CIP-2021 : H01L 33/00 : Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz;
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
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Notas[n] de H01L 33/00: - Este grupo cubre los diodos de emisión de luz [LEDs] o diodos superluminiscentes [SLDs], incluyendo LEDs o SLDs que emiten luz infrarroja [IR] o luz ultravioleta [UV].
- En este grupo, se aplica la regla del primer lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, la clasificación se realiza en el primer lugar apropiado
H01L 33/02 · caracterizados por los cuerpos de semiconductores.
H01L 33/04 · · con una estructura de efecto cuántico o super-red, p. ej. unión túnel.
H01L 33/06 · · · dentro de la región electroluminiscente, p. ej. estructura de confinamiento o barrera túnel.
H01L 33/08 · · con una pluralidad de regiones electroluminiscentes, p. ej. capa de emisión de luz lateralmente discontinua o región fotoluminiscente integrada en el cuerpo de semiconductores (H01L 27/15 tiene prioridad).
H01L 33/10 · · con una estructura reflectante, p. ej. reflector de Bragg de semiconductor.
H01L 33/12 · · con una estructura de relajación de esfuerzo, p. ej. capa tope.
H01L 33/14 · · con una estructura de control de transporte de carga, p. ej. capa semiconductora altamente dopada o estructura de bloqueo de corriente.
H01L 33/16 · · con una estructura cristalina o una orientación particular, p. ej. policristalina, amorfa o porosa.
H01L 33/18 · · · dentro de la región electroluminiscente.
Notas[n] de H01L 33/18: - Cuando se clasifica en este grupo, se clasifica también en el grupo H01L 33/26 o en alguno de sus subgrupos con el objeto de identificar la composición química de la región electroluminiscente.
H01L 33/20 · · con una forma particular, p. ej. sustrato curvado o truncado.
H01L 33/22 · · · Superficies irregulares o rugosas, p. ej. en la interfaz entre capas epitaxiales.
H01L 33/24 · · · de la región electroluminiscente, p. ej. unión de tipo no plana.
H01L 33/26 · · Materiales de la región electroluminiscente.
H01L 33/28 · · · que contienen únicamente elementos del grupo II y del grupo VI del sistema periódico.
H01L 33/30 · · · que contienen únicamente elementos del grupo III y del grupo V del sistema periódico.
H01L 33/32 · · · · que contienen nitrógeno.
H01L 33/34 · · · que contienen únicamente elementos del grupo IV del sistema periódico.
H01L 33/36 · caracterizados por los electrodos.
H01L 33/38 · · con una forma particular.
H01L 33/40 · · Materiales.
H01L 33/42 · · · Materiales transparentes.
H01L 33/44 · caracterizados por los revestimientos, p. ej. capa de pasivación o revestimiento anti-reflectante.
H01L 33/46 · · Revestimiento reflectante, p. ej. reflector de Bragg de dieléctricos.
H01L 33/48 · caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores.
Notas[n] de H01L 33/48: - Este grupo cubre elementos en contacto directo con el cuerpo de semiconductores o integrados con el empaquetamiento.
H01L 33/50 · · Elementos de conversión de longitud de onda.
H01L 33/52 · · Encapsulados.
H01L 33/54 · · · que tienen una forma particular.
H01L 33/56 · · · Materiales, p. ej. epoxy o resina de silicona.
H01L 33/58 · · Elementos ópticos para modificación del campo.
H01L 33/60 · · · Elementos reflectantes.
H01L 33/62 · · Disposiciones para llevar la corriente eléctrica a o desde el cuerpo de semiconductores, p. ej. leadframes, hilos de conexión o bolas de soldadura.
H01L 33/64 · · Elementos de extracción de calor o refrigerantes.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
SEMICONDUCTOR LASER COMPRIMIENDO UNA PLURALIDAD DE REGIONES ACTIVAS OPTICAMENTE.
(01/11/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW. Inventor/es: MARSH, JOHN HAIG, KIM, SHIN-SUNG.
Un dispositivo láser semiconductor de área amplia que comprende una pluralidad de regiones ópticamente activas ; y una pluralidad de regiones ópticamente pasivas ordenadas sustancialmente en relación lineal a lo largo del eje óptico del láser, incluyendo cada región ópticamente activa una estructura de pozo de quantum , estando separadas unas de otras regiones ópticamente activas adyacentes mediante una respectiva región ópticamente pasiva de pozo de quantum entremezclado , formando cada región ópticamente pasiva una región de difracción que actúa como un filtro de modo espacial para producir selectivamente una sola salida de modo transversal mediante pérdidas de difracción a modos de orden superior.
DIODO EMISOR DE LUZ DEL GRUPO III ROBUSTO PARA UNA ALTA FIABILIDAD EN APLICACIONES HABITUALES DE ENCAPSULACION.
(16/03/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: CREE, INC.. Inventor/es: NEGLEY, GERALD, H., SLATER, DAVID, B., JR., EDMOND, JOHN, ADAM.
Diodo emisor de luz de alta fiabilidad que resistirá condiciones de temperatura elevada y humedad elevada, comprendiendo dicho diodo: un sustrato de carburo de silicio; una estructura amortiguadora sobre dicho sustrato; un diodo de heterounión de nitruro del grupo III con una capa de contacto de nitruro del grupo III de tipo p sobre dicha estructura amortiguadora; un contacto óhmico a dicho sustrato; caracterizado por un contacto óhmico de platino a dicha capa de contacto de tipo p; y una capa de pasivación de nitruro de silicio sobre dicho contacto óhmico de platino.
(16/06/2004). Solicitante/s: PAINTER, BLAND A., III. Inventor/es: BROWN, THOMAS, G.
