(16/03/1993). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: GOULD, ELLIOT L., KEMERER, DOUGLAS W., PIRO, RONALD A., RICHARDSON, GUY R., WELLBURN, DEBORAH A., MCALLISTER, LANCE A.

SE SUMINISTRA UN METODO Y UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA PARA ENTREMEZCLAR CIRCUITOS DE DOS O MAS CLASES DIFERENTES DE ELEMENTOS, TALES COMO ELEMENTOS STARDARD Y ELEMENTOS DE MATRIZ DE PUERTAS LOGICAS , SOBRE UN CHIP COMUN O UN SUBSTRATO CON UNA MINIMA SEPARACION ENTRE LOS ELEMENTOS ADYACENTES DE CLASES DIFERENTES. LAS UBICACIONES DE LOS ELEMENTOS SE DEFINEN CON ENLACES DADOS Y DISPUESTOS DE MANERA CONTIGUA SOBRE LA SUPERFICIE DE UN CHIP SEMICONDUCTOR,, Y ASI TANTO LOS TIPOS DE ELEMENTOS STANDARD COMO LOS CIRCUITOS DE TIPO DE MATRIZ DE PUERTAS LOGICAS SE FORMAN DENTRO DE CUALQUIERA DE LOS LUGARES PARA LOS ELEMENTOS SUMINISTRANDO ASI UNA ESTRUCTURA EQUILIBRADORA DE LA DENSIDAD DEL CHIP.

(01/10/1988). Ver ilustración. Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH CO.. Inventor/es: STRAUSS, MARK STEVEN.

LOS CIRCUITOS INTEGRADOS REALIZADOS CON LA TECNOLOGIA DE PUERTA AISLADA (V.G., CMOS) SE HAN PROTEGIDO CONTRA LA DESCARGA ELECTROSTATICA (ESD) MEDIANTE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE PUERTA METALICA. SORPRENDENTEMENTE, SE OBTIENE UNA PROTECCION SUPERIOR OMITIENDO LA PUERTA METALICA, BASANDOSE DE ESTE MODO TAN SOLO EN LA DESCARGA EN ALUD DEL DISPOSITIVO BIPOLAR PARA LA PROTECCION DE POLARIDAD OPUESTA. SE POSTULA QUE EL EFECTO DE CAMPO DEL DISPOSITIVO DE PUERTA METALICA RESTRINGE INDESEABLEMENTE EL FLUJO DE CORRIENTE EN EL DISPOSITIVO DE LA TECNOLOGIA ANTERIOR. LA TECNICA DE LA INVENCION SE PUEDE REALIZAR CONVENIENTEMENTE EMPLEANDO UN DIODO EN LUGAR DE UN TRANSISTOR COMO ELEMENTO PROTECTOR.

(16/07/1986). Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..

CIRCUITO INTEGRADO PARA APARATO TELEFONICO. CONSTA DE UN PRIMER CIRCUITO INTEGRADO ADECUADO PARA PROPORCIONAR LOS SERVICIOS BASICOS TELEFONICOS, EL CUAL ESTA ASIGNADO PARA OFRECER UN CIRCUITO INTERFACE CON LA LINEA PARA UNA VARIEDAD DE TIPO DE TELEFONOS Y PROPORCIONAR EL SERVICIO POT BASICO, SIN COMPONENTES ACTIVOS EXTERNOS; DE UN CIRCUITO AUXILIAR QUE INCORPORA UNA LOGICA DE DECISION, EN DONDE A TRAVES DE ATENUADORES COLOCADOS EN LOS CAMINOS DE RECEPCION Y TRANSMISION, SON CONTROLADOS PARA ASEGURAR QUE UN SOLO CAMINO ESTA ACTIVADO AL MISMO TIEMPO.

(03/04/1984). Solicitante/s: CSELT.

UNIDAD DE BASE PARA CONJUNTOS DE COMPUERTAS LOGICAS DE CIRCUITO INTEGRADO.CONSTA DE DOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE TIPO Y Y DE DOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE TIPO N, REALIZADOS DE MANERA QUE LOS TRANSISTORES DE UN MISMO TIPO TENGAN EN COMUN UNO DE LOS ELECTRODOS PUESTOS EN LAS EXTREMIDADES DEL CANAL. LAS PUERTAS DE UN TRANSISTOR DE TIPO P Y DE UN TRANSISTOR DE TIPO N, SIMETRICOS RESPECTO DE UN PUNTO CENTRAL DE LA UNIDAD, ESTAN CONECTADAS POR UNA PRIMERA INTERCONEXION DE POLISILICIO QUE ATRAVIESA DOS METALIZACIONES PARALELAS RELATIVAS A LAS ALIMENTACIONES,SIENDO ESTAS METALIZACIONES ATRAVESADAS TAMBIEN POR UNA SEGUNDA INTERCONEXION DE POLISILICIO QUE UNE AREAS DISPUESTAS EN LOS LADOS OPUESTOS DE UNA ZONA DELIMITADA POR LAS ALIMENTACIONES.

