CIP-2021 : H01L 21/00 : Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
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H01L 21/02 · Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas.
Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H01L 21/027 · · Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupo H01L 21/18 o H01L 21/34.
H01L 21/033 · · · incluyendo capas inorgánicas.
H01L 21/04 · · los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas.
H01L 21/06 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen selenio o teluro, en forma no combinada, no constituyendo impurezas para los cuerpos semiconductores de otros materiales.
H01L 21/08 · · · · Preparación de la placa de soporte.
H01L 21/10 · · · · Tratamiento preliminar del selenio o del teluro, aplicación sobre la placa de soporte, o tratamiento subsiguiente del conjunto.
H01L 21/103 · · · · · Conversión del selenio o del teluro al estado conductor.
H01L 21/105 · · · · · Tratamiento de la superficie de la capa de selenio o de teluro después de la conversión al estado conductor.
H01L 21/108 · · · · · Producción de capas aislantes discretas, es decir, barreras de superficie no activas.
H01L 21/12 · · · · Aplicación de un electrodo a la superficie libre del selenio o del teluro, después de la aplicación del selenio o del teluro a la placa de soporte.
H01L 21/14 · · · · Tratamiento del dispositivo completo, p. ej. por electromoldeo para formar una barrera.
H01L 21/145 · · · · · Envejecimiento.
H01L 21/16 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen óxido cuproso o ioduro cuproso.
H01L 21/18 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del Grupo IV de la Tabla Periódica, o de compuestos A III B V con o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado.
Notas[n] de H01L 21/18: - El presente grupo cubre igualmente los procedimientos y los aparatos que, utilizando la tecnología apropiada, están claramente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos cuyos cuerpos comprenden elementos del Grupo IV del Sistema Periódico o compuestos A III B V incluso si el material utilizado no está explícitamente especificado
H01L 21/20 · · · · Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
H01L 21/203 · · · · · utilizando un depósito físico, p. ej. depósito en vacío, pulverización.
H01L 21/205 · · · · · utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
H01L 21/208 · · · · · utilizando un depósito líquido.
H01L 21/22 · · · · Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras; Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario.
H01L 21/223 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase gaseosa.
H01L 21/225 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.
H01L 21/228 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.
H01L 21/24 · · · · Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.
H01L 21/26 · · · · Bombardeo con radiación ondulatoria o de partículas.
H01L 21/261 · · · · · para producir una reacción nuclear que transmute elementos químicos.
H01L 21/263 · · · · · con radiaciones de alta energía (H01L 21/261 tiene prioridad).
H01L 21/265 · · · · · · produciendo una implantación de iones.
H01L 21/266 · · · · · · · utilizando máscaras.
H01L 21/268 · · · · · · utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.
H01L 21/28 · · · · Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.
H01L 21/283 · · · · · Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.
H01L 21/285 · · · · · · a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
H01L 21/288 · · · · · · a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico.
H01L 21/30 · · · · Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/26 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/28).
H01L 21/301 · · · · · para subdividir un cuerpo semiconductor en partes separadas, p. ej. realizando particiones (corte H01L 21/304).
H01L 21/302 · · · · · para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado.
H01L 21/304 · · · · · · Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte.
H01L 21/306 · · · · · · Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).
H01L 21/3063 · · · · · · · Grabado electrolítico.
H01L 21/3065 · · · · · · · Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos.
H01L 21/308 · · · · · · · utilizando máscaras (H01L 21/3063, H01L 21/3065, tienen prioridad).
H01L 21/31 · · · · · para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas (capas de encapsulamiento H01L 21/56 ); Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas.
H01L 21/3105 · · · · · · Postratamiento.
H01L 21/311 · · · · · · · Grabado de las capas aislantes.
H01L 21/3115 · · · · · · · Dopado de las capas aislantes.
H01L 21/312 · · · · · · Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
H01L 21/314 · · · · · · Capas inorgánicas (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
H01L 21/316 · · · · · · · compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.
H01L 21/318 · · · · · · · compuestas de nitruros.
H01L 21/32 · · · · · · utilizando máscaras.
H01L 21/3205 · · · · · · Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).
H01L 21/321 · · · · · · · Postratamiento.
H01L 21/3213 · · · · · · · · Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada.
H01L 21/3215 · · · · · · · · Dopado de las capas.
H01L 21/322 · · · · · para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos.
H01L 21/324 · · · · · Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen preferencia).
H01L 21/326 · · · · · Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/324 tienen prioridad).
H01L 21/328 · · · · Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo bipolar, p. ej. diodos, transistores, tiristores.
H01L 21/329 · · · · · teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.
H01L 21/33 · · · · · teniendo los dispositivos tres o más electrodos.
H01L 21/331 · · · · · · Transistores.
H01L 21/332 · · · · · · Tiristores.
H01L 21/334 · · · · Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar.
H01L 21/335 · · · · · Transistores de efecto de campo.
H01L 21/336 · · · · · · con puerta aislada.
H01L 21/337 · · · · · · con unión PN.
H01L 21/338 · · · · · · con puerta Schottky.
H01L 21/339 · · · · · Dispositivos de transferencia de carga.
H01L 21/34 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores no cubiertos por los grupos H01L 21/06, H01L 21/16, y H01L 21/18 con o sin impurezas, p. ej. material de dopado.
H01L 21/36 · · · · Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
H01L 21/363 · · · · · utilizando un depósito físico, p. ej. depósito bajo vacío, pulverización.
H01L 21/365 · · · · · utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso que dan un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
H01L 21/368 · · · · · utilizando un depósito líquido.
H01L 21/38 · · · · Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras.
H01L 21/383 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase gaseosa.
H01L 21/385 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.
H01L 21/388 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.
H01L 21/40 · · · · Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. de los materiales de dopado, de los materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.
H01L 21/42 · · · · Bombardeo por radiaciones.
H01L 21/423 · · · · · por radiaciones de energía elevada.
H01L 21/425 · · · · · · que producen una implantación de iones.
H01L 21/426 · · · · · · · utilizando máscaras.
H01L 21/428 · · · · · · utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.
H01L 21/44 · · · · Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428.
H01L 21/441 · · · · · Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.
H01L 21/443 · · · · · · a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
H01L 21/445 · · · · · · a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico.
H01L 21/447 · · · · · que implican la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión (H01L 21/607 tiene prioridad).
H01L 21/449 · · · · · que implican la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas.
H01L 21/46 · · · · Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/44).
H01L 21/461 · · · · · para cambiar las características físicas o la forma de su superficie, p. ej. grabado, pulido, recortado.
H01L 21/463 · · · · · · Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, tratamiento por ultrasonidos.
