CIP-2021 : H01L 31/0749 : incluyendo un compuesto A I B III C VI , p. ej. células solares de heterounión CdS/CuInSe2 [CIS].
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/0749 · · · · incluyendo un compuesto A I B III C VI , p. ej. células solares de heterounión CdS/CuInSe2 [CIS].
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Célula solar y método de fabricación para la misma.
(01/04/2020). Solicitante/s: Jun, Young-kwon. Inventor/es: JUN,YOUNG-KWON.
Una célula solar que tiene una capa absorbente de luz formada entre dos electrodos que se disponen uno frente al otro,
en donde una capa de polarización eléctrica, que comprende un material de polarización eléctrica que forma un campo eléctrico incorporado, se forma entre los electrodos y la capa absorbente de luz,
caracterizada porque
la capa absorbente de luz ; 230; 330) comprende un compuesto que incluye M1, M2, X y una combinación de los mismos,
en donde M1 es cobre (Cu), plata (Ag) o una combinación de los mismos, M2 es indio (In), galio (Ga), aluminio (Al), cinc (Zn), germanio (Ge), estaño (Sn) o una combinación de los mismos, y X es selenio (Se), azufre (S) o una combinación de los mismos.
PDF original: ES-2787890_T3.pdf
Sistema de capas para células solares de película delgada.
(09/10/2019). Solicitante/s: Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry. Inventor/es: DALIBOR,THOMAS, PALM,JÖRG, HAPP,THOMAS, POHLNER,STEPHAN, DIETMUELLER,ROLAND, VERMA,RAJNEESH.
Sistema de capas para células solares de película delgada, que comprende:
- una capa absorbente , que contiene un semiconductor compuesto de calcogenuro,
- una capa tampón , que está dispuesta sobre la capa absorbente , en donde la capa tampón tiene un material semiconductor de fórmula AxInySz, donde A es potasio (K) y/o cesio (Cs), con
0,015 ≤ x/(x+y+z) ≤ 0,25,
y
0,30 ≤ y/(y+z) ≤ 0,45.
PDF original: ES-2765496_T3.pdf
Sistemas de capas para células solares.
(25/09/2019). Ver ilustración. Solicitante/s: (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Inventor/es: PALM,JÖRG.
Sistema de capas para células solares de película delgada, que comprende una capa absorbente y una primera capa amortiguadora , estando formada la capa absorbente basándose en un material semiconductor compuesto de Cu(In,Ga)(S1-y,Sey)2, siendo 0 ≤ y ≤ 1, siendo la primera capa amortiguadora amorfa y comprendiendo la primera capa amortiguadora In2(S1-x,Sex)3+δ, siendo 0 ≤ x ≤ 1, caracterizado por que el desvío δ de la estequiometría se encuentra entre -0,2 y 0, y la relación de las concentraciones molares [S]/([Se]+[S]) en la superficie de la capa absorbente dirigida hacia la primera capa amortiguadora es de 20 % a 60 % y disminuye a valores de 5 % a 10 % en el interior de la capa absorbente.
PDF original: ES-2763159_T3.pdf
Dispositivo y procedimiento para atemperar un cuerpo multicapa.
(28/11/2018) Dispositivo para atemperar un cuerpo multicapa , que presenta una primera capa y al menos una segunda capa , mediante absorción de una cantidad de energía por el cuerpo multicapa con una absorción de una primera cantidad parcial de la cantidad de energía por la primera capa y una absorción de una segunda cantidad parcial de la cantidad de energía por la segunda capa , que presenta
- al menos una fuente de energía de la cantidad de energía, en donde
- existen una primera y al menos una segunda fuentes de energía,
- al menos una de las fuentes de energía presenta una emisión de una determinada…
Fabricación de lámina de acero inoxidable ferrítico para sustratos de célula solar.