(03/04/1984). Solicitante/s: RCA CORPORATION.

CIRCUITO INTEGRADO DE PROTECCION.COMPRENDE: UN SUSTRATO DE SEMICONDUCTOR DE UN PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD; UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR DE UN SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD DISPUESTA SOBRE DICHO SUSTRATO; PRIMERA Y SEGUNDA REGIONES DEL PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD, DISPUESTAS CADA UNA FORMANDO UNA UNION PN CON LA CAPA DE SEMICONDUCTOR; Y UNA TERCERA REGION DE SEMICONDUCTOR DEL SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD DISPUESTA FORMANDO UNA UNION PN CON LA SEGUNDA REGION DE SEMICONDUCTOR. UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE ESTA DISPUESTA SOBRELA SUPERFICIE DE LA CAPA DE SEMICONDUCTOR, Y UNA CAPA DE MATERIAL CONDUCTOR ESTA DISPUESTA SOBRE DICHA CAPA AISLANTE , ESTANDO DICHA CAPA CONDUCTORA CONECTADA A UNA DE LAS REGIONES DE SEMICONDUCTOR PRIMERA Y TERCERA POR MEDIOS CONDUCTORES.

(01/03/1984). Solicitante/s: RCA CORPORATION.

CIRCUITO INTEGRADO DE PROTECCION.COMPRENDE: UN TRANSISTOR NPN (Q1); UN TRANSISTOR PNP (Q2); Y UN ELEMENTO RESISTIVO NO LINEAL FORMADO POR UN TRANSISTOR NPN (Q3) CONECTADO COMO UN DIODO. ESTE ULTIMO TRANSISTOR ESTA CONECTADO ENTRE EL ELECTRODO BASE DEL TRANSISTOR PNP Y UNA FUENTE DE POTENCIAL DE FUNCIONAMIENTO . LA REGION DE BASE Y LA REGION DE COLECTOR DEL TERCER TRANSISTOR ESTAN PUESTAS EN CORTOCIRCUITO PARA FORMAR UN DIODO MEDIANTE UN CONTACTO, MIENTRAS QUE LA REGION DE EMISOR ESTA CONECTADA A LA FUENTE DE POTENCIAL MEDIANTE UNCONDUCTOR . PARA COMPLETAR EL DISPOSITIVO, UN CONDUCTOR CONECTA EL EMISOR DEL TERCER TRANSISTOR Y EL EMISOR DEL TRANSISTOR NPN A LA FUENTE.DE APLICACION EN RECEPTORES DE TELEVISION.

(01/07/1983). Solicitante/s: RCA CORPORATION.

CIRCUITO DE PROTECCION DE SEMICONDUCTORES. EL CIRCUITO PROTEGE A UN CIRCUITO INTEGRADO CONTRA DAÑOS CAUSADOS POR FENOMENOS TRANSITORIOS DE ALTO VOLTAJE. COMPRENDE UNA ESTRUCTURA NPNP QUE CONFORMA UN RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO Y UN TRANSISTOR MOS (P1), DISPUESTOS AMBOS PARA FORMAR UN CIRCUITO DE PROTECCION DE DOS TERMINALES , QUE SE HACE CONDUCTOR CUANDO LA DIFERENCIA DE POTENCIAL ENTRE DICHOS TERMINALES SUPERA UN UMBRAL PREDETERMINADO. DE APLICACION EN RECEPTORES DE TELEVISION.

(16/06/1983). Solicitante/s: RCA CORPORATION.