H01L 21/465 · · · · · · Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabado electrolítico (para formar capas aislantes H01L 21/469).
H01L 21/467 · · · · · · · utilizando máscaras.
H01L 21/469 · · · · · · para formar las capas aislantes sobre los cuerpos, p. ej. para enmascarar o que utilizan técnicas fotolitográficas (capas de encapsulación H01L 21/56 ); Postratamiento de esas capas.
H01L 21/47 · · · · · · · Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/475, H01L 21/4757 tienen prioridad).
H01L 21/471 · · · · · · · Capas inorgánicas (H01L 21/475, H01L 21/4757 tienen prioridad).
H01L 21/473 · · · · · · · · compuestas de óxido, óxidos vítreos o de cristales a base de óxido.
H01L 21/475 · · · · · · · utilizando máscaras.
H01L 21/4757 · · · · · · · Postratamiento.
H01L 21/4763 · · · · · · Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras, resistivas sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).
H01L 21/477 · · · · · Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/475 tienen prioridad).
H01L 21/479 · · · · · Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/477 tienen prioridad).
H01L 21/48 · · · Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.
H01L 21/50 · · · Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.
H01L 21/52 · · · · Montaje de cuerpos semiconductores en los contenedores.
H01L 21/54 · · · · Rellenado de contenedores, p. ej. rellenado gaseoso.
H01L 21/56 · · · · Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos.
H01L 21/58 · · · · Montaje de los dispositivos semiconductores sobre los soportes.
H01L 21/60 · · · · Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.
H01L 21/603 · · · · · implicando la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión (H01L 21/607 tiene prioridad).
H01L 21/607 · · · · · implicando la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas.
H01L 21/62 · · los dispositivos no tienen barrera de potencial ni de superficie.
H01L 21/64 · Fabricación o tratamiento de dispositivos de estado sólido diferentes de los dispositivos de semiconductores, o de sus partes constitutivas, por métodos no concebidos especialmente para uno de los dispositivos cubiertos por los grupos H01L 31/00 - H01L 51/00.
H01L 21/66 · Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento.
H01L 21/67 · Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido.
H01L 21/673 · · que utilizan portadores especialmente adaptados.
H01L 21/677 · · para el transporte, p. ej. entre diferentes estaciones de trabajo.
H01L 21/68 · · para el posicionado, orientación o alineación.
H01L 21/683 · · para sostener o sujetar (para el posicionado, orientación o alineación H01L 21/68).
H01L 21/687 · · · que utilizan medios mecánicos, p. ej. mandiles, abrazaderas o pinzas.
H01L 21/70 · Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos (fabricación de conjuntos de componentes eléctricos prefabricados H05K 3/00, H05K 13/00).
H01L 21/71 · · Fabricación de partes constitutivas específicas de dispositivos definidos en el grupo H01L 21/70 (H01L 21/28, H01L 21/44, H01L 21/48 tienen prioridad).
H01L 21/74 · · · Realización de regiones profundas de alta concentración de impurezas, p. ej. capas colectoras profundas, conexiones internas.
H01L 21/76 · · · Realización de regiones aislantes entre los componentes.
H01L 21/761 · · · · Uniones PN.
H01L 21/762 · · · · Regiones dieléctricas.
H01L 21/763 · · · · Regiones semiconductoras policristalinas.
H01L 21/764 · · · · Espacios de aire.
H01L 21/765 · · · · por efecto de campo.
H01L 21/768 · · · Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo.
H01L 21/77 · · Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común (memorias de solo lectura programables eléctricamente EPROM o sus procesos de fabricación multi-etapa H01L 27/115).
H01L 21/78 · · · con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales (corte para cambiar las características físicas de superficie o la forma de los cuerpos semiconductores H01L 21/304).
H01L 21/782 · · · · para producir dispositivos que consisten cada uno en un solo elemento de circuito (H01L 21/82 tiene prioridad).
H01L 21/784 · · · · · siendo el sustrato un cuerpo semiconductor.
H01L 21/786 · · · · · siendo el substrato distinto de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.
H01L 21/82 · · · · para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes.
H01L 21/822 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio (H01L 21/8258 tiene prioridad).
H01L 21/8222 · · · · · · Tecnología bipolar.
H01L 21/8224 · · · · · · · que comprende una combinación de transistores verticales y laterales.
H01L 21/8226 · · · · · · · que comprende una lógica de transistores fusionados o una lógica de inyección integrada.
H01L 21/8228 · · · · · · · Dispositivos complementarios, p. ej. transistores complementarios.
H01L 21/8229 · · · · · · · Estructuras de memorias.
H01L 21/8232 · · · · · · Tecnología de efecto de campo.
H01L 21/8234 · · · · · · · Tecnología MIS.
H01L 21/8236 · · · · · · · · Combinación de transistores de enriquecimiento y transistores de empobrecimiento.
H01L 21/8238 · · · · · · · · Transistores de efecto de campo complementarios, p. ej. CMOS.
H01L 21/8239 · · · · · · · · Estructuras de memorias.
H01L 21/8242 · · · · · · · · · Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM).
H01L 21/8244 · · · · · · · · · Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM).
H01L 21/8246 · · · · · · · · · Estructuras de memorias de solo lectura (ROM).
H01L 21/8248 · · · · · · Combinación de tecnología bipolar y tecnología de efecto de campo.
H01L 21/8249 · · · · · · · Tecnología bipolar y MOS.
H01L 21/8252 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología III-V (H01L 21/8258 tiene prioridad).
H01L 21/8254 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología II-IV (H01L 21/8258 tiene prioridad).
H01L 21/8256 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnologías no cubiertas por uno de los grupos H01L 21/822, H01L 21/8252 o H01L 21/8254 (H01L 21/8258 tiene prioridad).
H01L 21/8258 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando una combinación de tecnologías cubiertas por los grupos H01L 21/822, H01L 21/8252, H01L 21/8254 o H01L 21/8256.
H01L 21/84 · · · · · siendo el sustrato diferente a un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.
H01L 21/86 · · · · · · siendo el cuerpo aislante de zafiro, p. ej. silicio sobre una estructura de zafiro, es decir, S.O.S..
H01L 21/98 · · Ensamblaje de dispositivos que consisten en componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común; Ensamblaje de dispositivos de circuito integrado (H01L 21/50 tiene prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA ACONDICIONAR LAMINAS SEMICONDUCTORAS Y/O HIBRIDAS.
(16/05/2007). Solicitante/s: ERS ELECTRONIC GMBH. Inventor/es: REITINGER, ERICH.
