CIP-2021 : C30B 29/22 : Oxidos complejos.

CIP-2021CC30C30BC30B 29/00C30B 29/22[3] › Oxidos complejos.

Notas[n] desde C30B 29/02 hasta C30B 29/54:
  • En los grupos C30B 29/02 - C30B 29/54, se aplica la regla del último lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, un material se clasifica en el último lugar apropiado.
  • Es importante tener en cuenta la Nota (3) tras el título de la sección C, que indica a qué versión del Sistema periódico de los Elementos se refiere la CIP. En este grupo, el Sistema Periódico utilizado es el sistema de 8 grupos indicados por números romanos en la Tabla Periódica

C QUIMICA; METALURGIA.

C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.

C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma.

C30B 29/22 · · · Oxidos complejos.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivo de crecimiento de un monocristal plano a partir de un germen cristalino en una solución de cristalización y procedimiento de fabricación de este monocristal.

(22/04/2020) Dispositivo de crecimiento de un monocristal plano a partir de un germen cristalino en una solución de cristalización , comprendiendo dicho dispositivo de crecimiento: - un elemento de soporte que tiene una cara de soporte destinada a soportar el germen cristalino; y - un elemento de bloqueo que comprende una cara de bloqueo , estando la cara de bloqueo dispuesta a una distancia predefinida de la cara de soporte para bloquear el crecimiento del monocristal en una dirección sustancialmente perpendicular a la cara de soporte; estando el dispositivo de crecimiento caracterizado por que comprende además un órgano de protección del germen cristalino, configurado para proteger dicho germen de la solución…

Sustrato de alineamiento para formar una película epitaxial y procedimiento para producir el mismo.

(15/06/2016). Solicitante/s: TANAKA KIKINZOKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: KASHIMA,NAOJI, WATANABE,TOMONORI, NAGAYA,SHIGEO, SHIMA,KUNIHIRO, KUBOTA,SHUICHI.

Un sustrato texturizado para la formación de una película epitaxial que comprende una capa metálica texturizada al menos en un lado, en el que la capa metálica texturizada comprende una capa de cobre que presenta una textura cúbica y una capa de níquel que tiene un grosor de entre 100 y 20000 nm formada sobre la capa de cobre; la capa de níquel presenta un capa de óxido de níquel formada sobre una superficie de la misma, que tiene un grosor de entre 1 y 30 nm, y que comprende un óxido de níquel, caracterizado porque la capa de níquel comprende además una región que contiene paladio hecha de níquel que contiene paladio en una superficie de contacto con la capa de óxido de níquel.

PDF original: ES-2584857_T3.pdf

Contacto de Josephson en etapas reproducible.

(30/12/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH. Inventor/es: FALEY,MIKHAIL.

Elemento de construcción con un contacto de Josephson, que presenta un enlace débil, que comprende un substrato con al menos un borde gradual en su superficie, y una capa funcional dispuesta sobre el mismo, constituida por un material superconductor a alta temperatura, presentando esta capa en el borde gradual un límite intergranular que forma el enlace débil del contacto de Josephson, estando orientado en ambos lados del borde gradual el eje de cristal a y/o b en el plano de la capa funcional superconductora a alta temperatura hasta en una desviación, a modo de ejemplo, de un máximo de 10º perpendicularmente al límite intergranular, a través de una texturización del substrato y/o al menos una capa tampón dispuesta entre el substrato y la capa funcional superconductora a alta temperatura, caracterizado por que la texturización comprende resaltos y/o cavidades con una altura, o bien profundidad media entre 1 nm y 10 nm, preferentemente entre 1 nm y 5 nm.

PDF original: ES-2564493_T3.pdf

FLEJE METALICO PARA REVESTIMIENTOS EPITAXIALES Y PROCEDIMIENTO DE PRODUCCION DEL MISMO.

(01/02/2007). Solicitante/s: LEIBNIZ-INSTITUT FUR FESTKIRPER- UND WERKSTOFFFORSCHUNG DRESDEN E.V. THYSSENKRUPP VDM GMBH. Inventor/es: DE BOER, BERND, VADLAMANI, SARMA, KLOEWER, JUTTA.

Fleje metálico para recubrimientos epitaxiales compuesto por un material compuesto laminado que está compuesto por al menos una capa base biaxialmente texturizada de los metales Ni, Cu, Ag o sus aleaciones y al menos otra capa metálica, caracterizado porque las otras capas metálicas individuales están compuestas por una o varias fases intermetálicas o por un metal en el que están contenidas una o varias fases intermetálicas.

PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE CERAMICAS SUPERCONDUCTORAS TEXTURADAS DE TRBA2CU3O, DONDE TR SIGNIFICA TIERRA RARA O YTRIO, MEDIANTE SOLIDIFICACION DIRECCIONAL.

(16/09/1999). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: OBRADORS BERENGUER,XAVIER, PIÑOL VIDAL, SALVADOR, MARTINEZ PEREZ, BENJAMIN, FONTCUBERTA GRIÑO, JOSE, SANDIUMENCE ORTIZ, FELIPE.

PROCEDIMIENTO DE OBTENCION DE CERAMICAS SUPERCONDUCTORAS TEXTURADAS DE TRBA2CU3O, DONDE TR SIGNIFICA TIERRA RARA O YTRIO, MEDIANTE SOLIDIFICACION DIRECCIONAL. PROCEDIMIENTO DE SOLIDIFICACION DIRECCIONAL DE CERAMICAS PRESINTERIZADAS DE MATRIZ TRBA2CU3O7 EN LAS QUE SE HA MEZCLADO DE FORMA HOMOGENEA UNA CANTIDAD ADICIONAL DE TR2BACUO5 Y CEO2. TRAS LA FUSION INCONGRUENTE DE LA MEZCLA, SE OBTIENE POR REACCION PERITECTICA Y SOLIDIFICACION DIRECCIONAL BARRAS Y LINGOTES TEXTURADOS SUPERCONDUCTORES CON BUENAS PROPIEDADES MECANICAS Y CORRIENTES CRITICAS SUPERIORES A 1X106 A/CM2 A 5K Y 1X105 A/CM2 A 77K EN CAMPO MAGNETICO NULO. EL USO DE ADITIVOS COMO CEO2 PERMITE CONTROLAR EL PROCESO DE CRISTALIZACION DIRECCIONAL DEBIDO A SU INFLUENCIA EN LAS CARACTERISTICAS DE LA MEZCLA SEMISOLIDA A ALTA TEMPERATURA. AL MISMO TIEMPO LAS CARACTERISTICAS MICROESTRUCTURALES FINALES DE LA CERAMICA TEXTURADA SE VEN MODIFICADAS EN GRAN MEDIDA MEDIANTE EL USO DE DICHOS ADITIVOS.

METODO DE FABRICACION ACELERADA DE HILOS O CINTAS DE CERAMICA SUPRACONDUCTORA.

(16/06/1996) LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO DE FABRICACION DE HILOS, CINTAS U OTROS ELEMENTOS ANALOGOS HECHOS DE CERAMICA SUPROCONDUCTORES A TEMPERATURA DE TRANSICION ELEVADA, COMO, POR EJEMPLO, EN Y BA SUB 2CU SUB 3O SUB 7(DELTA), A PARTIR DE UNA TECNICA DE SOLIDIFICACION DIRECCIONAL. SEGUN ESTE METODO QUE ES MUCHO MAS RAPIDO Y EFICAZ QUE LOS METODOS ACTUALMENTE CONOCIDOS, UN HILO O CINTA HECHO DE GRAMOS DE UN PRECURSOR DE CERAMICA SUPROCONDUCTORA SE SOMETE A UNA SOLIDIFICACION DIRECCIONAL EN UN NUMERO DADO DE LUGARES TAMBIEN SEPARADOS EN SU LONGITUD. ESTA SOLIDIFICACION DIRECCIONAL SE EFECTUA EN DISTINTOS LUGARES AL MISMO TIEMPO, A LA MISMA TEMPERATURA, A LA MISMA VELOCIDAD, Y EN LA MISMA DIRECCION DE MANERA A FORMAR UN NUMERO IDENTICO DE ZONAS DE MICROESTRUCTURA ORIENTADA A LO LARGO DEL HILO O DE LA CINTA, LAS CUALES CRECEN…

PROCESO DE CRISTALIZACION EN PRESENCIA DE CAMPO MAGNETICO.