DISPOSITIVO DE PROTECCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS. COMPRENDE DOS TRANSISTORES (Q , Q ) DE CONDUCTIVIDAD COMPLEMENTARIA Y UN ELEMENTO RESISTIVO (A) ENTERIZO CON LA ESTRUCTURA DEL SEMICONDUCTOR. AMBOS FORMAN UN DISPOSITIVO DE DOS TERMINALES CAPAZ DE CONDUCIR UNA ALTA CORRIENTE CUANDO LA DIFERENCIA DE POTENCIAL A TRAVES DE LOS MISMOS EXCEDE UN UMBRAL PREDETERMINADO. EL DISPOSITIVO DE PROTECCION ESTA CONECTADO EN UNO DE LOS TERMINALES A UN TERMINAL DEL CIRCUITO PROTECTOR (A), Y EN EL OTRO DE SUS TERMINALES A UNA FUENTE DE POTENCIAL DE FUNCIONAMIENTO . CUANDO AL POTENCIAL EN EL TERMINAL DEL CIRCUITO PROTEGIDO EXCEDE EL POTENCIAL DE ALIMENTACION DE FUNCIONAMIENTO EN UNA CANTIDAD IGUAL AL UMBRAL PREDETRMINADO, EL CIRCUITO DE PROTECCION SE HACE CONDUCTOR, PROTEGIENDO CON ELLO AL CIRCUITO INTEGRADO CONTRA DAÑOS.

(16/02/1983). Solicitante/s: RCA CORPORATION.

CIRCUITO INTEGRADO DE PROTECCION CONTRA SOBRECARGAS. UN CIRCUITO AMPLIFICADOR ESTA CONSTITUIDO POR UN TRANSMISOR AMPLIFICADOR (Q1) NPN, DISPUESTO EN CONFIGURACION DE EMISOR COMUN, Y EXCITADO DESDE UNA FUENTE RESISTITIVA (RS, RP). UN TRANSISTOR PROTECTOR (Q2) PNP TIENE SU EMISOR, BASE Y COLECTOR CONECTADOS, RESPECTIVAMENTE, A LA BASE Y AL COLECTOR DEL TRANSISTOR AMPLIFICADOR (Q1) Y A TIERRA. UNA RESISTENCIA DE CARGA (RL) ESTA CONECTADA AL TERMINAL POSITIVO DE ALIMENTACION DE TENSION (+V).

(01/04/1982). Solicitante/s: RCA CORPORATION.

CIRCUITO PARA PROTEGER UN DISPOSITIVO DE UNION SEMICONDUCTORA CONTRA DAÑOS POR SOLICITACION ORIGINADOS POR TRANSITORIOS DE ALTA TENSION. COMPRENDE UN TRANSISTOR DE PROTECCION CON UN ELECTRODO DE COLECTOR ACOPLADO A UNA POTENCIAL DE ALIMENTACION, UN ELECTRODO DE BASE Y UN ELECTRODO DE EMISION ACOPLADO AL PUNTO A PROTEGER. EXISTEN TAMBIEN MEDIOS PARA APLICAR UNA TENSION DE POLARIZACION DE REFERENCIA AL ELECTRODO DE BASE, DE TAL MODO QUE LA POLARIZACION DEL ELECTRODO DE BASE PUEDE DETERMINARSE INDEPENDIENTEMENTE DE LA POLARIZACION DEL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

(16/11/1981). Solicitante/s: ETAT FRANCAIS.

PUERTAS LOGICAS DE TRANSISTORES. LA PUERTA LOGICA COMPRENDE AL MENOS UNA PRIMERA ZONA AISLANTE QUE SEPARA A DOS ZONAS DE SALIDAS CONTIGUAS Y QUE EXTIENDEN DESDE EL PRIMER NIVEL DE IMPLANTACION HASTA AL MENOS MAS ALLA DEL SEGUNDO NIVEL DE IMPLANTACION. DICHA PUERTA LOGICA COMPRENDE UNA ZONA RESISTIVA QUE CONSTITUYE EL ELEMENTO DE CARGA Y QUE ESTA IMPLANTADA POR ENCIMA DEL PRIMER NIVEL CON INTERPOSICION DE LA SEGUNDA ZONA AISLANTE; LA ZONA RESISTORA ES DE SILICIO POLICRISTALINO. CUANDO LA PUERTA NO COMPRENDE LA ZONA RESISTIVA, EL ELEMENTO DE CARGA ES UN TRANSISTOR DE ESCTRUCTURA INTEGRADA MOS MONOCANAL QUE TIENE AL MENOS LA ZONA DE CONTACTO DE SU ENTRADA CONSTITUIDA POR UNA PARTE EXTREMA DE LA ZONA DE ELCTRODO DE MANDO DEL TRANSISTOR INVERSOR.

(16/06/1981). Solicitante/s: FUJITSU LIMITED.