Procedimiento para el acondicionamiento de láminas y/o híbridos semiconductores, que comprende las etapas de: preparar un espacio que está por lo menos parcialmente encerrado y tiene un dispositivo de soporte de lámina/híbrido que está situado en su interior y tiene el propósito de soportar una lámina y/o híbrido semiconductor; y conducir un fluido seco a través del dispositivo de soporte de lámina/híbrido para tratar con calor el dispositivo de soporte de lámina/híbrido ; en el que por lo menos una porción del fluido que abandona el dispositivo de soporte de lámina/híbrido se usa para acondicionar la atmósfera en el interior del espacio.
APARATO DE ROTACION PLANETARIA IMPULSADO POR GAS Y METODOS PARA FORMAR CAPAS DE CARBURO DE SILICIO.
(16/10/2006). Solicitante/s: CREE, INC.. Inventor/es: PAISLEY, MICHAEL, JAMES, SUMAKERIS, JOSEPH, JOHN.
Aparato de rotación impulsado por gas para su uso con un flujo de gas impulsor, comprendiendo el aparato: a) un elemento de base que tiene una superficie (151A) superior; b) un plato principal que recubre la superficie superior del elemento de base; y c) un plato satélite que recubre el plato principal; d) en el que el aparato está adaptado para dirigir el flujo de gas impulsor entre la superficie (151A) superior del elemento de base y el plato principal, de tal manera que el plato principal se haga rotar con respecto al elemento de base mediante el flujo del gas impulsor; y dirigir al menos una parte del flujo de gas impulsor desde entre la superficie superior del elemento de base y el plato principal hasta entre el plato principal y el plato satélite, de tal manera que el plato satélite se haga rotar con respecto al plato principal mediante al menos una parte del flujo de gas impulsor.
MIEMBRO DE TRANSFERENCIA DE OBLEAS CON CONDUCTIVIDAD ELECTRICA Y METODO PARA SU FABRICACION.
(01/05/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: NIPPON OIL CORPORATION NIPPON OIL CORPORATION. Inventor/es: SAKAI, SHUJI, MILLER, CHRIS, L., UCHIDA, DAISUKE, KOBAYASHI, TAKASHI, AOYAGI, KENICHI, YAMAMOTO, SHINJI ANNEX-PIER, 30847-3.
Un miembro de transferencia para transferir al menos un artículo en procesos de fabricación de máquinas de precisión como dispositivos de pantalla de cristal líquido y semiconductores, que comprende: un cuerpo que tiene un material compuesto reforzado con fibra de carbono; caracterizado por una parte de polímero conductor de la electricidad dispuesta sobre dicho cuerpo, teniendo dicha parte de polímero conductor de la electricidad una porción para un contacto con el al menos un artículo durante la transferencia del al menos un artículo, y estando dicha parte de polímero conductor de la electricidad eléctricamente conectada al menos a una parte de las fibras de carbono del material compuesto reforzado con fibras de carbono de dicho cuerpo.
PROCEDIMIENTO DE SECADO DE SUSTRATOS DE SILICONA.
(16/04/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: ICTOP ENTWICKLUNGS GMBH. Inventor/es: SCHELLENBERGER, WILHELM, HERRMANNSDIRFER, DIETER.
Un procedimiento de secado de la superficie de un sustrato , comprendiendo el sustrato silicio, que comprende: sumergir el sustrato en un baño líquido que comprende una solución acuosa de HF , separar el sustrato del baño líquido , siendo la superficie del sustrato hidrófoba cuando se separa del baño líquido, que se caracteriza porque el sustrato es separado del baño, por medio de lo cual la velocidad relativa de separación entre el sustrato y la superficie de la solución acuosa de HF está entre 0, 1 cm/s y 20 cm/s, permitiendo que el líquido del baño drene desde la superficie hidrófoba del sustrato para producir un sustrato seco; y porque, después de separar el sustrato del baño líquido, se dirige sobre la superficie del sustrato seco un gas que comprende una mezcla de O2/O3 que forma una superficie hidrófila sobre el sustrato.
DISPOSITIVO PARA EL DEPOSITO DE SUSTRATOS.
(01/03/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: ASTEC HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH. Inventor/es: NIESE, MATTHIAS, FRANZKE, JIRG, SCHWECKENDIEK, JURGEN.
El dispositivo para el depósito de substratos (S), especialmente obleas o substratos de silicio para la fabricación de elementos fotovoltaicos, con dos paredes opuestas , donde al menos están previstos dos soportes en forma de barras conectados a las paredes , donde los soportes están previstos para mantener los substratos (S) afianzados en una posición vertical, paralela a las paredes , mediante piezas de parada , muestra que se ha previsto al menos un contra- soporte con forma de barra conectado a ambas paredes , que está colocado, con respecto a los soportes , de tal forma, que limita un movimiento vertical de los substratos (S) con respecto a las paredes , y una carga o descarga de los substratos (S) de forma oblicua con respecto a la dirección vertical (V) es posible.
METODO FLUOROMETRICO PARA AUMENTAR LA EFICACIA DEL PROCESO DE LAVADO Y RECUPERACION DEL AGUA EN LA FABRICACION DE CHIPS DE SEMICONDUCTORES.
(01/09/2005). Solicitante/s: NALCO CHEMICAL COMPANY. Inventor/es: HOOTS, JOHN, E., JENKINS, BRIAN, V.
Un método para limpiar un chip de semiconductor durante la fabricación del chip de semiconductor, que comprende las etapas de: a) limpiar el chip de semiconductor mediante un proceso de lavado para retirar las impurezas de la superficie del chip, sumergiendo el chip repetidas veces en una disolución acuosa de lavado; b) monitorizar fluorométricamente las impurezas fluorescentes de la disolución de lavado al tiempo que se sumerge el chip, para determinar la concentración de las impurezas en dicha disolución de lavado; c) correlacionar los valores fluorométricos de dichas impurezas con la concentración de dichas impurezas; d) observar un aumento en la concentración de las impurezas durante el proceso de lavado como se determina en la etapa c); y e) determinar que el chip esta limpio, entendiendo que el proceso de lavado se ha completado cuando la concentración de impurezas en la disolución de lavado deja de aumentar en la etapa d) y se mantiene constante.
ESTACION DE CARGA Y DESCARGA PARA INSTALACIONES DE TRATAMIENTO DE SEMICONDUCTORES.