SE ESTABLECE UNA ESTRUCTURA DE DENSIDAD PERIODICAMENTE VARIABLE, QUE ACTUA COMO RESONADOR PARA FONONES CAPACES DE PARTICIPAR EN INTERACCIONES FONONES-ELECTRONES. ESPECIFICAMENTE, SE ESTABLECE UN RESONADOR DE FONONES QUE ES RESONANTE PARA FONONES DE IMPULSO APROPIADO PARA PARTICIPAR EN TRANSICIONES RADIANTES INDIRECTAS Y/O EVENTOS DE DISPERSION ENTRE VALLES INTERZONALES. PREFERIBLEMENTE, LA ESTRUCTURA ES UNA SUPERRETICULA ISOTOPICA, PREFERIBLEMENTE DE SILICIO. LA ESTRUCTURA DE LA PRESENTE INVENCION TIENE PROPIEDADES OPTICAS, ELECTRICAS Y/O DE TRANSFERENCIA TERMICA MEJORADAS. TAMBIEN SE ESTABLECE UN METODO PARA PREPARAR LA ESTRUCTURA DE LA PRESENTE INVENCION.
DISPOSITIVO DE ILUMINACION.
(01/05/2004). Solicitante/s: ZUMTOBEL STAFF GMBH. Inventor/es: SEJKORA, GUNTHER.
Dispositivo de iluminación con por lo menos un medio luminoso para la emisión de luz, un cuerpo base de un material translúcido y con cuerpos perfilados de un material translúcido, formados en el cuerpo base y distanciados entre sí mediante entalladuras , que conducen la luz emitida por los medios luminosos a una superficie emisora del cuerpo base donde la emiten, caracterizado porque los medios luminosos están colocados en las superficies limitadoras superiores de los cuerpos perfilados y emiten la luz a los cuerpos perfilados correspondientes a través de las superficies limitadoras superiores de los cuerpos perfilados.
KIT DE CONSTRUCCION DE ILUMINACION PARA LOS FINES DE ALUMBRADO, DE PUBLICIDAD O DE INDICACION Y CONECTOR DE ENCHUFE ELECTRICO PARA UN TAL KIT DE CONSTRUCCION DE ILUMINACION.
(16/01/2004) Kit de construcción de iluminación para los fines de alumbrado, de publicidad o de indicación, el cual comprende por lo menos dos módulos emisores de luz , idénticos entre sí y cada uno con por lo menos un diodo LED y con los elementos de construcción electrónicos, que son necesarios para la activación de estos y como son los circuitos impresos , las resistencias u otros elementos similares, así como con un respectivo conjunto de zonas de contacto (15/16), dispuesto en la cercanía del borde del módulo y con por lo menos dos zonas de contacto de distinto potencial para la conexión y toma, respectivamente, de la tensión; kit de construcción este que está caracterizado porque las zonas de contacto de cada conjunto de zonas de contacto (15/16) estan dispuestas a lo largo de una linea , que esta alineada…
PROYECTOR DINAMICO DE ESCENAS DE INFRARROJO.
(16/09/2002) UN PROYECTOR DE ESCENARIO INFRARROJO DINAMICO PARA LA UTILIZACION DE SISTEMAS DETECCION EN FRANJA INFRARROJA QUE TIENE UN USO CONCRETO, AUNQUE NO EXCLUSIVO, EN LOS SISTEMAS DE FORMACION DE IMAGENES TERMICAS O BUSCADORES. EN DICHOS SISTEMAS, UN PROYECTOR DE ESCENARIO INFRARROJO DINAMICO ES UTILIZADO PARA SIMULAR EL ESCENARIO TERMICO A EFECTOS DE COMPROBACION Y CALIBRACION. EL DISPOSITIVO CONSTA DE UNA MATRIZ DE ESTRUCTURAS DE DIODOS SEMICONDUCTORES ELECTROLUMINISCENTES , CAPAZ DE EMITIR LUMINISCENCIA POSITIVA Y NEGATIVA, UN SISTEMA DE CIRCUITOS ELECTRONICO PARA SUMINISTRAR CORRIENTES DE AMBAS POLARIDADES A CADA DIODO DE FORMA INDEPENDIENTE DE FORMA QUE PUEDA CONTROLARSE LA EMISION DE LUMINISCENCIA POSITIVA Y NEGATIVA. LAS ESTRUCTURAS DE DIODOS EN LA MATRIZ…
CONVERTIDOR OPTOELECTRONICO Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.
(01/09/2001). Solicitante/s: SIEMENS AG. Inventor/es: SPATH, WERNER, DIPL.-PHYS., GRAMANN, WOLFGANG, ING. GRAD., BOGNER, GEORG, DIPL.-PHYS., DIETRICH, RALF, ING. GRAD.
EL CONVERTIDOR CONTIENE UN ELEMENTO SEMICONDUCTOR RECEPTOR Y EMISOR DE RADIACION, QUE ESTA SUJETO EN UNA PLACA DEL FONDO. SOBRE LA PLACA DEL FONDO SE DISPONE DE DISTANCIADORES , QUE PORTAN UN SISTEMA DE LENTES. LA PLACA DEL FONDO, LOS DISTANCIADORES Y LOS SISTEMAS DE LENTE SE COMPONEN DE UN MATERIAL, CUYO COEFICIENTE DE DILATACION TERMICA ES APROXIMADAMENTE IGUAL, INCLUSO TAMBIEN IGUAL POR EJEMPLO AL SILICIO Y AL VIDRIO. UNA MULTIPLICIDAD DE TALES DISPOSICIONES PUEDEN SER ELABORADAS COMO UNA UNIDAD Y DESPUES DIVIDIDAS.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/03/2001). Solicitante/s: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Inventor/es: LEALMAN, IAN, FRANCIS, ROBERTSON, MICHAEL, JAMES.
