Fabricación de lámina de acero inoxidable ferrítico para sustratos de célula solar.

Método para fabricar una lámina de acero inoxidable ferrítico para un sustrato de célula solar,

comprendiendo el método realizar recocido en una chapa de acero inoxidable ferrítico que tiene una composición química que contiene, en % en masa, Cr: el 14 % o más y el 18 % o menos, realizar después laminación en frío con una reducción por laminación del 60 % o más, y realizar posteriormente un tratamiento térmico en una atmósfera de gas inerte de tal manera que la lámina de acero inoxidable ferrítico resultante se calienta hasta una temperatura de tratamiento térmico T(ºC) a una velocidad de calentamiento de 10 ºC/s o más y 100 ºC/s o menos, que la lámina de acero se mantiene a la temperatura de tratamiento térmico T (ºC) durante una duración de 1 segundo o más y 60 segundos o menos, y que la lámina de acero calentada se enfría a una velocidad de enfriamiento de 5 ºC/s o más y 50 ºC/s o menos,

en el que la temperatura de tratamiento térmico T (ºC) satisface las expresiones de relación (1) y (2) a continuación según la temperatura X de un sustrato en un procedimiento de crecimiento de capa de absorción óptica seleccionado en un intervalo de temperatura de 450 ºC o mayor y 600 ºC o menor:

cuando 450 ºC ≤ X ≤ 500 ºC, 300 ºC ≤ T ≤ 750 ºC ... (1),

cuando 500 ºC ≤ X ≤ 600 ºC; X-200 ºC ≤ T ≤ 750 ºC .... (2).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2014/001519.

Solicitante: JFE STEEL CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 2-3, UCHISAIWAI-CHO 2-CHOME CHIYODA-KU TOKYO, 100-0011 JAPON.

Inventor/es: YAMAGUCHI, YASUHIRO, ISHIKAWA,SHIN, YANO,TAKAYOSHI, ARIZONO,TOMOYUKI.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B21B1/40 SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B21 TRABAJO MECANICO DE LOS METALES SIN ARRANQUE SUSTANCIAL DE MATERIAL; CORTE DEL METAL POR PUNZONADO.B21B LAMINADO DE METALES (operaciones auxiliares en relación con el trabajo de los metales previstos en la clase B21, ver B21C; curvado por pasado entre rodillos B21D; fabricación de objetos particulares, p. ej. tornillos, ruedas, anillos, cilindros o bolas, por laminado B21H; soldadura por presión por medio de un laminado B23K 20/04). › B21B 1/00 Métodos de laminado o laminadores para la fabricación de productos semiacabados de sección llena o de perfilados (B21B 17/00 - B21B 23/00 tienen prioridad; si dependen de la composición del material a laminar B21B 3/00; alargamiento de bandas de metal trabajadas en circuito cerrado, por laminación simultánea en varios puestos de laminado B21B 5/00; laminadores considerados en conjunto B21B 13/00; colada continua en moldes de paredes que se desplazan B22D 11/06 ); Secuencia de operaciones en los trenes de laminación; Instalaciones de una fábrica de laminación, p. ej. agrupamiento de cajas; Sucesión de pasadas o de alternancias de pasadas. › para laminar flejes que presentan problemas especiales, p. ej. a causa de su débil espesor.
  • B21B3/02 B21B […] › B21B 3/00 Laminado de materiales hechos a base de aleaciones especiales en la medida en que la naturaleza de la aleación exige o permite el empleo de métodos o de secuencias especiales (modificación de las propiedades metalúrgicas especiales de las aleaciones que no se refieren a la consolidación de la estructura, o a las propiedades mecánicas que resulten de ella C21D, C22F). › Laminado de aleaciones ferrosas especiales.
  • B21B45/00 B21B […] › Dispositivos para el tratamiento de la superficie de piezas especialmente combinados con laminadores, adaptados para ser utilizados con los laminadores o dispuestos en los laminadores (B21B 15/00 tiene prioridad; características técnicas de los dispositivos de desincrustación B21C 43/00).
  • H01L31/0749 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › incluyendo un compuesto A I B III C VI , p.ej. células solares a heterounión CdS/CuInSe2 [CIS].

PDF original: ES-2680601_T3.pdf

 

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