(16/04/2005) EN UNA ESTACION DE CARGA Y DESCARGA PARA INSTALACIONES DE ELABORACION DE SEMICONDUCTORES EL PROBLEMA CONSISTE EN GARANTIZAR UN EQUIPAMIENTO ADECUADO DE RECIPIENTES DE TRANSPORTE, QUE SIRVEN COMO ALMACEN PARA OBJETOS EN FORMA DE DISCO Y SE ABREN LATERALMENTE. UN TRASBORDADOR DEBE SE POSIBLE A ELECCION TAMBIEN A PARTIR DE UNA CANTIDAD GRANDE DE RECIPIENTE DE TRANSPORTE DE ESTE TIPO, DONDE DEBE CONSEGUIRSE UN CAMBIO DE RECIPIENTE DE TRANSPORTE BAJO CONDICIONES VENTAJOSAS ERGONOMICAS. DE ACUERDO CON LA INVENCION SE ACOPLA EL RECIPIENTE DE TRANSPORTE PARA TRANSBORDO DE LOS OBJETOS EN FORMA DE DISCO CON LA TAPA DEL RECIPIENTE POR MEDIO DE UN CIERRE DE FUERZA DE APLICACION FIJA A UN CIERRE DE UNA ABERTURA DE ALIMENTACION. LA ABERTURA DE ALIMENTACION Y EL RECIPIENTE DE TRANSPORTE SE ABREN AL MISMO TIEMPO POR MEDIO DE UNA RECEPCION CONJUNTA…
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL TRATAMIENTO DE COMPONENTES DISPUESTOS SOBRE UN SUBSTRATO, ESPECIALMENTE DE CHIPS DE SEMICONDUCTORES.
(01/03/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: ALPHASEM AG. Inventor/es: WIRZ, GUSTAV.
Procedimiento para el tratamiento de componentes electrónicos dispuestos sobre un substrato , en el que los componentes son colocados sobre el substrato y son impulsados por una herramienta para la unión duradera con el substrato, dado el caso, utilizado un adhesivo y son sometidos a una presión de prensado y, dado el caso, a un tratamiento térmico, siendo colocados sobre el substrato varios componentes unos detrás de otros para formar un grupo y siendo sometido a continuación todo el grupo al mismo tiempo a la presión de prensado y, dado el caso, al tratamiento térmico.
RODILLO DE TRANSPORTE, DISPOSITIVO DE RETENCION Y SISTEMA DE TRANSPORTE PARA MATERIAL DE TRANSPORTE PLANO.
(16/12/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: RENA SONDERMASCHINEN GMBH. Inventor/es: GUTEKUNST, JURGEN.
Dispositivo de retención para presionar material de transporte esencialmente plano, en el que - el dispositivo de retención de forma esencialmente cilíndrica posee una realización de al menos dos partes, - está constituido por un eje y al menos un casquillo , y - el diámetro interior del casquillo es mayor que el diámetro exterior del eje y - el eje y el casquillo del dispositivo de retención están acoplados, caracterizado porque - en el eje está montado un arrastrador en forma de pasador que está dirigido fuera del eje y que encaja en una escotadura sobre al menos un lado del casquillo.
DISPOSITIVO DE PRENSION ELECTROSTATICA DE UNA LAMINA DE COMPONENTE ELECTRONICO.
(16/12/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: SEMCO ENGINEERING S.A. Inventor/es: FERRERES, DAVID.
Dispositivo de prensión electrostática de una lámina de componente electrónico o análogo, del tipo de dispositivo que comprende un órgano de prensión de la lámina , dotado de medios de mantenimiento positivo de esta última adherida contra una superficie globalmente plana del órgano de prensión, este órgano de prensión comprendiendo un soporte rígido plano y fino, y por lo menos un electrodo asociado a unos medios alejados de alimentación por energía eléctrica, este electrodo siendo colocado sobre una de las caras del soporte plano , caracterizado porque el soporte es de metal difícilmente alterable, el electrodo siendo colocado sobre una de las caras del soporte plano quedando confinado casi en su totalidad entre dos placas de un material aislante, mientras que la otra cara del soporte , totalmente plana, está prevista para ser la portadora de la lámina.
HORNO PARA PROCESOS CONTINUOS DE DIFUSION DE ALTO RENDIMIENTO CON VARIAS FUENTES DE DIFUSION.
(16/10/2004) SE DESCRIBE UN APARATO ABIERTO PARA REALIZAR EL PROCESAMIENTO DE SUSTRATOS PLANARES DELGADOS DE SEMICONDUCTOR, PARTICULARMENTE PARA EL PROCESAMIENTO DE CELULAS SOLARES. EL APARATO INCLUYE UNA PRIMERA ZONA PARA DESHIDRATAR Y FUNDIR LOS COMPONENTES ORGANICOS DE LAS FUENTES DOPANTES SOLIDAS O LIQUIDAS APLICADAS PREVIAMENTE EN LOS SUSTRATOS. LA ZONA ESTA AISLADA DE LAS ZONAS RESTANTES DEL APARATO MEDIANTE UNA SECCION DE AISLAMIENTO , PARA EVITAR LA CONTAMINACION CRUZADA ENTRE LA ZONA FUNDIDA Y LAS RESTANTES ZONAS DE PROCESAMIENTO . TODAS LAS ZONAS DEL APARATO PUEDEN FORMARSE A PARTIR DE UN TUBO DE CUARZO , ALREDEDOR…
APARATO DE LIMPIEZA DE SUPERFICIES SOLIDAS MEDIANTE AEROSOL CRIOGENICO.
(16/06/2004). Solicitante/s: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC. INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: MCDERMOTT, WAYNE THOMAS, OCKOVIC, RICHARD CARL, WU, JIN JWANG.
LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN APARATO PARA LIMPIAR LAS SUPERFICIES SOLIDAS DE SEMICONDUCTORES MEDIANTE LA PULVERIZACION DE UN CRIOGENO CONGELADO, TAL COMO ARGON, PARA QUE CHOQUE CON LA SUPERFICIE SOLIDA Y ASI QUITAR LA PARTICULAS CONTAMINANTES. EL APARATO INCLUYE UNA BOQUILLA APROPIADA COLOCADA EN UN RECEPTACULO DISEÑADO PARA CONDICIONES ULTRALIMPIAS QUE INCLUYE UNA FUENTE DE SUMINISTRO DE GAS DE BARRIDO Y CONDUCTOS DE EVACUACION Y UNA MESA DE SOPORTE COLOCADA DE MANERA MOVIL DENTRO DEL RECEPTACULO PARA TRANSPORTAR LA SUPERFICIE SOLIDA DE SEMICONDUCTOR SOBRE UNA PISTA BAJO LA PULVERIZACION DE CRIOGENO CONGELADO QUE EMANA DE LA BOQUILLA.
APARATO PARA SEPARAR UN ELEMENTO COMPUESTO UTILIZANDO UN CHORRO DE FLUIDO.
