Sustrato y procedimiento para preparar la fractura de un sustrato para al menos un dispositivo semiconductor de potencia.

Procedimiento para preparar la fractura de un sustrato (1) para al menos un componente semiconductor de potencia con las siguientes etapas del procedimiento:



a) preparación del sustrato (1), presentando el sustrato (1) un cuerpo de material aislante (2) no conductor de electricidad,

b) erosión del material en el cuerpo de material aislante (2) a lo largo de cantos de fractura (A, B, C, D, E) deseados del sustrato (1), siendo realizada la erosión de material de tal manera que en zonas de esquina (14), en las que confluyen al menos dos cantos de fractura (A, B, C, D, E) deseados, se realiza a lo largo de los al menos dos cantos de fractura deseados una erosión mayor del material frente a la erosión del material, que se realiza en las zonas (17) restantes de los cantos de fractura (A, B, C, D, E) deseados, caracterizado por que la longitud (b), que se extiende a lo largo de un canto de fractura (A, B, C, D, E) deseado, de una zona de esquina (14) es de 0,5 % a 30 % de la distancia (a) que se extiende a lo largo del canto de fractura (A, B, C, D, E) deseado entre dos puntos de esquina (30) vecinos del canto de fractura (A, B, C, D, E) deseado, en los que confluyen al menos dos cantos de fractura (A, B, C, D, E) deseados.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E13152444.

Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200 90431 NURNBERG ALEMANIA.

Inventor/es: KRAUSS,NORBERT, THEIS,GEORG.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B23K26/00 SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B23 MAQUINAS-HERRAMIENTAS; TRABAJO DE METALES NO PREVISTO EN OTRO LUGAR.B23K SOLDADURA SIN FUSION O DESOLDEO; SOLDADURA; REVESTIMIENTO O CHAPADO POR SOLDADURA O SOLDADURA SIN FUSION; CORTE POR CALENTAMIENTO LOCALIZADO, p. ej. CORTE CON SOPLETE; TRABAJO POR RAYOS LASER (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión de metales B21C 23/22; realización de guarniciones o recubrimientos por moldeo B22D 19/08; moldeo por inmersión B22D 23/04; fabricación de capas compuestas por sinterización de polvos metálicos B22F 7/00; disposiciones sobre las máquinas para copiar o controlar B23Q; recubrimiento de metales o recubrimiento de materiales con metales, no previsto en otro lugar C23C; quemadores F23D). › Trabajo por rayos láser, p. ej. soldadura, corte o taladrado.
  • B23K26/36 B23K […] › B23K 26/00 Trabajo por rayos láser, p. ej. soldadura, corte o taladrado. › Retirada de material (B23K 26/55, B23K 26/57 tienen prioridad).
  • B23K26/38 B23K 26/00 […] › mediante escariado o corte.
  • B23K26/40 B23K 26/00 […] › tomando en consideración las propiedades del material involucrado.
  • B28D5/00 B […] › B28 TRABAJO DEL CEMENTO, DE LA ARCILLA O LA PIEDRA.B28D TRABAJO DE LA PIEDRA O DE MATERIALES SIMILARES A LA PIEDRA (máquinas o procedimientos de explotación de minas o canteras E21C). › Trabajo mecánico de las piedras finas, piedras preciosas, cristales, p. ej. de materiales para semiconductores; Aparatos o dispositivos a este efecto (trabajo con muela o pulido B24; con fines artísticos B44B; por procedimientos no mecánicos C04B 41/00; postratamiento no mecánico de monocristales C30B 33/00).
  • H01L21/78 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales (corte para cambiar las características físicas de superficie o la forma de los cuerpos semiconductores H01L 21/304).

PDF original: ES-2590481_T3.pdf

 

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