UN DISPOSITIVO OPTICO SEMICONDUCTOR, POR EJEMPLO UN LASER, TIENE UNA GUIA DE ONDAS OPTICA COMPUESTA, QUE COMPRENDE UNA GUIA DE ONDAS ACTIVA, CONICA, MQW , EN CONTACTO OPTICO CON UNA GUIA DE ONDAS PASIVA, SUBSTANCIALMENTE PLANA . EL MODO OPTICO FUNDAMENTAL SOPORTADO POR LA GUIA DE ONDAS COMPUESTA VARIA A LO LARGO DE LA LONGITUD DE LA GUIA DE ONDAS COMPUESTA DE MANERA QUE, EN UN LASER, EL MODO DEL LASER SE AGRANDA Y ENCAJA MEJOR CON UNA FIBRA OPTICA DE MODO SIMPLE. TAMBIEN SE PRESENTA UN METODO PARA HACER LOS DISPOSITIVOS OPTICOS SEMICONDUCTORES.
PROCEDIMIENTO PARA MONTAR UN OPTO-COMPONENTE QUE SE PUEDE MONTAR SOBRE UNA SUPERFICIE.
(01/12/2000). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: WAITL, GUNTER, SCHELLHORN, FRANZ.
UN ELEMENTO DE CONSTRUCCION OPTICA PREPARADO PARA UN MONTAJE SUPERFICIAL P PUEDE EMPLEARSE DE MANERA VARIADA. EL ELEMENTO CONSISTE EN AL MENOS UNA BASE DOTABLE MEDIANTE UN DISPOSITIVO DE DOTACION AUTOMATICA, Y QUE CONTIENE UNA O MAS EMISORES O RECEPTORES OPTICOS. ADEMAS DE ESO, EL ELEMENTO DISPONE DE AL MENOS UNA INSTALACION OPTICA PARA LA FORMACION DEL HAZ DE LUZ RECIBIDO O REFLEJADO. UNOS ELEMENTOS DE AJUSTE SIRVEN PARA EL POSICIONAMIENTO EXACTO DE ESA INSTALACION.
DISPOSITIVO EMISOR DE LUZ Y DISPOSITIVO DE VISUALIZACION.
(16/10/2000). Ver ilustración. Solicitante/s: NICHIA CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. Inventor/es: SHIMIZU, YOSHINORI, SAKANO, KENSHO, NOGUCHI, YASUNOBU, MORIGUCHI, TOSHIO.
DIODO EMISOR DE LUZ BLANCA QUE COMPRENDE UN COMPONENTE EMISOR DE LUZ QUE UTILIZA UN SEMICONDUCTOR COMO CAPA EMISORA DE LUZ Y UN FOSFORO QUE ABSORBE UNA PARTE DE LUZ EMITIDA POR EL COMPONENTE EMISOR DE LUZ Y EMITE LUZ DE UNA LONGITUD DE ONDA DISTINTA A LA DE LA LUZ ABSORBIDA, EN DONDE LA CAPA EMISORA DE LUZ DEL COMPONENTE EMISOR DE LUZ ES UN SEMICONDUCTOR COMPUESTO DE NITRURO Y EL FOSFORO CONTIENE MATERIAL FLUORESCENTE GRANATE ACTIVADO CON CERIO QUE CONTIENE AL MENOS UN ELEMENTO SELECCIONADO DEL GRUPO FORMADO POR Y, LU, SC, LA, GD Y SM, Y AL MENOS UN ELEMENTO SELECCIONADO DEL GRUPO FORMADO POR AL, GA E IN Y QUE ESTA SUJETO A UN MENOR DETERIORO DE LAS CARACTERISTICAS DE EMISION AUN CUANDO SEA UTILIZADO CON UNA ELEVADA LUMINANCIA DURANTE UN LARGO PERIODO DE TIEMPO.
DIODO EMISOR DE LUZ DE GEOMETRIA VERTICAL CON UNA CAPA ACTIVA DE NITRURO DEL GRUPO III Y VIDA UTIL AUMENTADA.
(01/05/2000). Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es: EDMOND, JOHN, ADAM, KONG, HUA-SHUANG, BULMAN, GARY, E., DMITRIEV, VLADIMIR.
UN DIODO EMISOR DE LUZ EMITE EN LA PARTE AZUL DEL ESPECTRO VISIBLE Y SE CARACTERIZA POR UN TIEMPO DE VALIDEZ PROLONGADO. EL DIODO EMISOR DE LUZ COMPRENDE UN SUBSTRATO DE CARBURO DE SILICIO CONDUCTOR ; UN CONTACTO OHMICO PARA EL SUBSTRATO DE CARBURO DE SILICIO; UNA CAPA SEPARADORA CONDUCTORA SOBRE EL SUBSTRATO Y SELECCIONADA DEL GRUPO QUE SE COMPONE DE NITRURO DE GALIO, NITRURO ALUMINICO, NITRURO DE INDIO, NITRUROS DEL GRUPO III TERNARIO QUE TIENEN LA FORMULA A{SUB,X}B{SUB, 1-X}N, DONDE A Y B SON ELEMENTOS DEL GRUPO III Y DONDE X ES CERO, UNO O UNA FRACCION ENTRE CERO Y UNO, Y ALEACIONES DE CARBURO DE SILICIO CON TALES NITRUROS DEL GRUPO III TERNARIO; Y UNA HETEROESTRUCTURA DOBLE QUE INCLUYE UNA UNION P-N SOBRE LA CAPA SEPARADORA EN LA CUAL LAS CAPAS ACTIVAS Y LAS CAPAS DE LA HETEROESTRUCTURA SON SELECCIONADAS DEL GRUPO QUE SE COMPONE DE NITRUROS DEL GRUPO III BINARIOS Y DE NITRIDOS DEL GRUPO III TERNARIOS.
CONJUNTO DE DIODO DE LASER CON REGULACION DE TEMPERATURA.