(16/05/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: OHMI, KAZUAKI, YONEHARA, TAKAO, SAKAGUCHI, KIYOFUMI, YANAGITA, KAZUTAKA.
Aparato de separación que comprende un primer soporte para soportar de forma rotativa una primera superficie de un elemento compuesto en forma de disco que tiene una serie de elementos unidos entre sí; un segundo soporte para soportar con capacidad de rotación una segunda superficie del compuesto en forma de disco; medios de sincronización (25 a 31) para permitir que el primero y segundo soportes durante la rotación se sincronicen entre sí; y una tobera destinada a proyectar fluido contra la superficie del borde del elemento compuesto, durante su rotación, a efectos de separar el elemento compuesto en una serie de elementos.
APARATO Y METODO PARA LIMPIAR OBJETOS A PROCESAR.
(16/02/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: TOKYO ELECTRON LIMITED. Inventor/es: KAMIKAWA, YUJI, NAKASHIMA, SATOSHI, UENO, KINYA.
SE SUMINISTRA UN APARATO DE LIMPIEZA Y UN METODO DE LIMPIEZA PARA LIMPIAR UN OBJETO (W). EN EL APARATO DE LIMPIEZA, UNA CAMARA DE SECADO Y UN BAÑO DE LIMPIEZA ESTAN SEPARADOS ENTRE SI Y DISPUESTOS UNO SOBRE EL OTRO. DE DICHA FORMA, UN ESPACIO EN LA CAMARA DE SECADO PUEDE AISLARSE DE UN ESPACIO DEL BAÑO DE LIMPIEZA A TRAVES DE UNAS PUERTAS (59A) ROTATORIAS Y UNA PUERTA CORREDIZA. EN EL METODO DE LIMPIEZA SE LLEVA A CABO UN PROCESO DE LIMPIEZA EN EL BAÑO DE LIMPIEZA MIENTRAS QUE ESTE SE SELLA POR LAS PUERTAS ROTATORIAS (59A). POR OTRA PARTE, SE LLEVA A CABO UN PROCESO DE SECADO EN LA CAMARA DE SECADO MIENTRAS QUE SE SELLA LA MISMA POR LA PUERTA CORREDIZA . CONSECUENTEMENTE, NO EXISTE LA POSIBILIDAD DE QUE DURANTE EL PROCESO DE SECADO EL OBJETO SEA AFECTADO POR LA INFLUENCIA NEGATIVA DEL TRATAMIENTO QUIMICO.
COMPOSICIONES PIEZOELECTRICAS CERAMICA-POLIMERO MEJORADAS.
(16/10/2003). Solicitante/s: ALLIEDSIGNAL, INC.. Inventor/es: IQBAL, ZAFAR, CUI, CHANGXING, BAUGHMAN, RAY HENRY, KAZMAR, THEODORE ROBERT, DAHLSTROM, DAVID KEITH.
Un material compuesto piezoeléctrico que comprende un primer componente que es un polvo piezoeléctrico y un segundo componente que tiene conectividad tridimensional que comprende un polímero, comprendiendo dicho primer componente partículas piezoeléctricas esféricas, teniendo las partículas un diámetro cuyo valor medio ponderado es de 30 mm a 200 mm, siendo la pérdida dieléctrica de dicho polímero menor que 0, 02 a 1 kHz, y estando comprendido el volumen total de todos los componentes del material compuesto distintos de dicho polímero entre 50 por ciento en volumen y 74 por ciento en volumen del material compuesto, caracterizado porque dicho polímero se adhiere sustancialmente a dicho primer componente, la deformación elástica S33 del material compuesto piezoeléctrico está comprendida entre 1, 5 x 10-10 y 6, 0 x 10-10 m2/N, y dicho polímero es un polímero orgánico que comprende un polietileno de baja densidad o poli(1-buteno).
DISPOSITIVO PARA EL LAQUEADO O RECUBRIMIENTO DE UN SUBSTRATO.
(01/07/2003). Solicitante/s: STEAG HAMATECH AG. Inventor/es: APPICH, KARL, STUMMER, MANFRED.
Aparato para barnizar o revestir sustratos, por ejemplo pantallas de visualización de cristal líquido. El aparato comprende un contenedor a partir del cual se cubre un sustrato con líquido a través de un tubo capilar que termina en una boquilla . Un revestimiento está tiene normalmente entre 5 y 50 micras de espesor en condición húmeda. La estructura que contiene el tubo capilar está montada sobre una varilla vertical móvil dentro de un fuelle por ejemplo un gato hidráulico o neumático . Al terminarse el revestimiento, el tubo es bajado través de la abertura a la parte suprior del contenedor, hasta que la boquilla esté por debajo de la superficie del líquido. La abertura se cierra por traslación de una placa de tapa.
PROCEDIMIENTO PARA EL SECADO DE SILICONA.
(16/05/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: ICTOP ENTWICKLUNGS GMBH. Inventor/es: SCHELLENBERGER, WILHELM, HERRMANNSDORFER, DIETER.
LA INVENCION ESTA RELACIONADA CON UN PROCEDIMIENTO APLICABLE AL SECADO DE SUPERFICIES DE SUSTRATOS DE UN GRAN NUMERO DE MATERIALES, COMO SEMICONDUCTORES, METALES, PLASTICOS, Y, EN PARTICULAR, SILICONA. SE DOSIFICA LA SILICONA EN UN BAÑO DE LIQUIDO Y LA MISMA SE SEPARA DEL LIQUIDO ; EL LIQUIDO DEL BAÑO SE COMPONE DE UNA SOLUCION ACUOSA DE HF CON UNA CONCENTRACION DEL 0,001 AL 50 %. AÑADIENDO UNA MEZCLA GASEOSA QUE CONTIENE O SUB,2}/O SUB,3} INMEDIATAMENTE DESPUES DE HABER FINALIZADO EL PROCESO DE SECADO, SE HIDROFILIZA LA SUPERFICIE DE SILICONA. AÑADIENDO UNA MEZCLA GASEOSA DE O SUB,2}/O SUB,3} DURANTE EL PROCESO DE SECADO, TIENE LUGAR LA LIMPIEZA CUANDO EL OZONO ENTRA EN LA SOLUCION A TRAVES DE LA SUPERFICIE DEL LIQUIDO.
METODO Y APARATO PARA EL CORTE DE UN SUBSTRATO COMPUESTO POR UTILIZACION DE UN FLUIDO.
(01/03/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: OHMI, KAZUAKI, YONEHARA, TAKAO, SAKAGUCHI, KIYOFUMI, YANAGITA, KAZUTAKA.
