UNA DISPOSICION DE CIRCUITO DE PROTECCION CONTRA SOBRETENSIONES.
Una disposición de circuito de protección contra sobretensiones,
conectado entre un punto de un potencial fijo y un punto del circuito a proteger contra aumentos de tensión que superen un valor predeterminado con respecto a dicha masa, comprendiendo dicho circuito de protección, un transistor bipolar de unión lateral que tiene zonas de colector y de emisor separadas por una zona de base que forma parte de un sustrato semiconductor en el que está formado dicho transistor; estando cubiertas la unión de colector y la citada zona de base de dicho transistor por una capa aislante , estando separadas dichas zonas de colector y de emisor por dicha zona de base en una distancia que permite la acción sustancial del transistor cuando dicha unión de colector es polarizada en sentido inverso y la unión de emisor de dicho transistor está polarizada en sentido directo, un primer miembro conductor sobre dicha capa aislante en la posición de dicha unión de colector, estableciendo dicho primer miembro conductor contacto eléctrico con dicha área o zona de emisor, con dicho sustrato y con dicho punto de potencial fijo, y estableciendo un segundo miembro conductor contacto eléctrico con el citado punto del circuito a proteger y con dicha región de colector de dicho transistor.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: OLD ORCHARD ROAD, ARMONK, NUEVA YORK 10504.
Fecha de Solicitud: 7 de Diciembre de 1972.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 6 de Febrero de 1975.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L27/02 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
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