CIP-2021 : H01J 37/317 : para modificar las propiedades de objetos o para aplicarles revestimientos de capa delgada,
p. ej. implantación de iones (H01J 37/36 tiene prioridad).
CIP-2021 › H › H01 › H01J › H01J 37/00 › H01J 37/317[2] › para modificar las propiedades de objetos o para aplicarles revestimientos de capa delgada, p. ej. implantación de iones (H01J 37/36 tiene prioridad).
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H).
H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad).
H01J 37/317 · · para modificar las propiedades de objetos o para aplicarles revestimientos de capa delgada, p. ej. implantación de iones (H01J 37/36 tiene prioridad).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA LA TRANSFERENCIA DE UN HAZ DE IONES.
(16/10/2004). Solicitante/s: EATON CORPORATION. Inventor/es: BENVENISTE, VICTOR MAURICE, CHEN, JIONG, HORSKY, THOMAS NEIL, REYNOLDS, WILLIAM EDWARD.
UN METODO Y APARATO PARA MANTENER UN HAZ DE IONES A LO LARGO DE UN CAMINO DE HAZ DESDE UNA FUENTE DE IONES A UNA ESTACION DE IMPLANTACION DE IONES DONDE LAS PIEZAS DE TRABAJO ESTAN TRATADAS CON EL HAZ DE IONES. UN NEUTRALIZADOR DE HAZ SE POSICIONA ASCENDENTEMENTE DESDE LA ESTACION DE IMPLANTACION DEL HAZ E INYECTA ELECTRONES DE NEUTRALIZACION DENTRO DEL HAZ DE IONES. UN CAMPO MAGNETICO SE CREA ASCENDENTE DESDE LA POSICION DEL NEUTRALIZADOR DEL HAZ PARA INHIBIR EL MOVIMIENTO ASCENDENTE DE ELECTRONES DE NEUTRALIZACION. UNA TECNICA REVELADA PARA ESTABLECER EL CAMPO MAGNETICO PARA INHIBIR EL MOVIMIENTO DE ELECTRONES ESTA CON UN PRIMER Y SEGUNDO IMAN PERMANENTE ESPACIADOS (M1,M2).
LENTES ELECTROSTATICA DE ACELERACION Y DESACELERACION PARA EL ENFOQUE VARIABLE Y LA RESOLUCION DE MASA DE UN HAZ DE UN IMPLANTADOR DE IONES.
(16/07/2004) LA INVENCION SE REFIERE A UNA LENTE TRIODICA ELECTROSTATICA CON DESTINO A UN SISTEMA DE IMPLANTACION IONICO . LA LENTE INCLUYE UN ELECTRODO TERMINAL Y UN SUBCONJUNTO DE LENTES AJUSTABLES QUE COMPRENDE UN ELECTRODO SUPRESOR Y UN ELECTRODO RESOLVEDOR , CADA UNO DE LOS CUALES TIENE SUPERFICIES CURVAS EMPAREJADAS . EL SUBCONJUNTO DE LENTES SE POSICIONA CERCA DEL ELECTRODO TERMINAL DONDE EL HAZ TIENE UN ESPESOR CENTRAL MINIMO EN UN PRIMER PLANO (DISPERSIVO). ESTE POSICIONAMIENTO MINIMIZA LAS HOLGURAS NECESARIAS ENTRE ELECTRODOS Y CONTRIBUYE ASI A MINIMIZAR LA INTENSIFICACION DEL HAZ Y LA ZONA DE AGOTAMIENTO DE ELECTRONES EN EL MODO DE OPERACION DE DECELERACION. LOS ELECTRODOS DE SUPRESION Y RESOLUCION TIENEN CADA UNO DE ELLOS UNAS PARTES PRIMERA Y SEGUNDA (38A Y 38B, 39A Y 39B) SEPARADAS POR UNA HOLGURA (D38,…
MONTAJE DE CATODO PARA FUENTE DE IONES CON EL CATODO CALENTADO INDIRECTAMENTE.
(16/06/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: EATON CORPORATION. Inventor/es: HORSKY, THOMAS NEIL, REYNOLDS, WILLIAM EDWARD, CLOUTIER, RICHARD MAURICE.
LA FUENTE DE IONES A LA QUE SE REFIERE LA INVENCION SE UTILIZA EN UN IMPLANTADOR DE IONES . LA FUENTE DE IONES COMPRENDE UNA CAMARA DE CONFINAMIENTO DE GAS QUE TIENE PAREDES CONDUCTORAS (130A, 130B, 130C, 130D, 130E, 132) QUE SE UNEN A UNA ZONA DE IONIZACION DE GAS (R). LA CAMARA DE CONFINAMIENTO DE GAS INCLUYE UNA ABERTURA DE SALIDA PARA QUE LOS IONES SALGAN DE LA CAMARA. UNA BASE POSICIONA LA CAMARA DE CONFINAMIENTO DE GAS CON RELACION A LA ESTRUCTURA PARA FORMAR UN RAYO DE IONES A PARTIR DE LOS IONES QUE SALEN DE LA CAMARA DE CONFINAMIENTO DE GAS.
