METODO DE FABRICACION ACELERADA DE HILOS O CINTAS DE CERAMICA SUPRACONDUCTORA.

LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO DE FABRICACION DE HILOS, CINTAS U OTROS ELEMENTOS ANALOGOS HECHOS DE CERAMICA SUPROCONDUCTORES A TEMPERATURA DE TRANSICION ELEVADA,

COMO, POR EJEMPLO, EN Y BA SUB 2CU SUB 3O SUB 7(DELTA), A PARTIR DE UNA TECNICA DE SOLIDIFICACION DIRECCIONAL. SEGUN ESTE METODO QUE ES MUCHO MAS RAPIDO Y EFICAZ QUE LOS METODOS ACTUALMENTE CONOCIDOS, UN HILO O CINTA HECHO DE GRAMOS DE UN PRECURSOR DE CERAMICA SUPROCONDUCTORA SE SOMETE A UNA SOLIDIFICACION DIRECCIONAL EN UN NUMERO DADO DE LUGARES TAMBIEN SEPARADOS EN SU LONGITUD. ESTA SOLIDIFICACION DIRECCIONAL SE EFECTUA EN DISTINTOS LUGARES AL MISMO TIEMPO, A LA MISMA TEMPERATURA, A LA MISMA VELOCIDAD, Y EN LA MISMA DIRECCION DE MANERA A FORMAR UN NUMERO IDENTICO DE ZONAS DE MICROESTRUCTURA ORIENTADA A LO LARGO DEL HILO O DE LA CINTA, LAS CUALES CRECEN EN LONGITUD HASTA QUE SE REUNEN. ESTE METODO PERMITE MULTIPLICAR LA VELOCIDAD ACTUAL DE FABRICACION QUE SE CONOCE POR SER MUY BAJA POR UN COEFICIENTE DEL MISMO ORDEN DE MAGNITUD QUE EL NUMERO DE LUGARES DONDE SE EFECTUA LA SOLIDIFICACION DIRECCIONAL. SI EL NUMERO DE LUGARES ES POR EJEMPLO DE 10, LA VELOCIDAD DE FABRICACION DEL HILO O DE LA CINTA SUPROCONDUCTORA SE MULTIPLICARA POR APROXIMADAMENTE EL MISMO NUMERO, ES DECIR 10.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: HYDRO QUEBEC
ALCATEL CANADA WIRE INC.

Nacionalidad solicitante: Canadá.

Dirección: 75 BOULEVARD RENE LEVESQUE OUEST, MONTREAL H2Z 1A4, QUEBEC.

Inventor/es: CRITCHLOW, PHILIP R., CAVE, JULIAN.

Fecha de Publicación: 16 de Junio de 1996.

Fecha Concesión Europea: 10 de Abril de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

C04B35/00 QUIMICA; METALURGIA. › C04 CEMENTOS; HORMIGON; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS; REFRACTARIOS. › C04B LIMA; MAGNESIA; ESCORIAS; CEMENTOS; SUS COMPOSICIONES, p. ej. MORTEROS, HORMIGON O MATERIALES DE CONSTRUCCION SIMILARES; PIEDRA ARTIFICIAL; CERAMICAS (vitrocerámicas desvitrificadas C03C 10/00 ); REFRACTARIOS (aleaciones basadas en metales refractarios C22C ); TRATAMIENTO DE LA PIEDRA NATURAL. › Productos cerámicos modelados, caracterizados por su composición; Composiciones cerámicas (que contienen un metal libre, de forma distinta que como agente de refuerzo macroscópico, unido a los carburos, diamante, óxidos, boruros, nitruros, siliciuros, p. ej. cermets, u otros compuestos de metal, p. ej. oxinitruros o sulfuros, distintos de agentes macroscópicos reforzantes C22C ); Tratamiento de polvos de compuestos inorgánicos previamente a la fabricación de productos cerámicos.
C04B35/60
C30B13/00 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales).
C30B29/22 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Oxidos complejos.
H01L39/24 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 39/00 Dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; superconductores caracterizados por la técnica de formación o por la composición de las cerámicas C04B 35/00; conductores, cables o líneas de transmisión superconductores o hiperconductores H01B 12/00; bobinas o arrollamientos superconductores H01F; amplificadores que utilizan la superconductividad H03F 19/00). › Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de los dispositivos cubiertos por H01L 39/00 de sus partes constitutivas.

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