(16/02/2000) UN DISPOSITIVO PERFECCIONADO DE DIODO LASER ESTA FORMADO POR UNA UNIDAD DE DIODO LASER INSTALADO DIRECTAMENTE EN UN ENFRIADOR TERMOELECTRICO COMPACTO , INSTALADO A SU VEZ EN UN DISIPADOR DE CALOR . UNA JUNTA TERMOAISLANTE , SITUADA ALREDEDOR DEL ENFRIADOR TERMOELECTRICO , AISLA EL ENFRIADOR TERMOELECTRICO DEL ENTORNO AMBIENTAL, EVITANDO ASI QUE SE FORME CONDENSACION EN LA CARA FRIA DEL ENFRIADOR TERMOELECTRICO. UN CASQUILLO COLOCA CONCENTRICAMENTE LA UNIDAD DE DIODO LASER EN LA ALINEACION OPTICA CORRECTA CON RESPECTO AL DISPOSITIVO OPTICO, A LA VEZ QUE AISLA TERMICA Y ELECTRICAMENTE EL DIODO LASER. UNA JUNTA TERMOCONDUCTIVA , COLOCADA ALREDEDOR DE LA CIRCUNFERENCIA…
SISTEMA OPTICO PARA DIODOS DE EMISION DE LUZ.
(16/09/1999). Solicitante/s: SOLARI UDINE S.P.A. Inventor/es: FIORENTINI, ANTONIO, PERISSINOTTO, CLAUDIO.
EL DIODO SE INCORPORA DE UNA MANERA FIJA SOBRE EL EJE OPTICO DE UNA LENTE PORTADORA. LA LENTE PORTADORA CONSISTE EN UNA PARTE FRONTAL CON UNA SUPERFICIE TRANSVERSAL EXTERNA, FORMADA CONCAVA HACIA LA LUZ EMITIDA Y UNA PARTE LONGITUDINAL PARA INCORPORA EL DIODO. LA PARTE LONGITUDINAL TIENE SU SUPERFICIE LONGITUDINAL FORMADA CONCAVA HACIA EL DIODO. LA SUPERFICIE TRANSVERSAL CONCAVA ESTA RODEADA POR UN SISTEMA TRANSVERSAL EXTERNO. LA SUPERFICIE LONGITUDINAL CONCAVA ESTA DISPUESTA PARA REFLEJAR LOS RAYOS DE LUZ EMITIDOS POR EL DIODO HACIA LA SUPERFICIE ADICIONAL TRANSVERSAL EXTERNA QUE ESTA DISPUESTA PARA TRANSMITIR LOS RAYOS DE LUZ HACIA FUERA EN UNA DIRECCION LONGITUDINAL.
PROCEDIMIENTO PARA LA ELABORACION DE UN INTERRUPTOR ESPACIAL OPTICO EN CASCADA, E INTERRUPTOR OPTICO ESPACIAL EN CASCADA ELABORADO SEGUN ESTE PROCEDIMIENTO.
(16/04/1999). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Inventor/es: SCHILLING, MICHAEL.
SE PONE A DISPOSICION UN PROCEDIMIENTO PARA LA ELABORACION DE UN INTERRUPTOR ESPACIAL OPTICO EN CASCADA, ASI COMO UN INTERRUPTOR DE ESTE TIPO ELABORADO SEGUN ESTE PROCEDIMIENTO. EL INTERRUPTOR COMPUESTO A PARTIR DE MULTIPLES RAMIFICACIONES OPTICAS SE GENERA SOBRE UN SUBSTRATO UNICO. A PARTIR DE AQUI ES ACTIVO PARA SU CRECIMIENTO, ES DECIR SE UTILIZA UN PROCEDIMIENTO DE AMPLIFICACION DE LUZ CONTROLABLE O ZONA CONDUCTORA DE ONDAS ABSORBENTES DE LUZ, QUE PUEDEN GENERAR ESPESORES DE CAPA DIFERENTES, LIMITABLES DE FORMA LOCAL Y/O PREPARACIONES MATERIALES DE CAPAS ACTIVAS DE CRECIMIENTO EN EL MISMO CAMINO DE TRABAJO. LA CANTIDAD Y POSICION Y POSICION DE ZONAS CONDUCTORAS DE ONDA ACTIVA Y PASIVAS PUEDEN SER FIJADAS CON ELLO A TRAVES DE LA CONFIGURACION DE POR EJEMPLO ZONAS (M) ENMASCARADAS CON SIO2 ANTES DE AJUSTAR EL RECUBRIMIENTO PROPIO.
PROCESO DE FABRICACION DE UN COMPONENTE SEMICONDUCTOR EN PARTICULAR DE UN LASER DE ARISTA ENTERRADA, Y COMPONENTE FABRICADO PARA ESTE PROCESO.
(16/09/1998). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Inventor/es: GOLDSTEIN, LEON, BONNEVIE, DOMINIQUE.
CON ARREGLO A ESTE PROCESO UN REVESTIMIENTO SEMICONDUCTOR DOPADO DEBER SER DEPOSITADO SOBRE UNA SUPERFICIE PERTURBADA (S) DE UNA BASE SEMICONDUCTORA DOPADA POR UN DOPANTE DEL MISMO TIPO DE CONDUCTIVIDAD QUE EL REVESTIMIENTO. SEGUN LA INVENCION, ANTES DEL DEPOSITO DE UNA CAPA PRINCIPAL DE ESTE REVESTIMIENTO SE DEPOSITA UNA CAPA SOBREDOPADA QUE PRESENTA UNA CONCENTRACION DE DOPANTE SUPERIOR AL DOBLE DE LA CONCENTRACION MEDIA DEL REVESTIMIENTO. LA INVENCION SE APLICA EN PARTICULAR A LA FABRICACION DE UN LASER SEMICONDUCTOR PARA SISTEMA DE TELECOMUNICACION POR FIBRAS OPTICAS.
METODO DE ALINEAMIENTO DE UNA CINTA ENTERRADA Y DE UNA CINTA EXTERNA EN UN COMPONENTE OPTICO SEMICONDUCTOR.
(16/09/1998). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Inventor/es: GOLDSTEIN, LEON, GENTNER, JEAN LOUIS, VINCHANT, JEAN-FRANCOIS, LECLERC, DENIS.
