CIP-2021 : H01L 23/482 : formadas por capas conductoras inseparables del cuerpo semiconductor sobre el que han sido depositadas.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).
H01L 23/482 · · formadas por capas conductoras inseparables del cuerpo semiconductor sobre el que han sido depositadas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Sistema y procedimiento de recubrimiento de protección ambiental.
(18/10/2013) Un conjunto de placa de circuito que comprende:
una placa de circuito que tiene una superficie exterior; estando la superficie exterior configurada con unapluralidad de componentes eléctricos discretos que son fabricados independientemente unos de otros.una primera capa dieléctrica protectora superpuesta a la superficie exterior y caracterizada por unasegunda capa dieléctrica superponiendo la primera capa dieléctrica protectora y la pluralidad de loscomponentes eléctricos discretos, la segunda capa dieléctrica comprende un material dieléctrico conun módulo de elasticidad inferior a 3.5 Giga-Pascales(GPa), una constante dieléctrica…
Sistema y procedimiento de recubrimiento de protección ambiental.
(24/07/2013) Un conjunto de placa de circuito que comprende:
una placa de circuito que tiene una superficie exterior;
una pluralidad de componentes eléctricos (146a, 146b, 146c) discretos fabricados cada uno independientementeentre sí, estando cada componente eléctrico (146a, 146b, 146c) discreto acoplado a la superficie exterior de la placade circuito;
una primera capa dieléctrica protectora superpuesta a la superficie exterior y los componentes eléctricos(146a, 146b, 146c) discretos, cubriendo totalmente la primera capa dieléctrica protectora los componenteseléctricos (146a, 146b, 146c) discretos;
una segunda capa dieléctrica superpuesta a la primera capa dieléctrica protectora , teniendo lasegunda capa dieléctrica un grosor…
PROCEDIMIENTO PARA LA CONEXION ELECTRICA DE MICROCHIPS DE TRANSISTOR IGBT MONTADO SOBRE UNA PLAQUETA DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
(16/07/2006) La conexión de un transistor bipolar de puerta aislada a un circuito integrado comprende la preparación y soldadura de los electrodos para unir los terminales de conexión. La conexión eléctrica de un chip de un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) montado sobre un circuito integrado comprende los pasos de soldar los electrodos y formar electrodos de control de retícula o de puerta sobre una placa conductora con secciones proyectantes que tienen áreas de conexión que se unen mediante soldadura a los terminales de conexión correspondientes. Los terminales de conexión se cubren con una placa metálica, por ejemplo aluminio, y el procedimiento anterior a la soldadura comprende la desoxidación de los terminales de conexión, al deposición de un material antioxidante, la deposición de soldadura, el posicionamiento de los chips con las secciones…
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE ELECTRODO DE MANDO DE REJILLA PARA TRANSISTOR IGBT.
(01/11/2004) Se presenta un procedimiento para la producción de un electrodo de puerta para un transistor bipolar de puerta aislada, el procedimiento comprende los pasos de formar una capa conductora que cubre una capa aislante, formar una pista de alimentación conductora, y cubrir la pista. Se presenta un procedimiento para la producción de un electrodo de puerta para un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) que se inicia con una placa eléctricamente conductora que se cubre con una capa aislante y que tiene zonas de conexión que se unen mediante soldadura a los terminales de conexión de un circuito integrado, el procedimiento incluye los pasos de formar una capa conductora que cubre la capa aislante ; formar una pista conductora de alimentación y cubrir la pista. La placa…
TERMINAL PARA SOLDAR Y METODO DE FABRICARLO.
(01/04/2002). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: ATKINSON NYE , HENRI, III, ROEDER, JEFFREY FREDERICK, TONG, HO-MING, TOTTA, PAUL ANTHONY.
SE PRESENTA UN METODO Y UNA ESTRUCTURA PARA UN TERMINAL DE SOLDADURA MEJORADO. EL TERMINAL DE SOLDADURA MEJORADO ESTA HECHO DE UNA CAPA DE ADHESION METALICA DE FONDO, UNA CAPA INTERMEDIA DE CRCU SOBRE LA PARTE SUPERIOR DE LA CAPA DE ADHESION, UNA CAPA DE UNION DE SOLDADURA ENCIMA DE LA CAPA DE CRCU Y UNA CAPA SUPERIOR DE SOLDADURA. LA CAPA DE ADHESION PUEDE SER TANTO TIW O TIN. UN PROCESO PARA FABRICAR UN METAL DE TERMINAL MEJORADO CONSTA DE LA DEPOSICION DE UNA CAPA METALICA ADHESIVA, UNA CAPA DE CRCU SOBRE LA CAPA ADHESIVA Y UNA CAPA DE MATERIAL DE UNION DE SOLDADURA, SOBRE LA CUAL SE FORMA LA CAPA DE SOLDADURA EN REGIONES SELECTIVAS Y LAS CAPAS SUBYACENTES SON QUIMICAMENTE ATACADAS UTILIZANDO LAS REGIONES DE SOLDADURA COMO MASCARA.
UNOS PERFECCIONAMIENTOS EN LA PROTECCION DE FETS MEDIANTE PISTAS DE PCB.
(01/01/2001). Ver ilustración. Solicitante/s: MECANISMOS AUXILIARES INDUSTRIALES, S.L.. Inventor/es: LLOP TOUS,JORDI, MESTIERI CLOTET,ANTONINO, PLANA BREY,JOSEP LLUIS.
Unos perfeccionamientos en la protección de fets mediante pistas de PCB. La presente invención consiste en un dimensionado especial de las pistas conductoras del circuito impreso, para que llegado a la situación a modo de fallo, es decir, ante la posibilidad de un corto circuito y sin coste adicional alguno, es decir sin la necesidad de incorporar a las pistas de circuito impreso ningún elemento adicional se comporten ellas mismas y "per se' como un fusible. Para ello se ha diseñado un estrechamiento de las pistas asociadas al Smart FET.
CONTACTO DE FUENTE DE ALIMENTACION DE CIRCUITO INTEGRADO.
(01/03/1998). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: GABARA, THADDEUS J.
UN CIRCUITO INTEGRADO FORMADO EN UN SUSTRATO TIENE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CONFORMADOS EN UNA CAPA EPITAXIAL RELATIVAMENTE IMPURIFICADA (ES DECIR, CON ALTA RESISTIVIDAD), TIPICAMENTE EN UN "TUBO" FORMADO EN LA MISMA. LA CORRIENTE DE FUNCIONAMIENTO PARA LOS TRANSISTORES DE PROPORCIONA AL MENOS EN PARTE A TRAVES DE UNA CAPA METALICA SITUADA EN LA PARTE TRASERA DEL SUSTRATO. SORPRENDENTEMENTE, LA CONDUCTIVIDAD ES SUFICIENTEMENTE ALTA A TRAVES DE LA CAPA EPITAXIAL Y EL SUSTRATO QUE EL NUMERO DE ZONAS DE UNION EN LA PARTE FRONTAL PUEDE REDUCIRSE, O ELIMINARSE COMPLETAMENTE EN ALGUNOS CASOS. ADEMAS SE OBTIENE UNA REDUCCION EN LA INDUCTANCIA DE CONDUCCION DE LA FUENTE DE ALIMENTACION, REDUCIENDO LOS PROBLEMAS DEL SALTO A TIERRA Y DE OSCILACION.
UN METODO MEJORADO DE ATAQUE QUIMICO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO DE TRASLACION ELECTRICA DOTADO DE UN TRAZADO DE CONDUCTORES SOBRE UN CUERPO DE SOPORTE.
(01/03/1977). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DISEÑADO PARA FUNCIONAR A ALTA POTENCIA Y ALTA FRECUENCIA.
(16/05/1975). Solicitante/s: RCA CORPORATION.
Resumen no disponible.