(10/09/2018) Método para fabricar una lámina de acero inoxidable ferrítico para un sustrato de célula solar, comprendiendo el método realizar recocido en una chapa de acero inoxidable ferrítico que tiene una composición química que contiene, en % en masa, Cr: el 14 % o más y el 18 % o menos, realizar después laminación en frío con una reducción por laminación del 60 % o más, y realizar posteriormente un tratamiento térmico en una atmósfera de gas inerte de tal manera que la lámina de acero inoxidable ferrítico resultante se calienta hasta una temperatura de tratamiento térmico T(ºC) a una velocidad de calentamiento de 10 ºC/s o más y 100 ºC/s o menos,…
Solución de deposición por baño para la deposición por baño químico de una capa de sulfuro metálico y métodos correspondientes de fabricación.
(30/08/2017). Solicitante/s: Manz Cigs Technology GmbH. Inventor/es: BÜRKERT,LINDA, HARISKOS,DIMITRIOS, KOLB,TORSTEN, SCHNELL,BETTINA.
Solución de deposición por baño para la deposición por baño químico de una capa de sulfuro metálico,
- donde la solución de deposición por baño contiene una sal metálica, un organoazufre, un agente quelante que forma complejos, que con iones metálicos de la sal metálica forma un complejo quelante e hidróxido de amonio, en agua destilada o desionizada,
- donde la sal metálica es una sal Zn y/o In, donde
- el organoazufre es tioacetamida y el agente quelante que forma complejos es acido nitriloacético o ácido iminodiacético o es una sal metálica de los mismos.
PDF original: ES-2647609_T3.pdf
Substrato transparente provisto de un electrodo.
(15/03/2017). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Inventor/es: RONDEAU, VERONIQUE, BLIESKE,ULF, JANKE,Nikolas, FIX,RENAUD, HEITZ,THIBAUT, NEANDER,BERTRAND.
Substrato transparente, en particular, de vidrio, provisto de un electrodo, en particular, para célula solar, que incluye una capa conductora a base de molibdeno Mo, caracterizado porque dicha capa a base de molibdeno es a lo sumo de 500 nm de espesor, en particular, a lo sumo de 400 nm o a lo sumo de 300 nm o a lo sumo de 200 nm y porque el electrodo incluye al menos una capa conductora complementaria, diferente de la capa a base de molibdeno, siendo la capa conductora complementaria M a base de metal o de aleación metálica y por debajo de la capa conductora a base de molibdeno Mo, porque el electrodo incluye al menos una capa conductora complementaria M'N a base de un nitruro sub-estequiométrico, estequiométrico o sobre-estequiométrico, en nitrógeno, de al menos uno de los siguientes metales: Ta, Zr, Nb, Ti, Mo, Hf, y porque la capa M'N está por debajo de la capa a base de molibdeno Mo y dispuesta entre la capa M y la capa a base de Mo.
PDF original: ES-2627686_T3.pdf
Sulfuración y selenización de capas de CIGS electrodepositadas por recocido térmico.
(23/04/2013) Procedimiento de fabricación de capas finas de aleaciones semiconductoras de tipo I-III-VI2 que incluyen azufre, para aplicaciones fotovoltaicas en el cual:
a) se deposita sobre un sustrato una heteroestructura que comprende una capa fina de precursor I-III-VI2 sensiblemente amorfa, y una capa fina que incluye al menos azufre elemental,
depositándose la capa de precursor a la vez que se mezclan elementos constitutivos del precursor de manera a conferir al precursor una estructura que comprende granos nanométricos de aleaciones, unidos por fases amorfas, y estando realizada la deposición de la capa fina que incluye azufre, por deposición química en solución, estando situados el sustrato y la capa de precursor en un reactor…
CÉLULA SOLAR DE PELÍCULA DELGADA BASÁNDOSE EN UN SEMICONDUCTOR COMPUESTO DE Ib/llla/Vla Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACIÓN.
(08/06/2011) Célula solar de película delgada basándose en un semiconductor compuesto de lb/llla/Vla, caracterizada porque entre la capa absorbedora de lb/llla/Vla policristalina de CulnS2 del tipo de conducción p y una lámina de soporte flexible de acero, que sirve como sustrato, se dispone un electrodo posterior a partir de la fase intermetálica binaria Cu7In3 de los mismos metales lb y llla que forman la capa absorbedora y sobre la capa absorbedora policristalina se dispone una capa intermedia delgada de sulfuro de cadmio, óxido de indio, hidróxido de indio o sulfuro de cinc