SOBRE UNA CHAPITA SEMICONDUCTORA QUE COMPRENDE UNA CAPA DE INDICE DE REFRACCION ACRECENTADO ENTRE UNA CAPA DE CONFINAMIENTO INFERIOR Y A UNA CAPA DE CONFINAMIENTO SUPERIOR (CS), SE DEPOSITA UNA CAPA DIELECTRICA QUE SE GRABA PARA FORMAR UNA BANDA DE DELIMITACION QUE DELIMITA EN ALINEAMIENTO LA CINTA ENTERRADA (RL) Y LA CINTA (EXTERNA (RM) Y APTA PARA RESISTIR ATAQUES. UN PRIMER ATAQUE LIBERA LA CINTA EXTERNA Y UN CEBO DE CINTA ENTERRADA . UN SEGUNDO ATAQUE LIBERA EL CUERPO DE LA CINTA ENTERRADA TRAS LA PROTECCION DE LA CINTA EXTERNA. POR FIN UN DEPOSITO SELECTIVO REALIZA EL CONFINAMIENTO LATERAL DE LA CINTA ENTERRADA. LA INVENCION SE APLICA A LA REALIZACION DE CIRCUITOS FOTONICOS INTEGRADOS.
CAPAS SEMICONDUCTORAS DOPADAS CON TIERRA RARA SUPERSATURADA POR DVQ.
(16/07/1998) SE DESCUBRE UN PROCESO DVQ PARA PRODUCIR UNA CAPA SEMICONDUCTORA EPITAXIAL, DOPADA CON TIERRA RARA, SOBRE UN SUSTRATO. EL EQUIPO ES UN REACTOR DE DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO EN VACIO ULTRA ALTO (DVQVUA) DE 7,6 CM DE DIAMETRO, EN DONDE EL BOMBEO Y LA CARGA DE LA PASTILLA SON HECHOS EN EL MISMO EXTREMO DEL REACTOR. ESTA MODIFICACION PERMITE LA INSTALACION DE UN DEPOSITO DE PRECURSOR CALENTADO SOBRE EL EXTREMO OPUESTO DEL REACTOR. EL DEPOSITO ESTA CONECTADO AL FLANCO DEL EXTREMO DEL REACTOR USANDO UN TUBO DE ACERO INOXIDABLE DE DIAMETRO CORTO. EL REACTOR ES CALENTADO POR CALENTADORES RESISTIVOS EXTERNOS. EL REACTOR ES BOMBEADO ANTES Y DURANTE LA DEPOSICION POR UNA BOMBA TURBOMOLECULAR DE 150 L/SEG RESPALDADA POR UNA BOMBA DE…
RECINTO LASER CON ELIMINADOR (GETTER) DE IMPUREZAS.
(16/04/1998). Solicitante/s: CORNING INCORPORATED. Inventor/es: BARTHOLOMEW, ROGER FRANK, CORNING INCORPORATED, SHARPS, JULIA ALYSON, CORNING INCORPORATED, FABER, MARGARET KATHLEEN, CORNING INCORPORATED, ZAUN, KENNETH ELMER, CORNING INCORPORATED.
UN ELIMINADOR PARA INMOVILIZAR EL AGUA Y/O LAS MOLECULAS ORGANICAS QUE PUDIERAN HALLARSE PRESENTES COMO IMPUREZAS EN UN RECINTO DE UN LASER DE ALTA POTENCIA. EL ELIMINADOR SE FORMULA A PARTIR DE COMPOSICIONES SELECCIONADAS DE ZEOLITA QUE TIENEN UN TAMAÑO DE LOS POROS O DEL CANAL ADECUADO PARA INMOVILIZAR EL AGUA Y/O UNA GAMA DE MOLECULAS ORGANICAS CON UN TAMAÑO DE HASTA 40 MICRAS APROXIMADAMENTE. SE UTILIZA UN AGLUTINANTE PARA OBTENER UN ELIMINADOR QUE TENGA UNA RESISTENCIA SUFICIENTE COMO PARA PODERLO UTILIZAR EN UNA RECINTO LASERICO DE UNA APLICACION DE TELECOMUNICACIONES. EL AGLUTINANTE FORMA TAMBIEN UN CUERPO DEL ELIMINADOR SUSTANCIALMENTE SIN POLVO PARA MANTENER LA LIMPIEZA DEL INTERIOR DEL RECINTO LASERICO.
METODO PARA ENCAPSULAR UN CIRCUITO INTEGRADO.
(16/02/1998). Solicitante/s: EURASEM EUROPEAN SEMICONDUCTOR ASSEMBLY (EURASEM) B.V. Inventor/es: KALDENBERG, PETER JACOBUS.
METODO PARA ENCAPSULAR UN CIRCUITO SEMICONDUCTOR INTEGRADO (MATRIZ) QUE COMPRENDE LOS SIGUIENTES PASOS: A) MONTAR EL CIRCUITO SEMICONDUCTOR SOBRE LA SUPERFICIE DE SOPORTE DE UN MARCO CONDUCTOR, B) FIJAR HILOS DE CONEXION ENTRE LAS ARANDELAS DEL CIRCUITO SEMICONDUCTOR Y PARTES ELEGIDAS DEL MARCO CONDUCTOR (ENLACE), C) PRODUCIR UN EMBALAJE PLASTICO MEDIANTE UN MOLDE, CUYO EMBALAJE RODEA AL MENOS EL CIRCUITO SEMICONDUCTOR, LA SUPERFICIE DE SOPORTE, LOS HILOS DE CONEXION Y PARTE DEL MARCO CONDUCTOR. DE ACUERDO CON LA INVENCION ENTRE EL PASO B) Y EL PASO C) SE REALIZA UN PASO ADICIONAL: SUMINISTRAR UN VOLUMEN PREDETERMINADO DE PLASTICO TRANSPARENTE DE RADIACION EN ESE LADO DEL CIRCUITO SEMICONDUCTOR OPUESTO AL LATERAL QUE ESTA FIJADO A LA SUPERFICIE DE SOPORTE, CUYO MATERIAL PLASTICO TIENE UNA TEMPERATURA DE VIDRIO INFERIOR A LA TEMPERATURA QUE SE USA PARA REALIZAR EL PASO C).
ELEMENTOS LASER SEMICONDUCTORES Y METODO PARA LA CREACION DE LOS MISMOS.
(16/01/1998). Solicitante/s: THE FURUKAWA ELECTRIC CO.,LTD.. Inventor/es: OKAMOTO, HIROSHI, IJICHI, TETURO.
UN ELEMENTO LASER SEMICONDUCTOR QUE TIENE UN SUSTRATO GAAS COLOCADO SOBRE EL CON UNA CAPA ACTIVA DE CONSTRUCCION DE POZO CUANTICA ESTIRADA QUE CONSTA DE UNA CAPA DE POZO CUANTICA ESTIRADA Y UNA CAPA BARRERA GAAS Y DE CAPAS CHAPADAS (5A, 3A) COLOCADAS POR ENCIMA Y POR DEBAJO DE DICHA CAPA ACTIVA POR MEDIO DE CRECIMIENTO EPITAXIAL. EL COEFICIENTE DE DESAJUSTE DE LA CELOSIA DE LA CAPA CHAPADA CON RESPECTO AL SUSTRATO ES MENOR DE 10 ELEVADO 3.
METODO DE FORMACION DE ESTRUCTURAS LUMINISCENTES DE SILICIO POROSO.
(16/12/1997). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA. Inventor/es: PARKHUTIK, VITALY, MARTINEZ-DUART, JOSE MANUEL, ELIZALDE PEREZ GRUESO, EDUARDO, DIAZ CALLEJA, RICARDO, MATVEEVA, EUGENIA.
METODO DE FORMACION DE ESTRUCTURAS LUMINISCENTES DE SILICIO POROSO (SP). SE DESCRIBE UN METODO PARA LA OBTENCION DE UNA ESTRUCTURA LUMINISCENTE DE SILICIO POROSO A PARTIR DE LA ANODIZACION DE SILICIO MONOCRISTALINO EN UN REGIMEN POTENCIOSTATICO (CON VALOR CONSTANTE DE VOLTAJE) EN SOLUCION DE ACIDO FLUORHIDRICO Y DEPOSICION ELECTROQUIMICA DE LA CAPA DEL POLIMERO CONDUCTOR (POLIANILINA, POLIPIRROL, POLITHIOFENO, ETC.) EN LOS POROS. ESTE METODO TIENE UNA APLICACION INMEDIATA EN LA FORMACION DE ESTRUCTURAS LUMINISCENTES TANTO AISLADAS COMO FORMANDO PARTE DE CIRCUITOS INTEGRADOS FABRICADOS SOBRE SILICIO.
DIODO DE LASER AZUL-VERDE.
(16/10/1997). Solicitante/s: MINNESOTA MINING AND MANUFACTURING COMPANY. Inventor/es: HAASE, MICHAEL, A., CHENG, HWA, DEPUYDT, JAMES, M., QIU, JUN.
UN DIODO DE LASER SEMICONDUCTOR DE COMPUESTO II-VI ESTA FORMADO SOBRE CAPAS SUPERPUESTAS DE MATERIAL QUE COMPRENDE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR DE CRISTAL UNICO DE TIPO N ADYACENTE A LASERES GUIA DE TIPO N, Y TIPO P (14, Y DE SEMICONDUCTOR II-VI QUE FORMA UNA UNION PN, UNA CAPA ACTIVA DE PARED CUANTICA DE SEMICONDUCTOR II-VI ENTRE LAS CAPAS GUIA Y , EL PRIMER ELECTRODO OPUESTOS AL SUSTRATO DE LA CAPA GUIA DE TIPO N , Y UN SEGUNDO ELECTRO OPUESTO A LA CAPA GUIA DE TIPO P DE LA CAPA DE PARED CUANTICA . LA CAPA DE ELECTRODO (309 SE CARACTERIZA PR UNA ENERGIA FERMI. UNA CAPA DE CONTACTO OHMICO DE TIPO P ESTA IMPURIFICADA, CON ACEPTADORES POCO PROFUNDOS QUE TIENEN UNA ENERGIA DE ACEPTADOR POCO PROFUNDO, PARA UNA CONCENTRACION DE ACEPTADOR DE RED DE AL MENOS 1 X 1017 CM-3, Y COMPRENDE ESTADOS DE ENERGIA SUFICIENTE ENTRE LA ENERGIA DE ACEPTADOR POCO PROFUNDA Y LA ENERGIA FERMI DE CAPA DE ELECTRODO PARA PERMITIR LA PERFORACION DE TUNEL EN CASCADA POR PORTADORES DE CARGA.
DIODO EMISOR DE LUZ ENCAPSULADO Y METODO PARA ENCAPSULARLO.
(01/07/1997). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: BROOM, RONALD F., DR.
ENCAPSULAMIENTO DE DIODOS SEMICONDUCTORES QUE EMITEN LUZ, EN PARTICULAR DIODOS LASER, CARACTERIZADOS POR QUE UNA DISCONTINUIDAD ESTA FORMADA EN UN ENCAPSULANTE , EL CUAL ESTA SITUADO DELANTE DE LA FACETA EMISORA DE LUZ DEL DIODO , EVITANDO DICHA DISCONTINUIDAD QUE EL ENCAPSULANTE SE ADHIERA A ESTA FACETA.
SISTEMA DE ILUMINACION ELECTRICA PORTATIL.
(16/04/1997). Solicitante/s: LINTLED S.L. Inventor/es: ZOIDO DELICADO, FIDEL.