(16/01/1996). Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS). Inventor/es: TOURNIER, ROBERT.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO DE PREPARACION DE UN CUERPO MAGNETICO ORIENTADO Y ESTRUCTURADO, QUE COMPRENDE LAS ETAPAS CONSISTENTES EN: PREPARAR UNA COMPOSICION TAL QUE DESPUES DEL PASO A ESTADO FUNDIDO Y SOLIDIFICACION, PROPORCIONA SENSIBLEMENTE UNICAMENTE DICHA SUSTANCIA Y QUE, A LA TEMPERATURA DE FUSION DE ESTA COMPOSICION, EXISTEN CRISTALITOS DE DICHA SUSTANCIA; CALENTAR LENTAMENTE CERCA DE LA TEMPERATURA DE FUSION HASTA ALGUNOS GRADOS POR ENCIMA DE ESTA TEMPERATURA, DE MANERA QUE PERMANECEN CRISTALITOS DE DICHA SUSTANCIA EN UNA FASE LIQUIDA; ENFRIAR LENTAMENTE CERCA DE LA TEMPERATURA DE FUSION, HASTA LA SOLIDIFICACION; Y APLICAR, AL MENOS A PARTIR DEL MOMENTO EN QUE LA SUSTANCIA EMPIEZA A ENTRAR EN ESTADO LIQUIDO HASTA EL MOMENTO EN QUE SE SOLIDIFICA COMPLETAMENTE, UN CAMPO MAGNETICO DE INTENSIDAD SUFICIENTE PARA CONFERIR, NO OBSTANTE LA ENERGIA DE AGITACION TERMICA, UNA ORIENTACION PRIVILEGIADA DE LOS CRISTALITOS DE DIMENSIONES SUFICIENTES PARA CONSTITUIR GERMENES DE CRISTALIZACION.

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA FABRICAR CRISTALES ASI COMO CRISTAL.

(16/12/1994). Solicitante/s: URLAND, WERNER PROF.DR.RER.NAT. TIETZ, FRANK DIPL.-CHEM. Inventor/es: URLAND, WERNER PROF.DR.RER.NAT., TIETZ, FRANK DIPL.-CHEM.

SE DESCRIBEN UN PROCEDIMIENTO Y UN DISPOSITIVO PARA FABRICAR CRISTALES Y CRISTALES COMO RESULTADO DE ESTE PROCEDIMIENTO. EL PROCEDIMIENTO SE REFIERE A CRISTALES QUE CONTIENEN UNA REJILLA RECEPTORA DE OXIDO DE (BETA)-ALUMINIO E IONES DE SODIO EN LOS PLANOS CONDUCTORES. ESTOS IONES DE SODIO SE SUSTITUYEN PARCIAL O COMPLETAMENTE POR IONES TRIVALENTES DE TIERRAS RARAS MEDIANTE UN INTERCAMBIADOR DE IONES. UNA CARACTERISTICA ESENCIAL DEL PROCEDIMIENTO CONSISTE EN SUMERGIR CRISTALES-NA-(BETA)-AL SUB 2O SUB 3 DESHIDRATADOS EN UNA MASA FUNDIDA PURA DE SE X SUB 3-(X = CL, BR, L), MANTENIENDOLOS AHI A UNA TEMPERATURA Y DURANTE UN TIEMPO DE PROCESO PREFIJADOS.

METODO PARA FABRICAR SUPERCONDUCTORES CAMINADOS DE ALTA-TC.

(01/12/1994). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: GRAF, VOLKER, DR., MULLER, CARL ALEXANDER, PROF.DR.

ESTE ES UN METODO PARA FABRICAR ESTRUCTURAS LAMINADAS DE COMPONENTES ARTIFICIALES SUPERCONDUCTORES DE ALTA-TC CUYA PARTE SUPERIOR DE CRISTAL EN GRANO TIENE UNA ESTRUCTURA ENREJADA DEL COMPONENTE SUPERCONDUCTOR PARA SER FABRICADA, LAMINAS DE OXIDO DE TODOS LOS COMPONENTES CONSTITUYENTES SON EPITAXIALMENTE CRECIDAS EN UNA PREDETERMINADA SECUENCIA ASI COMO PARA CREAR UNA ESTRUCTURA SANDWICH NO ENCONTRADA EN CRISTALES NATURALES. LA DISPOSICION EPITAXIAL DE LOS COMPONENTES CONSTITUYENTES ES FORMADA EN UNA CAMARA DE REACCION QUE TIENEN FACILIDADES DE EVAPORACION, ENTRADAS DE GASES META-ORGANICOS Y ENTRADA PARA GASES DE FONDO INCLUIDO OXIGENO.

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