ESTRUCTURA PARA LA ALINEACION DE UNA ABERTURA DE FUENTE DE IONES CON UN PASO DE HAZ DE IONES PREFIJADO.
(01/12/1999) SE PRESENTA UNA ESTRUCTURA Y UN METODO PARA POSICIONAR EXACTAMENTE Y ALINEAR UNA ABERTURA DE UN MIEMBRO DE EXTRACCION Y UN HUECO DE UN ELECTRODO DE EXTRACCION CON UNA LINEA DE HAZ PREDETERMINADA EN UN APARATO PARA LA IMPLANTACION DE IONES . LA ABERTURA DEL MIEMBRO DE EXTRACCION SE POSICIONA CON RESPECTO AL ALOJAMIENTO DE LA FUENTE DEL HAZ DE IONES ELIMINANDO DE ESTA FORMA LOS ERRORES ACUMULATIVOS DE TOLERANCIA QUE INUNDAN LOS APARATOS DE IMPLANTACIONES DE IONES CONOCIDOS HASTA EL MOMENTO. SE UTILIZA UNA FIJACION DE ALINEAMIENTO SEPARABLE EN CONJUNCION CON UN DISPOSITIVO DE AGARRE AUTOCENTRABLE PARA POSICIONAR EXACTAMENTE LA ABERTURA DEL MIEMBRO DE EXTRACCION EN ALINEAMIENTO CON LA LINEA PREDETERMINADA DEL HAZ. EL MIEMBRO DE EXTRACCION SE FIJA A UN ANILLO DE SOPORTE DEL…
LITOGRAFIA POR ELECTRONES CON UTILIZACION DE UN FOTOCATODO.
(16/08/1999). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: BRANDES, GEORGE RAYMOND, PLATZMAN, PHILIP MOSS.
LA DELINEACION DE DISEÑOS SUB-MICROMETRICOS, IMPORTANTES EN LA FABRICACION A GRAN ESCALA DE DISPOSITIVOS INTEGRADOS, ESTA BASADA EN UN FOTOCATODO ESTAMPADO . FUNCIONALMENTE, EN LOS SISTEMAS QUE NOS COMPETEN, EL FOTOCATODO JUEGA EL PAPEL DE MASCARA, BIEN EN IMPRESION POR PROXIMIDAD O EN PROYECCION. EN OPERACION, EL FOTOCATODO SE ILUMINA CON RADIACION ULTRAVIOLETA PARA LIBERAR ELECTRONES QUE SE LLEVAN AL FOCO SOBRE UN DISCO REVESTIDO DE RESISTENCIA CON LA ASISTENCIA DE UN CAMPO MAGNETICO UNIFORME (B) JUNTO CON UN VOLTAJE DE ACELERACION (E) APLICADO.
DISPOSITIVOS DE IMPLANTACION IONICO.
(16/12/1998) SE PROPORCIONA UN DISPOSITIVO PERFECCIONADO, DE IMPLANTACION DE IONES, QUE TIENE INTERFAZ PROGRAMABLE Y GRAFICO DEL USUARIO. EL DISPOSITIVO DE IMPLANTACION PUEDE TENER ACCESO DESDE UN ORDENADOR REMOTO TAL COMO UN ORDENADOR PERSONAL PC/XT/AT COMPATIBLE CON IBM PARA QUE PUEDA TENER ACCESO UN OPERADOR, Y CONTROLAR Y MONITORIZAR EL DISPOSITIVO DE IMPLANTACION DESDE UNA POSICION REMOTA. SE PUEDEN CAMBIAR O MODIFICAR VARIAS SEÑALES DE CONTROL ASOCIADAS CON LA OPERACION DE INJERTO, DE CONFORMIDAD CON LOS PARAMETROS DE IMPLANTACION ALMACENADOS EN EL ORDENADOR. CADA VEZ QUE SE HAYA DE PROCESAR UN LOTE DE OBLEAS (MONOCRISTAL…
CHORRO DE ELECTRONES DE EMISION SECUNDARIA DIFUSA.
(01/06/1996). Solicitante/s: EATON CORPORATION. Inventor/es: BENVENISTE, VICTOR MAURICE.
UNA IMPLANTACION DE IONES QUE CARACTERIZA UN NEUTRALIZADOR DE HAZ MEJORADO. UNA FUENTE CILINDRICA DE ELECTRONES RODEA EL HAZ DE IONES EN UNA UBICACION JUSTO ANTES DE QUE EL HAZ DE IONES ENTRE EN UNA CAMARA DE IMPLANTACION. LAS CAVIDADES SEPARADAS DE FORMA REGULAR EN LA FUENTE DE ELECTRONES CONTIENEN FILAMENTOS DE ALAMBRE QUE SE ENERGIZAN PARA QUE EMITAN ELECTRONES. LOS ELECTRONES SE ACELERAN A TRAVES DE LA ZONA DEL HAZ DE IONES Y HACEN IMPACTO EN UNA PARED ORIENTADA HACIA EL INTERIOR DEL SOPORTE CILINDRICO DE ELECTRONES. ESTO PROVOCA EMISIONES DE ELECTRONES DE BAJA ENERGIA QUE NEUTRALIZAN EL HAZ DE IONES. EL RENDIMIENTO DEL NEUTRALIZADOR DEL HAZ SE INCREMENTA INYECTANDO UN GAS IONIZABLE EN LA ZONA SITUADA ENTRE LA SUPERFICIE EMISORA DE ELECTRONES Y EL HAZ DE IONES.
FABRICACION DE DISPOSITIVO QUE COMPRENDE UN PROCESO LITOGRAFICO.
(01/01/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: BERGER, STEVEN DAVID, GIBSON, JOHN MURRAY.
FABRICACION DE DISPOSITIVOS CON TAMAÑO DE CARACTERISTICAS MINIMAS DE MICRA Y SUBMICRA, QUE SE LLEVA A CABO MEDIANTE PROCESAMIENTO LITOGRAFICO EN QUE INTERVIENE UN FILTRO PLANO FOCAL TRASERO . UN TRATAMIENTO DE LA FABRICACION QUE IMPORTA PARTICULARMENTE DEPENDE DE LOS MODELOS DE MASCARA QUE PRODUCEN IMAGENES BASADAS EN LA DISCRIMINACION, COMO ENTRE LA RADIACION DISEMINADA (1B) Y SIN DISEMINAR (1A) MEDIANTE ELECTRONES ACELERADOS. POR EL CAMBIO DE FILTRO ES POSIBLE PRODUCIR DOS MODELOS COMPLEMENTARIOS DE LA MISMA MASCARA.
METODO Y APARATO PARA CONTROL DE CARGA SUPERFICIAL POR IMPLANTACION DE IONES.
(01/01/1994). Solicitante/s: EATON CORPORATION. Inventor/es: FARLEY, MARVIN.
UN NEUTRALIZADOR DE HACES DE IONES. ELECTRONES DE GRAN ENERGIA SE DIRIGEN A TRAVES DE UNA ZONA O REGION DE NEUTRALIZACION DE HACES DE IONES QUE CONTIENE UN GAS IONIZABLE. CUANDO LOS ELECTRONES DE GRAN ENERGIA CHOCAN CON LAS MOLECULAS GASEOSAS, IONIZAN LAS MOLECULAS DEL GAS Y PRODUCEN ELECTRONES DE BAJA ENERGIA, QUE SON ATRAPADOS POR UN HAZ DE IONES CARGADOS POSITIVAMENTE . CUANDO LOS ELECTRONES DE GRAN ENERGIA SALEN DE LA ZONA DE NEUTRALIZACION SON REBOTADOS A LA ZONA DE NEUTRALIZACION POR UN CONDUCTOR CILINDRICO SESGADO PARA REBOTAR LOS ELECTRONES DE GRAN ENERGIA Y UNA REGILLA DE ACELERACION PARA ACELERAR LOS ELECTRONES HACIA LA ZONA DE NEUTRALIZACION DEL HAZ.
SISTEMA Y METODOS DE REDUCCION DE CARGA DE UNA PLAQUITA PARA IMPLANTACION IONICA.
(01/11/1992). Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Inventor/es: RENAU, ANTHONY, MOFFATT, STEPHEN, PLUMB, FREDERICK.
EL INVENTO SE REFIERE A UN SISTEMA PARA IRRADIAR UN OBJETIVO TIPO PLAQUITA CON UN HAZ IONICO EN LA ESTACION FINAL DE UN SISTEMA QUE INCLUYE UN ELECTRODO POST-ANALISIS PARA ACELERAR EL HAZ DE IONES HASTA UNA VELOCIDAD DADA DE INCIDENCIAS SOBRE EL BLANCO SITUADO MAS ALLA DEL ELECTRODO DE POST-ANALISIS, Y UN DISPARADOR DE FLUJO DIODICO INSERTADO ENTRE EL ELECTRODO DE POST-ANALISIS Y EL BLANCO PARA NEUTRALIZAR LA ACUMULACION DE CARGA POSICIONAL INDUCIDA EN EL BLANCO POR EL HAZ IONICO. EL DISPARADOR DE FLUJO DIODICO INTRODUCE UNA CORRIENTE AMPLIFICADA DE ELECTRONES DE BAJA ENERGIA EN EL HAZ IONICO, CORRIENTE QUE SE CREA INTRODUCIENDO UN GAS INERTE EN EL DISPARADOR A TRAVES DE UNA LINEA DE DERIVACION.
