CIP-2021 : G11C 7/14 : Gestión de celdas ficticias; Generadores de tensión de referencia para lectura.

CIP-2021GG11G11CG11C 7/00G11C 7/14[1] › Gestión de celdas ficticias; Generadores de tensión de referencia para lectura.

G FISICA.

G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.

G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597).

G11C 7/00 Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital (G11C 5/00 tiene prioridad; circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193).

G11C 7/14 · Gestión de celdas ficticias; Generadores de tensión de referencia para lectura.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Sistema y procedimiento de operación de un dispositivo de memoria.

(13/05/2015) Un aparato que comprende: una célula bit acoplada a una primera línea de bit , a una segunda línea de bit , y a una línea de palabra que es sensible a un circuito de ataque de línea de palabra ; un amplificador de lectura acoplado a la primera línea de bit y a la segunda línea de bit ; un circuito de temporización configurado para generar una primera señal y una segunda señal ; un circuito de bucle configurado para suministrar una señal de administración de aplicación de lectura al amplificador de lectura en respuesta a la recepción de la primera señal ; y un circuito de habilitación…

Dispositivo de memoria para aplicaciones de memoria resistiva.

(30/09/2013) Un dispositivo de memoria que comprende: una célula de memoria que incluye un elemento de memoria resistivaacoplado a un transistor de acceso, teniendo el transistor de acceso un primerespesor de óxido para permitir la operación de la célula de memoria a una tensión operativa; yun primer amplificador configurado para acoplar la célula de memoria a una tensión dealimentación que es mayor que un límite de tensión para generar una señal de datos basada en unacorriente que atraviesa la célula de memoria, caracterizado porque el primer amplificador incluye un transistor de fijación de nivel que tiene unsegundo espesor de óxido que es mayor que el primer espesor…

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .