CIP-2021 : H01L 21/78 : con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales (corte para cambiar las características físicas de superficie o la forma de los cuerpos semiconductores H01L 21/304).
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/78 · · · con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales (corte para cambiar las características físicas de superficie o la forma de los cuerpos semiconductores H01L 21/304).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE CÉLULAS SOLARES EN OBLEAS DE GERMANIO.
(08/05/2020). Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Inventor/es: ALGORA DEL VALLE,CARLOS, LOMBARDERO HERNANDEZ,Iván, CIFUENTES BARO,Luís.
Se describe un procedimiento de fabricación de células solares en obleas de germanio que comprende realizar un adelgazamiento de la cara trasera de la oblea a la vez que se mantiene una zona no adelgazada que hace de soporte, y posteriormente una conformación e individualización química de las células solares fabricadas en la oblea sin necesidad de emplear medios de separación mecánicos, dado el menor grosor que presenta dicha oblea antes de la individualización. Se trata de un procedimiento fácilmente escalable, que permite trabajar con obleas de bajo espesor, y por tanto bajo peso, y dotar a las células solares de cualquier configuración posible, ya que no hay limitaciones geométricas como las asociadas al uso de sierras para corte mecánico.
PDF original: ES-2759280_A1.pdf
PDF original: ES-2759280_B2.pdf
Método de división de sustrato.
(26/07/2017) Un método de división de sustrato que comprende las etapas de:
irradiar un sustrato semiconductor , teniendo el sustrato semiconductor una cara frontal sobre la que se forman una pluralidad de dispositivos funcionales, con luz láser (L) mientras que se posiciona un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato semiconductor para formar una región procesada fundida debido a absorción multifotón solamente dentro del sustrato semiconductor , formando la región procesada fundida una región de punto de partida para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual el sustrato semiconductor debe cortarse, dentro del sustrato semiconductor , una distancia predeterminada…
Elemento de construcción con una pista de láser de extremos en solape; procedimiento para la fabricación de un elemento de construcción semejante.
(22/03/2017). Solicitante/s: CERAMTEC GMBH. Inventor/es: KARL, THOMAS, KLUGE,CLAUS PETER, REISS,KUNIBERT.
Elemento de construcción con una pista de láser como línea de iniciación de rotura, la cual se compone de entradas de láser de un rayo láser, para la preparación para una ulterior separación del elemento de construcción en elementos de construcción individuales, siendo la distancia A entre dos entradas de láser adyacentes menor o igual que el diámetro D de estas entradas de láser , medida respectivamente en la superficie del elemento de construcción , caracterizado por que la pista de láser está combinada con rebajes y zonas de la pista de láser están sin entradas de láser.
PDF original: ES-2625308_T3.pdf
Sustrato y procedimiento para preparar la fractura de un sustrato para al menos un dispositivo semiconductor de potencia.
(08/06/2016) Procedimiento para preparar la fractura de un sustrato para al menos un componente semiconductor de potencia con las siguientes etapas del procedimiento:
a) preparación del sustrato , presentando el sustrato un cuerpo de material aislante no conductor de electricidad,
b) erosión del material en el cuerpo de material aislante a lo largo de cantos de fractura (A, B, C, D, E) deseados del sustrato , siendo realizada la erosión de material de tal manera que en zonas de esquina , en las que confluyen al menos dos cantos de fractura (A, B, C, D, E) deseados, se realiza a lo largo de los al menos dos cantos de fractura deseados una erosión mayor del material frente a la erosión del material, que se realiza en las zonas restantes…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(04/06/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de:
irradiar un sustrato semiconductor , que tiene una lamina pegada al mismo mediante una capa de resina de pegado de plaquetas , con luz laser (L) mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada ; y
expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada , a fin de cortar el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada ,
caracterizado por el hecho de que la lamina es expandida tirando de una porcion periferica de la lamina hacia…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(09/04/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de irradiar un sustrato semiconductor con luz láser mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor, con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor, y se causa que la región modificada forme una parte destinada a ser cortada; y
expandir una lámina después de la etapa de formar la parte destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que está destinada a ser cortada, en el que la lámina está pegada al sustrato…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(09/04/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al mismo con luz laser mientras se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; y
expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, a fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada
caracterizado…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(02/04/2014) Un procedimiento de procesamiento por láser para cortar un objeto a procesar que incluye un sustrato semiconductor y unos dispositivos funcionales dispuestos en el sustrato,
comprendiendo el procedimiento las etapas de pegar una película protectora a una cara delantera del objeto en el lado de los dispositivos funcionales, irradiar el objeto con luz láser mientras se usa una cara trasera del objeto como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor,
causando que la región modificada forme una región de inicio de corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se pretende cortar el objeto,
en el que una película expansible es…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(01/01/2014) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de:
irradiar con luz laser un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al nnismo por medio de una capa deresina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una region modificada dentro del sustrato semiconductor , y causando que la regiónmodificada forme una parte que esta destinada a ser cortada;
generar una tensi6n en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despuesde la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lolargo de la parte…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(06/11/2013) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara frontal formada con unapluralidad de dispositivos funcionales para dividirlo en ca 5 da uno de dichos dispositivos funcionales, comprendiendoel procedimiento las etapas de:
pegar una lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor por medio de una capa de resina depegado de plaquetas ;
después del pegado de la lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor , formar una regiónprocesada fundida dentro del sustrato semiconductor irradiando el sustrato semiconductor con luz lásermientras se utiliza una cara frontal del sustrato semiconductor como una superficie de…
Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor.
(06/11/2013) Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara delantera formada con un dispositivo funcional a lo largo de una línea de corte , comprendiendo el procedimiento las etapas de:
irradiar el sustrato semiconductor con luz láser mientras se usa una cara trasera del sustrato semiconductor como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una región modificada, y hacer que la región modificada forme una región de inicio de corte dentro del sustrato semiconductor dentro de la superficie de entrada de la luz láser a…
Método para dividir un sustrato.
(28/03/2012) Un método para dividir un sustrato que comprende las etapas de:
irradiar un sustrato con una luz láser (L) mientras se posiciona un punto de convergencia de luz (P) en el interior del sustrato , de modo que forma una región modificada debido a la absorción multi-fotón dentro del sustrato , y causa que la región modificada forme una región de punto de arranque para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se cortará el sustrato , en el interior del sustrato a una distancia predeterminada de la cara incidente de la luz láser del sustrato ;
esmerilar el sustrato después de la etapa de formar la región del punto de arranque para el corte, de modo que el sustrato alcanza un grosor predeterminado; y separar una pluralidad de chips entre sí, en los que se…
METODO DE FABRICACION DE TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.
(16/11/1992). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: TSANG, WON-TIEN, CUNNINGHAM, JOHN EDWARD, SCHUBERT, ERDMANN F.
SE REIVINDICA UN METODO DE FABRICACION DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DONDE SOLO SE USAN DOS PASOS DE ENMASCARAMIENTO EN EL DESARROLLO DEL DISPOSITIVO.EL SEMICONDUCTOR ENCAPSULADO USADO EN EL PROCESO TIENE EN LA CARA SUPERIOR UN CONTACTO,EL CUAL NO SOPORTA TEMPERATURAS SUPERIORES A 200 C. LA PRIMERA MASCARA SE USA PARA CREAR UNA ESTRUCTURA DE MESA CONVENCIONAL LA CUAL AISLA CADA TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE LOS ADYACENTES.UNA SEGUNDA MASCARA ES USADA PARA DEFINIR LA FUENTE Y ELECTRODOS Y TAMBIEN PARA CREAR UNA DEPRESION A TRAVES DE LA CUAL SE RALIZA LA ESTRUCTURA DE ELECTRODO EN PUENTE. USANDO UNA MASCARA PARA CREAR LA FUENTE , LOS ELECTRODOS Y LA ESTRUCTURA EN PUENTE,UNA GRAN TOLERANCIA DE CIERRE SE OBTIENE ENTRE LA ESTRUCTURA DE PUENTE, LA FUENTE Y LAS REGIONES DE DRENAJE.FIG 4 Y FIG 7.