PARA SEPARAR UN MIEMBRO COMPUESTO, QUE CONSTA DE UNA PLURALIDAD DE MIEMBROS UNIDOS (1 Y 2), SIN DESTRUIRLO NI DAÑARLO, UN FLUIDO ES PROYECTADO A CHORRO CONTRA EL MIEMBRO COMPUESTO DESDE UNA BOQUILLA PARA SEPARARLO EN UNA PLURALIDAD DE MIEMBROS (11 Y 12) EN UNA POSICION DIFERENTE DE LA POSICION DE UNION.
DISPOSITIVO PARA MOVER SUBSTRATOS A TRAVES DE UNA INSTALACION DE TRATAMIENTO DE ESTOS.
(01/02/2003). Solicitante/s: STEAG HAMATECH AG. Inventor/es: WEBER, KLAUS, MAHNER, BERND.
Con el fin de obtener un dispositivo lo más simple y flexible posible para transportar sustratos a través de una planta de proceso de sustratos , el dispositivo tiene una cinta transportadora básica y dos cintas transportadoras laterales todas provistas con muescas para sostener los sustratos en posición derecha.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA POSICIONAR UN OBJETO.
(01/01/2003). Solicitante/s: GEBR. SCHMID GMBH & CO.. Inventor/es: SCHMID, CHRISTIAN, DIPL.-WIRTSCH.-ING.
Se presenta un procedimiento de posicionamiento de una tarjeta de circuito impreso, por ejemplo para centrar una tarjeta de circuito impreso sobre una cinta transportadora, que se efectúa moviendo dos sensores para detectar secuencialmente puntos característicos sobre la tarjeta de circuito impreso. Al menos dos sensores se mueven en una dirección de posicionamiento (P) para detectar un punto característico sobre la tarjeta de circuito impreso . La tarjeta de circuito impreso se posiciona entonces de acuerdo con la detección .Los sensores pueden moverse en direcciones opuestas al mismo tiempo y/o a la misma velocidad, junto con la tarjeta de circuito impreso. Los sensores pueden detectar el punto característico de forma óptica. El punto característico puede ser las dimensiones externas de la tarjeta de circuito impreso. También se reivindica un aparato para posicionar una tarjeta de circuito impreso sobre una posición deseada.
RECIPIENTE PARA MICROPLAQUETAS SEMICONDUCTORAS.
(16/12/2002). Solicitante/s: FLUOROWARE, INC. Inventor/es: RING, DAVID J., WILLIAMS, RANDALL S., SHINDLEY, RICHARD P.
SE PRESENTA UN CONTENEDOR PARA OBLEAS SEMICONDUCTORAS. EL CONTENEDOR TIENE UNA PARTE DE RECEPTACULO Y UNA TAPA SEPARABLE. LAS PARTES DE AGARRE DE LA OBLEA EN FORMA DE C ESTAN SUJETAS A LA TAPA PARA FIJAR INDIVIDUALMENTE CADA OBLEA. CADA PARTE DE AGARRE COMPRENDE UN PAR DE BRAZOS ARQUEADOS ELASTICOS QUE SE EXTIENDEN DESDE UNA PARTE INTERMEDIA QUE TIENE UNA PARTE RANURADA PARA EL SOPORTE DEL BORDE DE LA OBLEA, UNAS PARTES RANURADAS PARA LA RETENCION DE LA OBLEA SOBRE LOS EXTREMOS DE LOS BRAZOS, Y UNOS MANGOS QUE SOBRESALEN HACIA EL EXTERIOR DE LOS BRAZOS EN SUS EXTREMOS PARA APLICAR PRESION CONTRA LOS BRAZOS PARA FLEXIONAR LOS BRAZOS.
DISPOSITIVO DE TRATAMIENTO EN VACIO PARA LA APLICACION DE CAPAS DELGADAS.
(16/05/2002) LA INVENCION TRATA DE UN DISPOSITIVO DE TRATAMIENTO AL VACIO PARA APLICAR CAPAS FINAS SOBRE SUSTRATOS (36 A 38), CON VARIAS CAMARAS DE TRATAMIENTO (DE 8 A 11) FIJAS EN SU SITIO, SUJETAS POR LA PARED LATERAL EN FORMA DE ANILLO O BASTIDOR DE LA CAMARA DE VACIO , CON UNAS ABERTURAS DE LA CAMARA DE TRATAMIENTO (DE 4 A 7) QUE SE EXTIENDEN PERIFERICAMENTE HACIA ADENTRO, HACIA EL CENTRO DE LA CAMARA DE VACIO , EN PLANOS PARALELOS UNO CON RESPECTO AL OTRO. EN UN DISPOSITIVO DE ESTE TIPO HAY PREVISTO UN ARBOL ALOJADO EN LA TAPA DE LA CAMARA DE VACIO Y/O EN LA PLACA DE BASE DE LA CAMARA DE VACIO DE LA CAMARA DE VACIO Y QUE SE EXTIENDE EN PARALELO A LOS PLANOS DE LAS ABERTURAS; EL ARBOL MUEVE LAS PLACAS (23 A 26) PARA CERRAR LAS ABERTURAS DE LA CAMARA…
(01/02/2002) LA INSTALACION DE VACIO PARA TRATAMIENTO DE PIEZAS DE TRABAJO EN FORMA DE DISCO MUESTRA UNA CAMARA DE DISTRIBUCION CENTRAL , EN LA QUE SE INTRODUCEN LAS PIEZAS DE TRABAJO DESDE UNA ESCLUSA POR UNA ABERTURA DE CONEXION QUE SE CIERRA MEDIANTE UN ELEMENTO DE CIERRE CON AYUDA DE UN MECANISMO DE TRANSPORTE COLOCADO EN LA CAMARA DE DISTRIBUCION, PRINCIPALAMENTE EN FORMA DE UN BRAZIO DE ROBOT. EN LA CAMARA DE DISTRIBUCION SE ENCIERRAN ADEMAS POR EL PERIMETRO DE LA MISMA CAMARA INTERMEDIA DISTRIBUIDA COMO MODULO INTERCAMBIABLE, CON LO QUE LA CONEXION ENTRE ESTOS SE PUEDE CERRAR CADA POSICION DE CIERRE POR UN ELEMENTO DE CIERRE . UNA CAMARA INTERMEDIA ESTA EN CONEXION CON AL MENOS UNA CAMARA DE PROCESO POR UNA ABERTURA DE CONEXION , QUE CON OBJETO DE LA SEPARACION DE LA CAMARA DEPROCESO DE LA CAMARA INTERMEDIA SE CIERRA. EN LA CAMARA INTERMEDIA…
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA BARNIZAR O RECUBRIR UN SUSTRATO.
(01/12/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: STEAG HAMATECH AG. Inventor/es: APPICH, KARL, STUMMER, MANFRED.
SE TRATA DE UN DISPOSITIVO PARA LACADO O REVESTIMIENTO DE UN SUSTRATO POR MEDIO DE UN COMPONENTE CON UN ESPACIO CAPILAR , QUE TIENE UN RECIPIENTE RELLENO CON LACA O LIQUIDO DE REVESTIMIENTO, ESTANDO DISPUESTO EL COMPONENTE EN EL RECIPIENTE DE TAL FORMA QUE EL ESPACIO CAPILAR ES SUMERGIDO EN LA LACA O EL LIQUIDO DE REVESTIMIENTO Y LA LACA O EL LIQUIDO DE REVESTIMIENTO FLUYE AL ESPACIO CAPILAR A PARTIR DEL RECIPIENTE , ASI COMO NERVIOS PARA EL DESPLAZAMIENTO DE LA SALIDA DEL ESPACIO CAPILAR CON RESPECTO AL RECIPIENTE EN DIRECCION VERTICAL.
MORDAZA CON PARTE DE SOMBRA.
(01/01/2001). Solicitante/s: LAM RESEARCH CORPORATION. Inventor/es: LENZ, ERIC HOWARD, BRUMBACH, HENRY.
UN ELEMENTO DE PINZADO DE LAMINA PARA PINZAR UNA LAMINA EN UNA CAMARA DE REACCION DE PLASMA. EL ELEMENTO TIENE UN DISEÑO QUE MINIMIZA LA CONTAMINACION DE PARTICULAS DE LA LAMINA Y QUE PERMITE PROCESAR MAS LAMINAS ANTES QUE SEA NECESARIO LA LIMPIEZA DE DEPOSITOS ACUMULADOS EN EL ELEMENTO DE PINZA . EL ELEMENTO INCLUYE UNA PARTE DE PINZA QUE PINZA UNA PERIFERIA EXTERNA DE LA LAMINA CONTRA UN ELECTRODO INFERIOR , Y UNA PARTE ENCUBIERTA QUE PROPORCIONA UN HUECO ENTRE UN BORDE INTERNO DEL ELEMENTO DE PINZA Y LA SUPERFICIE SUPERIOR DE LA LAMINA . EL HUECO ESTA ABIERTO HACIA EL INTERIOR DE LA CAMARA DE REACCION DE PLASMA, Y POSEE PREFERIBLEMENTE UNA ALTURA IGUAL A APROXIMADAMENTE EL CURSO LIBRE MEDIO DE UN GAS ACTIVADO PARA FORMAR UN PLASMA EN LA CAMARA DE REACCION DE PLASMA.
MANIPULADOR DE PRUEBAS DE IC.
(16/04/2000) ESTA INVENCION SE RELACIONA CON UN MANIPULADOR DE PRUEBA DE IC CON UNA CAMARA DE TEMPERATURA CONSTANTE QUE COMPRENDE SEIS PORTADORES DE IC PLANETARIOS , UN MECANISMO DE MONTAJE DE LOS PORTADORES PLANETARIOS Y UN MECANISMO DE ARRASTRE DE ROTACION PERMANENTE PARA ROTAR INTERMITENTEMENTE EL MECANISMO . CADA PORTADOR DE IC PLANETARIO TIENE CUATRO SUPERFICIES (S) DE ROTACION SIMETRICA CON RESPECTO A UN EJE (71A) DEL PLANETA, ACTUANDO LAS CUATRO SUPERFICIES (S) CONO UNAS PARTES DE SOPORTE DE IC. LOS PORTADORES DE IC PLANETARIOS ESTAN COLOCADOS EN UN SISTEMA ANULAR SOBRE EL MECANISMO DE MONTAJE DEL PORTADOR PLANETARIO QUE PUEDE ROTAR ALREDEDOR DE UN EJE (72A) DE UN SOL. LOS SEIS PORTADORES DE IC DE LOS…
UNION DE CHIPS A UN SUSTRATO.
(16/10/1999) UN PROCESO PARA UNIR UNA MICROPASTILLA VOLANTE A UN SUSTRATO QUE COMPRENDE LA COLOCACION DE LA PASTILLA VOLANTE POR ENCIMA DEL SUSTRATO . ESTA TIENE UNA CARA ACTIVA PROVISTA DE UNAS PROTUBERANCIAS CONDUCTORAS, DE MANERA QUE SU CARA ACTIVA SE ENCUENTRA ORIENTADA HACIA EL SUSTRATO . LA MICROPASTILLA VOLANTE ESTA COLOCADA SOBRE EL SUSTRATO DE TAL FORMA QUE LAS PROTUBERANCIAS SE ENCUENTRAN ALINEADAS CON UN MODELO DE UNION SOBRE EL SUSTRATO . UN CUERNO ULTRASONICO SE BAJA, Y TIENE UNA SUPERFICIE PLANA QUE CONTACTA CON EL LADO TRASERO DE LA MICROPASTILLA VOLANTE. SE APLICA FUERZA A TRAVES DEL CUERNO ULTRASONICO SOBRE EL LADO TRASERO DE LA MICROPASTILLA VOLANTE, LA CUAL ES NORMAL AL SUSTRATO ,…
(01/07/1999). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: LOWRANCE, ROBERT B.
UN APARATO DE ROBOT QUE CONSTA DE UNA CAMARA DE VACIO CON ROBOT QUE TIENE UNA PARED EXTERIOR , UNA PARED SUPERIOR Y UNA PARED INFERIOR ; UN ROBOT COLOCADO DENTRO DE DICHA CAMARA DE VACIO Y UN SOPORTE COLOCADO DENTRO DE DICHA CAMARA DE VACIO QUE SE EXTIENDE DESDE LA PARED SUPERIOR HASTA LA PARED INFERIOR , DE MODO QUE CUANDO SE PRODUCE EL VACIO DENTRO DE DICHA CAMARA DE VACIO , DICHO SOPORTE REDUCE SIGNIFICATIVAMENTE EL DESPLAZAMIENTO VERTICAL DE DICHAS PAREDES SUPERIOR E INFERIOR EN UNA PRESION AMBIENTE.
PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA SEPARAR DE FORMA REGULABLE LA ZONA DE TRABAJO ENNARCADA DEL RESTO DE LA MEMBRANA.
(16/06/1999). Solicitante/s: YEN, YUNG-TSAI. Inventor/es: YEN, YUNG-TSAI.