METODO DE REALIZACION DE PLACAS DE CIRCUITOS IMPRESOS MULTIPLES. A LOS SUSTRATOS Y SEPARADORES , EN LOS QUE SE ESTABLECEN LOS CABLEADOS NECESARIOS , SE LES PRACTICAN UNAS PERFORACIONES QUE COINCIDEN UNAS CON OTRAS AL SUPERPONERLAS, Y A TRAVES DE LAS CUALES SE REALIZA LA UNION DE TODAS LAS CAPAS POR MEDIO DE UN METAL DE BAJO PUNTO DE FUSION, QUE SE PUEDE UTILIZAR COMO CONDUCTOR. AL MENOS UNO DE LOS SUTRATOS SUPERFICIALES ES CERAMICO, SIENDO LOS DEMAS, BIEN DE RESINAS SINTETICAS O BIEN METALICOS CON CAPAS AISLANTES.

(16/02/1981). Solicitante/s: RCA CORPORATION.

CIRCUITO CON SISTEMA ANTIBLOQUEO PARA CARGAS INDUCTIVAS. EL CIRCUITO, INTEGRADO EN UNA PASTILLA , TIENE TERMINALES DE ALIMENTACION (B) DE ENTRADA (T1, T2), PARA CONEXIONES DE POLARIDAD OPUESTA, QUE A TRAVES DE OTROS ELEMENTOS POLARIZAN LOS TRANSISTORES DE SALIDA , Y TERMINALES DE SALIDA , ESTANDO LA CONEXION PARA TIERRA AISLADA DE ELLA, POR MEDIO DE UN CONDENSADOR Y UNA RESISTENCIA , PARA MANTENER UNA TENSION EN EMISOR DEL TRANSISTOR QUE EVITE SU BLOQUEO. CIRCUITO DE APLICACION EN AUDIO.

(16/04/1979). Ver ilustración. Solicitante/s: LARDY,JEAN-LOUIS MAJOS,JACQUES.

Puerta lógica que comprende un transistor inversor del tipo de enriquecimiento con varias salidas, y un transistor de carga, ambos de estructura integrada MOS monocanal, de tales características, que sus zonas de fuente y de salida se encuentren en un primer nivel de implantación, y sus zonas de rejilla se encuentran en, al menos, un segundo nivel de implantación, separado por una capa aislante sobre el primer nivel de implantación, caracterizada por que la zona de rejilla del transistor inversor, así como la zona de canal subyacente a esta zona de rejilla, rodean completamente cada zona de salida del transistor inversor, y están rodeadas completamente por la zona de rejilla del transistor inversos, y porque la zona de rejilla del transistor inversor tiene una parte extrema de fuente del transistor de carga y constituye la única entrada de la puerta lógica.

(16/04/1979). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS'GLOEILMPENFABRIEKEN.

Un circuito lógico integrado que tiene una entrada de señal que está formada por una base de un transistor bipolar y que tiene una pluralidad de salidas de señal cada una de las cuales está acoplada, a través de un diodo, al colector de transistor bipolar, comprendiendo el circuito integrado un cuerpo semiconductor que tiene una superficie principal a la cual son contiguas varias regiones de superficie de un primer tipo de conductividad que están situadas sobre una región de substrato común de un segundo tipo de conductividad opuesto a primero.

(01/04/1979). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Un circuito lógico integrado que tiene una entrada de señal que está formada por una base de un transistor bipolar y que tiene una pluralidad de salidas de señal cada una de las cuales está acoplada, a través de un diodo, al colector del transistor bipolar, comprendiendo la entrada de señal medios para suministrar corriente, comprendiendo el circuito integrado un cuerpo semiconductor que tiene una superficie principal a la cual son contiguas varias regiones de superficie de un primer tipo de conductividad que están situadas sobre una región de substrato común de un segundo tipo de conductividad opuesto al primero.

(01/10/1978). Solicitante/s: N. V. PHILIPS'GLOEILIMPENFABRIEKEN.

Resumen no disponible.

(01/07/1977). Solicitante/s: YOSHIDA KOGYO KABUSHIKI KAISHA.

Resumen no disponible.

(16/04/1977). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Resumen no disponible.

(16/03/1977). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Resumen no disponible.

(01/09/1976). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Resumen no disponible.

(01/12/1975). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Disposición de circuito integrado que comprende un elemento semiconductor y medios para asegurar automáticamente la polaridad de alimentación adecuada que comprende dos rectificadores conectados entre una zona de substrato del elemento semiconductor y dos terminales de alimentación , caracterizada porque los mencionados rectificadores forman parte de un punete rectificador cuyas uniones p-n que están formadas con la zona de substrato y están incluidas en otros dos brazos del puente, forman parte de un inyector de corriente que suministra corriente a elementos de circuito adicionales del circuito integrado.

(16/08/1975). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Resumen no disponible.

(16/08/1975). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Resumen no disponible.