CONJUNTO DE DIODO DE LASER CON REGULACION DE TEMPERATURA.

UN DISPOSITIVO PERFECCIONADO DE DIODO LASER ESTA FORMADO POR UNA UNIDAD DE DIODO LASER (52) INSTALADO DIRECTAMENTE EN UN ENFRIADOR TERMOELECTRICO COMPACTO (54),

INSTALADO A SU VEZ EN UN DISIPADOR DE CALOR (58). UNA JUNTA TERMOAISLANTE (64), SITUADA ALREDEDOR DEL ENFRIADOR TERMOELECTRICO (54), AISLA EL ENFRIADOR TERMOELECTRICO DEL ENTORNO AMBIENTAL, EVITANDO ASI QUE SE FORME CONDENSACION EN LA CARA FRIA (102) DEL ENFRIADOR TERMOELECTRICO. UN CASQUILLO (66) COLOCA CONCENTRICAMENTE LA UNIDAD DE DIODO LASER EN LA ALINEACION OPTICA CORRECTA CON RESPECTO AL DISPOSITIVO OPTICO, A LA VEZ QUE AISLA TERMICA Y ELECTRICAMENTE EL DIODO LASER. UNA JUNTA TERMOCONDUCTIVA (92), COLOCADA ALREDEDOR DE LA CIRCUNFERENCIA DE LA VENTANA DEL DIODO LASER, DEVUELVE CALOR DEL DISIPADOR A LA VENTANA PARA EVITAR QUE SE FORME CONDENSACION EN ESTA. EL DIODO LASER ES EL UNICO COMPONENTE ENFRIADO POR EL ENFRIADOR TERMOELECTRICO. PUESTO QUE UNA PARTE DEL CALOR TRANSFERIDO POR EL ENFRIADOR TERMOELECTRICO SE UTILIZA PARA CALDEAR LA VENTANA DEL DIODO LASER, NO SE PRECISA UN ELEMENTO CALEFACTOR SEPARADO, LO QUE AUMENTA LA EFICACIA GLOBAL DEL DISPOSITIVO DE DIODO LASER.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: ACCU-SORT SYSTEMS, INC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 551 SCHOOL HOUSE ROAD,TELFORD, PA 18969-1196.

Inventor/es: FREYMAN, CHRISTOPHER, A., DIDOMIZIO, RICHARD, A., ROBB, JAMES, A.

Fecha de Publicación: 16 de Febrero de 2000.

Fecha Solicitud PCT: 22 de Abril de 1996.

Fecha Concesión Europea: 3 de Noviembre de 1999.

Clasificación Internacional de Patentes:

G02B6/42 FISICA. › G02 OPTICA. › G02B ELEMENTOS, SISTEMAS O APARATOS OPTICOS (G02F tiene prioridad; elementos ópticos especialmente adaptados para ser utilizados en los dispositivos o sistemas de iluminación F21V 1/00 - F21V 13/00; instrumentos de medida, ver la subclase correspondiente de G01, p. ej. telémetros ópticos G01C; ensayos de los elementos, sistemas o aparatos ópticos G01M 11/00; gafas G02C; aparatos o disposiciones para tomar fotografías, para proyectarlas o para verlas G03B; lentes acústicas G10K 11/30; "óptica" electrónica e iónica H01J; "óptica" de rayos X H01J, H05G 1/00; elementos ópticos combinados estructuralmente con tubos de descarga eléctrica H01J 5/16, H01J 29/89, H01J 37/22; "óptica" de microondas H01Q; combinación de elementos ópticos con receptores de televisión H04N 5/72; sistemas o disposiciones ópticas en los sistemas de televisión en colores H04N 9/00; disposiciones para la calefacción especialmente adaptadas a superficies transparentes o reflectoras H05B 3/84). › G02B 6/00 Guías de luz; Detalles de estructura de las disposiciones que comprenden guías de luz y otros elementos ópticos, p. ej. medios de acoplamiento. › Acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos.
H01L33/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
H01S3/025
H01S3/043

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Mónaco, Irlanda, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Africana de la Propiedad Intelectual.

CONJUNTO DE DIODO DE LASER CON REGULACION DE TEMPERATURA.

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