SE DESCRIBE UN APARATO Y PROCESO PARA SEPARAR DE FORMA CONTROLADA UN AREA DE TRABAJO ESTRUCTURADA DE UNA MEMBRANA A PARTIR DEL RESTO DE LA MEMBRANA. EL PROCESO INCLUYE PONER EN TENSION UNA EXTENSION DEL MATERIAL DE LA MEMBRANA Y SUJETAR UNA ESTRUCTURA DE SOPORTE A LA MEMBRANA PARA DEFINIR UNA PARTE DE TRABAJO DE LA MISMA. SE APLICA UN MATERIAL POLIMERICO QUE SE PUEDE UNIR PARA FORMAR UN BORDE CONTINUO HACIA FUERA DEL BORDE EXTERIOR DE LA ESTRUCTURA DE SOPORTE. ADICIONALMENTE, EL AREA DE TRABAJO ESTRUCTURADA DE LA MEMBRANA ES SEPARADA DEL RESTO DE LA MEMBRANA CORTANDO LA MEMBRANA HACIA FUERA DE LA ESTRUCTURA DE SOPORTE.
METODO Y APARATO PARA SOMETER A TENSION, PROBAR EL ENCENDIDO Y REDUCIR LA CORRIENTE DE FUGA DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS POR MEDIO DE RADIACIONES DE MICROONDAS.
(01/04/1999). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: LEWIS, DAVID ANDREW, FREIERMUTH, PETER EDWARD, GINN, KATHLEEN SCOTT, HALEY, JEFFREY ALAN, LAMAIRE, SUSAN JARVIS, MILLS, GAVIN TERENCE, REDMOND, TIMOTHY ALVIDATSANG, YUK LUN, VAN HORN, JOSEPH JOHN, VIEHBECK, ALFRED, WALKER, GEORGE FREDERICK, YANG, JER-MING, LONG, CLARENCE SANFORD.
SE DESCRIBEN METODOS MICROONDAS PARA COMBUSTIONAR, TENSIONAR ELECTRICA Y TERMICAMENTE Y REDUCIR LA CORRIENTE DE DISPERSION DE UNION RECTIFICADORA EN CHIPS SEMICONDCUTORES TOTALMENTE PROCESADOS Y AL NIVEL DE SECTORES, TAMBIEN COMO COMBUSTIADORES EN SUSTRATOS DE EMPAQUETADO DE CHIPS SEMICONDUCTORES TENSORES Y LA COMBINACION DE UN CHIP SEMICONDUCTOR MONTADO SOBRE UN SUSTRATO DE EMPAQUETADO DE CHIP SEMICONDUCTOR. LOS DISPOSITIVOS DE COMBUSTION MICROONDAS EN UN PERIODO DE TIEMPO SUSTANCIALMENTE MAS CORTO QUE LAS TECNICAS DE COMBUSTION CONVENCIONALES EVITAN LA NECESIDAD DE SOPORTES DE PIEZAS DE TRABAJO ESPECIALES QUE SE REQUERIAN PARA TECNICAS DE COMBUSTION Y TENSION CONVENCIONALES. ADICIONALMENTE LOS METODOS MICROONDAS REDUCEN LA CORRIENTE DE DISPERSION DE LAS UNIONES RECTIFICADORAS, TAL COMO LAS UNIONES PN Y UNIONES DE DIODO BARRERA SCOTTKY DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES EN CHIPS SEMICONDUCTORES TOTALMENTE PROCESADOS Y SECTORES.
DISPOSICION PARA LA COMPROBACION DE GALLETAS DE SEMICONDUCTORES O SIMILARES.
(01/08/1998). Solicitante/s: REITINGER, ERICH. Inventor/es: REITINGER, ERICH.
DISPOSICION PARA LA COMPROBACION DE GALLETAS DE SEMICONDUCTORES O SIMILARES. UNA DISPOSICION PARA LA COMPROBACION DE GALLETAS DE SEMICONDUCTORES O SIMILARES PRESENTA UNA MESA DE PRUEBA PARA EL ALOJAMIENTO DE LAS GALLETAS DE SEMICONDUCTORES O SIMILARES A COMPROBAR, ASI COMO UN SOPORTE PARA EL ALOJAMIENTO DE APOYOS DE SONDAS O SIMILARES; LA MESA DE PRUEBA ESTA DISPUESTA DENTRO DE UN RECEPTACULO, QUE ESTA CONFIGURADO ABIERTO HACIA ARRIBA; EL RECEPTACULO ESTA CUBIERTO POR UNA PLACA, QUE CONTIENE UN ORIFICIO PARA EL PASO DE LAS ONDAS O SIMILARES Y DENTRO DEL RECEPTACULO HAY PREVISTOS LOS ELEMENTOS DE SALIDA QUE ESTAN CONECTADOS A TRAVES DE UNA ACOMETIDA A UNA FUENTE PARA AIRE, GAS, O SIMILAR.
PROCEDIMIENTOS Y DISPOSITIVOS DE IDENTIFICACION DE CARACTERES INSCRITOS SOBRE SUBSTRATOS.
(16/06/1998). Solicitante/s: RECIF S.A. Inventor/es: DEGROOT, ROY, LEONOV, MARK, AULAGNON, MARCEL, POLI, BERNARD.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE IDENTIFICACION DE CARACTERES ESCRITOS SOBRE SUSTRATOS QUE COMPRENDEN AL MENOS ETAPAS DE ILUMINACION, DE OBSERVACION Y DE IDENTIFICACION DE LOS CARACTERES, QUE SE CARACTERIZA PARTICULARMENTE POR EL HECHO DE QUE LA ILUMINACION , ASEGURADA POR AL MENOS UNA FUENTE DE LUZ (S1), SE REALIZA SESGADO RESPECTO DE UNA SUPERFICIE PLANA MINIMA QUE INSCRIBE LA TOTALIDAD DE LOS CARACTERES, Y PARTICULARMENTE POR EL HECHO DE QUE LA OBSERVACION, ASEGURADA VENTAJOSAMENTE POR UNA CAMARA ELECTRONICA SE REALIZA TAMBIEN SESGADO RESPECTO DE LA SUPERIFICIE , Y PARTICULARMENTE POR EL HECHO DE QUE LA IDENTIFICACION ESTA ASEGURADA MEDIANTE UNA UNIDAD CENTRAL QUE COMPRENDE UN PROGRAMA INFORMATICO DE RECONOCIMIENTO DE RED DE NEURONAS: LA INVENCION SE REFIERE TAMBIEN A UN DISPOSITIVO DE IDENTIFICACION DE CARACTERES ESCRITOS SOBRE SUSTRATOS QUE PERMITE APLICAR UN PROCESO DE IDENTIFICACION SEGUN LA INVENCION. APLICACION PARTICULARMENTE EN LA FABRICACION DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS.