SISTEMA DE ILUMINACION ELECTRICA PORTATIL. CARACTERIZADO POR UTILIZAR COMO FUENTE DE LUZ UNO O MAS DIODOS EMISORES DE LUZ (LED'S) Y ESTAR ALIMENTADO POR PILAS O BATERIAS ELECTRICAS. LA LUZ EMITIDA PUEDE SER DE UNO O VARIOS COLORES, INCLUSO BLANCA, UTILIZANDO UNO O VARIOS DIODOS EMISORES DE LUZ. EN CASO DE USAR VARIOS DE ELLOS, PUEDE O NO, SER NECESARIO ALGUN SISTEMA DE REGULACION. EL FUNCIONAMIENTO DEL DISPOSITIVO PUEDE SER CONTINUO O INTERMITENTE SIN QUE POR ELLO SE DAÑE EL ELEMENTO EMISOR DE LUZ. TIENE POSIBILIDADES DE SER DE TAMAÑO REDUCIDO Y MUY RESISTENTE MECANICAMENTE.
DIODO ENCAPSULADO EMISOR DE LUZ Y METODO DE ENCAPSULAMIENTO.
(01/03/1997) UN DIODO EMISOR DE LUZ CON LUZ PARASITA REDUCIDA INCLUYE UNA BASE CON UN ELEMENTO EMISOR DE LUZ ACTIVO MONTADO EN LA BASE. SE MONTA UNA ENVOLTURA DE EPOXI EN LA BASE. LA ENVOLTURA INCLUYE UNA PARTE LATERAL CONICA Y UNA PARTE ABOVEDADA ESFERICA. LA ENVOLTURA ESTA ENCAPSULADA CON MATERIAL OPTICAMENTE ABSORBENTE DE BAJA REFLECTIVIDAD. EL MATERIAL OPTICAMENTE ABSORBENTE ESTA EN CONTACTO DIRECTO CON LA PARTE LATERAL DE LA ENVOLTURA Y PARTE DE LA PARTE ABOVEDADA ESFERICA DEJANDO UNA PARTE EXPUESTA A TRAVES DE LA CUAL PASAN LOS RAYOS DE LUZ. EL DIAMETRO D DE LA PARTE EXPUESTA ES IGUAL A: 2R[SEN /X + SENARC (R/S/N))], EN DONDE R ES EL RADIO DE UNA PARTE ABOVEDADA ESFERICA, X < SENARC…
DISPOSITIVO DE SILICIO ELECTROLUMINISCENTE.
(01/01/1997) UN DISPOSITIVO DE SILICIO ELECTROLUMINISCENTE INCLUYE UNA ESTRUCTURA DE SILICIO LA CUAL COMPRENDE UNA CAPA DE SILICIO HOMOGENEO Y UNA CAPA DE SILICIO POROSO. LA CAPA DE SILICIO POROSO TIENE POROS INTERCALADOS LOS CUALES DEFINEN CONDUCTORES CUANTICOS DE SILICIO. LOS CONDUCTORES CUANTICOS TIENEN UNA CAPA DE ESTABILIZACION SUPERFICIAL. LA CAPA POROSA EXHIBE FOTOLUMINISCENCIA BAJO IRRADIACION ULTRA VIOLETA. LA CAPA POROSA ESTA SATURADA POR UN MATERIAL CONDUCTOR TAL COMO UN ELECTROLITO O UN METAL . EL MATERIAL CONDUCTOR ASEGURA QUE UN CAMINO DE CORRIENTE ELECTRICAMENTE CONTINUA SE EXTIENDE A TRAVES DE LA CAPA POROSA; EL NO DEGRADA LA SUPERFICIE DE ESTABILIZACION DEL CONDUCTOR CUANTICO SUFICIENTEMENTE COMO PARA QUE EL CONDUCTOR CUANTICO NO PRODUZCA…
DISPOSITIVO OPTOELECTRONICO.
(16/10/1996). Solicitante/s: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: STEBE, HEINZ.
EN UN ELEMENTO OPTOELECTRICO CON ACOPLAMIENTO DE FIBRAS INTEGRADO, LA FIBRA DE VIDRIO ESTA INCRUSTADA EN UN CASQUILLO DE FIBRAS COMPUESTO DE UNA CLAVIJA DE ENCHUFE USUAL EN EL COMERCIO Y ESTE VA FIJADO A UNA PIEZA BASE ASI COMO UN BLOQUE DE MONTAJE QUE SUSTENTA UN TRANSDUCTOR , QUE POR SU LADO VA FIJADA POR LA SUPERFICIE FRONTAL AL ZOCALO DE UNA CAJA DE TRANSISTOR USUAL EN EL COMERCIO Y QUE ESTA CUBIERTA MEDIANTE UNA TAPA DE EJECUCION LARGA. LA PIEZA BASE SE COMPONE DE UNA SECCION TRASERA, EN FORMA DE TUBO, EN LA QUE VA SOLDADO EL CASQUILLO DE FIBRAS Y UNA SECCION DELANTERA CON UNA SUPERFICIE PLANA SITUADA POR DEBAJO DEL EJE CENTRAL DE LA PIEZA BASE , A LA QUE VA FIJADO EL BLOQUE DE MONTAJE.
DISPOSITIVO CON UNA UNIDAD PORTADORA, UN LASER DE SEMICONDUCTORES Y LINEAS DE ALIMENTACION.
(01/10/1996). Solicitante/s: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT ALCATEL N.V.. Inventor/es: LUZ, GERHARD, MAYER, HANS-PETER.
DISPOSITIVO CON UNA UNIDAD PORTADORA, UN LASER DE SEMICONDUCTORES Y LINEAS DE ALIMENTACION. PARA LA TRANSMISION OPTICA DE COMUNICACIONES SE APLICAN MODULOS TRANSDUCTORES OPTOELECTRONICOS QUE SIRVEN COMO MODULOS DE TRANSMISION Y RECEPCION. LOS MODULOS TRANSDUCTORES CONTIENEN, JUNTO A LOS OTROS COMPONENTES ELECTRICOS, ESPECIALMENTE UN DISPOSITIVO CON UN LASER DE SEMICONDUCTORES QUE SIRVE O BIEN COMO TRANSMISOR O COMO RECEPTOR. MEDIANTE LA INVENCION SE CREA UN DISPOSITIVO QUE PRESENTA UNA UNIDAD PORTADORA DE CERAMICA, PREFERENTEMENTE UN BLOQUE DE NITRURO DE ALUMINIO. AL MISMO TIEMPO, LAS LINEAS DE ALIMENTACION SON CINTAS MICROCONDUCTORAS . ESTE DISPOSITIVO ES APROPIADO PARA LA TRANSMISION EN LA GAMA GHZ.
ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS Y METODO DE FABRICACION.
(16/06/1996). Solicitante/s: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Inventor/es: LEALMAN, IAN, FRANCIS, COOPER, DAVID MARTIN, NELSON, ANDREW WILLIAM, DEVLIN, WILLIAM JOHN, COLE, SIMON.
EN UN LASER DE HETEROESTRUCTURA DE SEMICONDUCTOR ENTERRADO, CON UNA MESETA Y CAPAS DE CONFINAMIENTO SOBRE UN SUBSTRATO , AL MENOS LA CAPA DE CONFINAMIENTO INFERIOR ES PLANAR A LA MESETA. ESTO SE CONSIGUE MEDIANTE EL CRECIMIENTO MOVPE DE PIN CONTRA LAS SUPERFICIES LATERALES DE LA MESETA , DEFINIDAS POR DISTINTOS PLANOS CRISTALOGRAFICOS DEL MATERIAL DE LA MESETA. SE UTILIZAN EN PARTICULAR PLANOS B DE PIN. EL LASER SE UTILIZA PRINCIPALMENTE EN EL CAMPO DE LAS COMUNICACIONES OPTICAS.
FOTODIODO DE HETEROFUNCION ISOTIPO.
(16/03/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: AUSTIN, RICHARD F., FELDMAN, ROBERT D., SULHOFFF, JAMES W., ZYSKIND, JOHN L.
EN LA INVENCION SE DESCRIBE UN NUEVO FOTODIODO QUE COMPRENDE UNA UNION SEMIMETALICA Y SEMICONDUCTORA. LA DISTORSION DE LAS BANDAS ASOCIADAS CON ESTE TIPO DE FUNCION DAN COMO RESULTADO FLUJO DE CORRIENTE CUANDO SE FORMA UN PAR DE ORIFICIOS DE ELECTRONES MEDIANTE, POR EJEMPLO, UN FOTON INCIDIENDO SOBRE LA UNION. EL FOTODIODO ACTUA EN EL MODO FOTOVOLTAICO. SIN EMBARGO, MAS BIEN QUE CONFIAR EN LA DOSIFICACION DE IMPUREZAS PARA FABRICAR UNA UNION PN, LA NATURALEZA SEMIMETALICA DE HGTE Y SU BANDA DE CONDUCCION GRANDE SE NEUTRALIZA CON HG1. XCDX TE SE USAN PARA CREAR UN EFECTO SCHOTTKY DE RECTIFICACION COMO ESTRUCTURA.
CARBONO DE SUSTITUCION EN SILICIO.
(16/08/1995). Solicitante/s: SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE IN HER BRIT. MAJESTY'S GOVERN. OF UNITED KINGDOM OF GB AND N. IRELAND. Inventor/es: CANHAM, LEIGH, TREVOR, BARRACLOUGH, KEITH, GORDON, DYBALL, MARK, ROY.
LA INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA PRODUCIR SILICONA CON UNA SUSTITUCIONALIDAD APROXIMADA DEL 100% CON CONCENTRACIONES DE CARBONO MUY ALTAS HASTA 10 ELEVADO 21 CM ELEVADO -3 APROXIMADAMENTE, QUE TIENE CAPAS RECRISTALIZADAS DE BUENAS CUALIDADES CONTENIENDO NIVELES BAJOS DE DAÑO RESIDUAL, Y QUE EVITA LA PRECIPITACION DE CARBON MOVIL. ESTE METODO, COMPATIBLE CON EL ESTADO ACTUAL DE LA TECNOLOGIA DEL SILICIO VLSI, COMPRENDE LAS ETAPAS SECUENCIALES DE: IMPLANTAR UNA MICROPLAQUETA DE SILICIO CON IONES DE CARBONO, Y DOS ETAPAS DE RECOCCION DE LA MICROPLAQUETA DE SILICIO IMPLANTADA.
PROCESO DE REALIZACION DE UN LASER SEMICONDUCTOR PLANAR DE CINTA ENTERRADA.
(16/06/1995). Solicitante/s: ALCATEL N.V.. Inventor/es: GOLDSTEIN, LEON, BRILLOUET, FRANCOIS, BONNEVIE, DOMINIQUE, POINGT, FRANCIS, LIEVIN, JEAN-LOUIS.
TRAS UN GRABADO QUE DELIMITA UNA CINTA DE LASER (2A) EN RELIEVE SOBRE UN SUSTRATO , CAPAS LATERALES QUE DEBEN RODEAR ESTA CINTA ESTAN FORMADAS POR UN METODO DE CRECIMIENTO NO SELECTIVO QUE REALIZA UNA DEPOSICION NO SOLO AL LADO DE ESTA CINTA, SINO TAMBIEN POR ENCIMA DE ESTE CREANDO UN SALIENTE PARASITO (6A, 7A). ESTE SALIENTE SE RETIRA A CONTINUACION TRAS HABER SIDO SEPARADO DE ESTE SUSTRATO POR UN ATAQUE QUIMICO SELECTIVO DE UNA TIRA DE AYUDA AL RELEJE (4A) QUE HABIA SIDO DEPOSITADA PARA ESTE PROPOSITO POR ENCIMA DE ESTA CINTA ANTES DE ESTE GRABADO. SE HAN REALIZADO PASOS PARA EL MEDIO DE ATAQUE UTILIZADO PARA ESTO. LA INVENCION SE APLICA EN PARTICULAR A LA REALIZACION DE SISTEMAS DE TRANSMISION DE FIBRAS OPTICAS.
