continuo un objetivo mediante un gas ionizado a la presiónde deposición electroquímica de manera que se forma una fina película sobre una superficie del sustrato individual, y en el que…

(02/04/2013) Sistema dinámico para calentamiento o enfriamiento variables de sustratos transportados linealmente. Se proporciona un sistema para el calentamiento o el enfriamiento de sustratos discretos, transportados linealmente, con un hueco entre un borde posterior de un primer sustrato y un borde anterior de un sustrato subsiguiente en una dirección de transporte. El sistema incluye una cámara y un transportador configurados de forma funcional dentro de la cámara para mover los sustratos a través de ella a una velocidad de transporte. Una pluralidad de unidades de control de temperatura controladas individualmente, por ejemplo, unidades calefactoras o refrigerantes, se disponen linealmente dentro de la cámara a lo largo de la dirección de transporte. Un controlador está en comunicación con cada una de las unidades…

(08/08/2012) Un procedimiento para la guía de cintas de contacto en módulos solares, los cuales consisten de un laminadoformado por una placa de vidrio orientada hacia la luz y una placa de vidrio opuesta a la luz,caracterizado por que - las cintas de contacto son guiadas desde el lado superior de la placa de vidrio opuesta a la luz alrededor de losbordes de esa placa de vidrio, - siendo recubiertas hasta el lado inferior de dicha placa de vidrio con un medio de laminación y por lo menoshasta por encima del borde superior de dicha placa de vidrio con una hoja aislante, - siendo mantenidas en esa posición para la laminación de las dos placas de vidrio.